公开(公告)号：US09000446B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US12783873

申请日：2010-05-20

申请人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

发明人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/66 ,  H01J37/317 ,  H01J37/20 ,  H01J37/304 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/31711 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized with a system for processing one or more substrates. The system may comprise an ion source for generating ions of desired species, the ions generated from the ion source being directed toward the one or more substrates along an ion beam path; a substrate support for supporting the one or more substrates; a mask disposed between the ion source and the substrate support, the mask comprising a finger defining one or more apertures through which a portion of the ions traveling along the ion beam path pass; and a first detector for detecting ions, the first detector being fixedly positioned relative to the one or more substrates.

摘要翻译： 本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以用用于处理一个或多个基板的系统来实现。 该系统可以包括用于产生所需物质的离子的离子源，从离子源产生的离子沿离子束路指向一个或多个衬底; 用于支撑所述一个或多个基板的基板支撑件; 设置在所述离子源和所述衬底支撑件之间的掩模，所述掩模包括限定一个或多个孔的手指，所述离子沿所述离子束路径行进的一部分穿过所述孔; 以及用于检测离子的第一检测器，所述第一检测器相对于所述一个或多个基板固定地定位。

公开(公告)号：US08685846B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US12695729

申请日：2010-01-28

申请人： Russell J. Low ,  William T. Weaver ,  Nicholas P. T. Bateman ,  Atul Gupta

发明人： Russell J. Low ,  William T. Weaver ,  Nicholas P. T. Bateman ,  Atul Gupta

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31711 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： An improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized as a method for processing a substrate. The method may comprise ion implanting a substrate disposed downstream of the ion source with ions generated in an ion source; and disposing a first portion of a mask in front of the substrate to expose the first portion of the mask to the ions, the mask being supported by the first and second mask holders, the mask further comprising a second portion wound in the first mask holder.

摘要翻译： 公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以被实现为用于处理衬底的方法。 该方法可以包括离子注入在离子源的下游设置的离子，其离子在离子源中产生; 以及将掩模的第一部分设置在所述基板的前面以将所述掩模的所述第一部分暴露于所述离子，所述掩模由所述第一和第二掩模保持器支撑，所述掩模还包括缠绕在所述第一掩模保持器中的第二部分 。

公开(公告)号：US08598547B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13170815

申请日：2011-06-28

申请人： Russell J. Low ,  Atul Gupta ,  William T. Weaver

发明人： Russell J. Low ,  Atul Gupta ,  William T. Weaver

IPC分类号： A61N5/00 ,  G21G5/00

CPC分类号： H01J37/20 ,  G21K5/10 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/31703 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Glitches during ion implantation of a workpiece, such as a solar cell, can be compensated for. In one instance, a workpiece is implanted during a first pass at a first speed. This first pass results in a region of uneven dose in the workpiece. The workpiece is then implanted during a second pass at a second speed. This second speed is different from the first speed. The second speed may correspond to the entire workpiece or just the region of uneven dose in the workpiece.

摘要翻译： 可以补偿工件（例如太阳能电池）的离子注入期间的毛刺。 在一种情况下，在第一速度的第一次通过期间植入工件。 该第一次通过导致工件中不均匀剂量的区域。 然后在第二次通过期间以第二速度植入工件。 第二速度与第一速度不同。 第二速度可以对应于整个工件或者对应于工件中不均匀剂量的区域。

公开(公告)号：US20120181443A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13428682

申请日：2012-03-23

申请人： Benjamin B. RIORDON ,  Nicholas P.T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

发明人： Benjamin B. RIORDON ,  Nicholas P.T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

IPC分类号： G01T1/17

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： In an ion implanter, an ion current measurement device is disposed behind a mask co-planarly with respect to a surface of a target substrate as if said target substrate was positioned on a platen. The ion current measurement device is translated across the ion beam. The current of the ion beam directed through a plurality of apertures of the mask is measured using the ion current measurement device. In this manner, the position of the mask with respect to the ion beam as well as the condition of the mask may be determined based on the ion current profile measured by the ion current measurement device.

摘要翻译： 在离子注入机中，离子电流测量装置相对于目标基板的表面共面设置在掩模的后面，如同所述目标基板位于压板上一样。 离子电流测量装置通过离子束平移。 使用离子电流测量装置测量引导通过掩模的多个孔的离子束的电流。 以这种方式，掩模相对于离子束的位置以及掩模的条件可以基于由离子电流测量装置测量的离子电流分布来确定。

公开(公告)号：US20110031408A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12845665

申请日：2010-07-28

申请人： Benjamin B. Riordon ,  Nicholas P.T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

发明人： Benjamin B. Riordon ,  Nicholas P.T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

IPC分类号： H01J3/14

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： In an ion implanter, an ion current measurement device is disposed behind a mask co-planarly with respect to a surface of a target substrate as if said target substrate was positioned on a platen. The ion current measurement device is translated across the ion beam. The current of the ion beam directed through a plurality of apertures of the mask is measured using the ion current measurement device. In this manner, the position of the mask with respect to the ion beam as well as the condition of the mask may be determined based on the ion current profile measured by the ion current measurement device.

摘要翻译： 在离子注入机中，离子电流测量装置相对于目标基板的表面共面设置在掩模的后面，如同所述目标基板位于压板上一样。 离子电流测量装置通过离子束平移。 使用离子电流测量装置测量引导通过掩模的多个孔的离子束的电流。 以这种方式，掩模相对于离子束的位置以及掩模的条件可以基于由离子电流测量装置测量的离子电流分布来确定。

公开(公告)号：US20100297782A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12783873

申请日：2010-05-20

申请人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

发明人： Benjamin B. Riordon ,  Kevin M. Daniels ,  William T. Weaver ,  Steven M. Anella

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/426

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/20235 ,  H01J2237/31711 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Herein, an improved technique for processing a substrate is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized with a system for processing one or more substrates. The system may comprise an ion source for generating ions of desired species, the ions generated from the ion source being directed toward the one or more substrates along an ion beam path; a substrate support for supporting the one or more substrates; a mask disposed between the ion source and the substrate support, the mask comprising a finger defining one or more apertures through which a portion of the ions traveling along the ion beam path pass; and a first detector for detecting ions, the first detector being fixedly positioned relative to the one or more substrates.

摘要翻译： 本文中公开了一种用于处理衬底的改进技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以用用于处理一个或多个基板的系统来实现。 该系统可以包括用于产生所需物质的离子的离子源，从离子源产生的离子沿离子束路指向一个或多个衬底; 用于支撑所述一个或多个基板的基板支撑件; 设置在所述离子源和所述衬底支撑件之间的掩模，所述掩模包括限定一个或多个孔的手指，所述离子沿所述离子束路径行进的一部分穿过所述孔; 以及用于检测离子的第一检测器，所述第一检测器相对于所述一个或多个基板固定地定位。

公开(公告)号：US20120017938A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13187078

申请日：2011-07-20

申请人： William T. Weaver ,  Kevin M. Daniels ,  Dale K. Stone ,  Russell J. Low ,  Benjamin B. Riordon ,  Jeffrey Blahnik

发明人： William T. Weaver ,  Kevin M. Daniels ,  Dale K. Stone ,  Russell J. Low ,  Benjamin B. Riordon ,  Jeffrey Blahnik

IPC分类号： B08B1/00

CPC分类号： H01L21/67028 ,  B08B1/008 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/67046

摘要： To achieve cost efficiency, solar cells must be processed at a high throughput. Breakages, which may leave debris on the clamping surface of the platen, adversely affect this throughput. A plurality of embodiments are disclosed which may be used to remove debris from the clamping surface without breaking the vacuum condition within the processing station. In some embodiments, a brush is used to sweep the debris from the surface of the platen. In other embodiments, an adhesive material is used to collect the debris. In some embodiments, the automation equipment used to handle masks may also be used to handle the platen cleaning mechanisms. In still other embodiments, stream of gas or ion beams are used to clean debris from the clamping surface of the platen.

摘要翻译： 为了实现成本效益，必须以高产量处理太阳能电池。 碎片可能会使碎片在压板的夹紧表面上产生不利影响。 公开了多个实施例，其可以用于从夹紧表面去除碎屑而不破坏处理站内的真空状况。 在一些实施例中，刷子用于从压板的表面扫掠碎屑。 在其他实施例中，使用粘合剂材料来收集碎屑。 在一些实施例中，用于处理掩模的自动化设备也可用于处理压板清洁机构。 在其它实施例中，气流或离子束用于从压板的夹紧表面清洁碎屑。

公开(公告)号：US08921149B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13034354

申请日：2011-02-24

申请人： Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver

发明人： Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/265 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

摘要： A first species selectively dopes a workpiece to form a first doped region. In one embodiment, a selective implant is performed using a mask with apertures. A soft mask is applied to the first doped region. A second species is implanted into the workpiece to form a second implanted region. The soft mask blocks a portion of the second species. Then the soft mask is removed. The first species and second species may be opposite conductivities such that one is p-type and the other is n-type.

摘要翻译： 第一种类选择性地掺杂工件以形成第一掺杂区域。 在一个实施例中，使用具有孔的掩模进行选择性植入。 软掩模被施加到第一掺杂区域。 将第二物质植入工件以形成第二注入区域。 软掩模阻挡了第二种物质的一部分。 然后去除软面膜。 第一种和第二种可能是相反的电导率，一个是p型，另一个是n型。

公开(公告)号：US08912082B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13070206

申请日：2011-03-23

申请人： Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Paul Sullivan ,  John W. Graff

发明人： Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Paul Sullivan ,  John W. Graff

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/266 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Methods to form complementary implant regions in a workpiece are disclosed. A mask may be aligned with respect to implanted or doped regions on the workpiece. The mask also may be aligned with respect to surface modifications on the workpiece, such as deposits or etched regions. A masking material also may be deposited on the implanted regions using the mask. The workpiece may be a solar cell.

摘要翻译： 公开了在工件中形成互补植入区域的方法。 掩模可以相对于工件上的注入或掺杂区域排列。 掩模也可以相对于工件上的表面改性（例如沉积物或蚀刻区域）对准。 掩模材料也可以使用掩模沉积在注入区域上。 工件可以是太阳能电池。

公开(公告)号：US08164068B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12845665

申请日：2010-07-28

申请人： Benjamin B. Riordon ,  Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

发明人： Benjamin B. Riordon ,  Nicholas P. T. Bateman ,  William T. Weaver ,  Russell J. Low

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J3/07

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： In an ion implanter, an ion current measurement device is disposed behind a mask co-planarly with respect to a surface of a target substrate as if said target substrate was positioned on a platen. The ion current measurement device is translated across the ion beam. The current of the ion beam directed through a plurality of apertures of the mask is measured using the ion current measurement device. In this manner, the position of the mask with respect to the ion beam as well as the condition of the mask may be determined based on the ion current profile measured by the ion current measurement device.

摘要翻译： 在离子注入机中，离子电流测量装置相对于目标基板的表面共面设置在掩模的后面，如同所述目标基板位于压板上一样。 离子电流测量装置通过离子束平移。 使用离子电流测量装置测量引导通过掩模的多个孔的离子束的电流。 以这种方式，掩模相对于离子束的位置以及掩模的条件可以基于由离子电流测量装置测量的离子电流分布来确定。