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    Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus
    13.
    发明授权
    Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus 有权
    半导体激光装置及其制造方法以及光盘装置

    公开(公告)号：US07292615B2

    公开(公告)日：2007-11-06

    申请号：US10943127

    申请日：2004-09-17

    申请人： Gaku Sugahara ,  Isao Kidoguchi ,  Ryoko Miyanaga ,  Masakatsu Suzuki ,  Masahiro Kume ,  Yusaburo Ban ,  Fukukazu Hirayama

    发明人： Gaku Sugahara ,  Isao Kidoguchi ,  Ryoko Miyanaga ,  Masakatsu Suzuki ,  Masahiro Kume ,  Yusaburo Ban ,  Fukukazu Hirayama

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333

    摘要： A semiconductor laser device (10) includes a resonant cavity (12) in which a quantum well active layer (11) made up of barrier layers of gallium nitride and well layers of indium gallium nitride is vertically sandwiched between at least light guide layers of n- and p-type aluminum gallium nitride. An end facet reflective film (13) is formed on a reflective end facet (10b) opposite to a light-emitting end facet (10a) in the resonant cavity (12). The end facet reflective film (13) has a structure including a plurality of unit reflective films (130), each of which is made up of a low-refractive-index film (13a) of silicon dioxide and a high-refractive-index film (13b) of niobium oxide. The low-and high-refractive-index films are deposited in this order on the end facet of the resonant cavity (12).

    摘要翻译： 半导体激光器件（10）包括谐振腔（12），其中由氮化镓的阻挡层和氮化铟镓的阱层构成的量子阱活性层（11）垂直夹在至少导光层n之间 和p型氮化镓铝。 端面刻面反射膜（13）形成在与谐振腔（12）中的发光端面（10a）相对的反射端面（10b）上。 端面反射膜（13）具有包括多个单位反射膜（130）的结构，每个单元反射膜由低二氧化硅的低折射率膜（13a）和高折射率 薄膜（13b）的氧化铌。 低折射率和高折射率的薄膜依次沉积在谐振腔（12）的端面上。

    Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus
    14.
    发明授权
    Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus 有权
    半导体激光装置及其制造方法以及光盘装置

    公开(公告)号：US06798811B1

    公开(公告)日：2004-09-28

    申请号：US09890095

    申请日：2001-07-27

    申请人： Gaku Sugahara ,  Isao Kidoguchi ,  Ryoko Miyanaga ,  Masakatsu Suzuki ,  Masahiro Kume ,  Yusaburo Ban ,  Fukukazu Hirayama

    发明人： Gaku Sugahara ,  Isao Kidoguchi ,  Ryoko Miyanaga ,  Masakatsu Suzuki ,  Masahiro Kume ,  Yusaburo Ban ,  Fukukazu Hirayama

    IPC分类号： H01S500

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333

    摘要： A semiconductor laser device (10) includes a resonant cavity (12) in which a quantum well active layer (11) made up of barrier layers of gallium nitride and well layers of indium gallium nitride is vertically sandwiched between at least light guide layers of n- and p-type aluminum gallium nitride. An end facet reflective film (13) is formed on a reflective end facet (10b) opposite to a light-emitting end facet (10a) in the resonant cavity (12). The end facet reflective film (13) has a structure including a plurality of unit reflective films (130), each of which is made up of a low-refractive-index film (13a) of silicon dioxide and a high-refractive-index film (13b) of niobium oxide. The low-and high-refractive-index films are deposited in this order on the end facet of the resonant cavity (12).

    摘要翻译： 半导体激光器件（10）包括谐振腔（12），其中由氮化镓的阻挡层和氮化铟镓的阱层构成的量子阱活性层（11）垂直夹在至少导光层n之间 和p型氮化镓铝。 在谐振腔（12）中的与发光端面（10a）相对的反射端面（10b）上形成端面反射膜（13）。 端面反射膜（13）具有包括多个单位反射膜（130）的结构，每个单元反射膜（130）由二氧化硅的低折射率膜（13a）和高折射率膜 （13b）的氧化铌。 低折射率和高折射率的薄膜依次沉积在谐振腔（12）的端面上。

    Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
    15.
    发明授权
    Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device 失效
    制造半导体发光装置的方法

    公开(公告)号：US5923950A

    公开(公告)日：1999-07-13

    申请号：US872154

    申请日：1997-06-10

    申请人： Akihiko Ishibashi ,  Yuzaburo Ban ,  Yoshihiro Hara ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume

    发明人： Akihiko Ishibashi ,  Yuzaburo Ban ,  Yoshihiro Hara ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/931

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor is disclosed. The method involves soaking a semiconductor substrate that consists of SiC for ten minutes in a buffered hydrofluoric acid, thereby etching the oxidized film formed on the surface of the semiconductor substrate. Then, TMA, NH.sub.3, TMG, and hydrogen for carrier are supplied at the rates of 10 .mu.mol/min., 2.5 L/min., and 2 L/min., respectively, to the semiconductor substrate at a temperature of 1090.degree. C. by using MOVPE. A buffer layer that consists of a single crystal AlN and has a thickness of about 15 nm is grown on the main surface of the semiconductor substrate. After lowering the temperature to 800.degree. C., TMA, TMG, TMI, and NH.sub.3 are supplied at the rates of 0.2 .mu.mol/min., 2 .mu.mol/min., 20 .mu.mol/min., and 5 L/min., respectively. A single crystal layer which consists of AlGaInN is thus grown on the buffer layer.

    摘要翻译： 公开了半导体制造方法。 该方法包括将由SiC组成的半导体衬底浸入缓冲的氢氟酸中10分钟，从而蚀刻形成在半导体衬底的表面上的氧化膜。 然后，在1090℃的温度下分别以10微摩尔/分钟，2.5L /分和2L /分钟的速度向载体提供TMA，NH 3，TMG和氢气。 C.使用MOVPE。 在半导体衬底的主表面上生长由单晶AlN构成并具有约15nm的厚度的缓冲层。 将温度降至800℃后，以0.2微摩尔/分钟，2微摩尔/分钟，20微摩尔/分钟和5升/分钟的速率供给TMA，TMG，TMI和NH 3 。， 分别。 因此，由AlGaInN构成的单晶层在缓冲层上生长。

    Method of manufacturing a semiconductor and a semiconductor light-emitting device
    16.
    发明授权
    Method of manufacturing a semiconductor and a semiconductor light-emitting device 失效
    制造半导体和半导体发光器件的方法

    公开(公告)号：US06281522B1

    公开(公告)日：2001-08-28

    申请号：US09243462

    申请日：1999-02-03

    申请人： Akihiko Ishibashi ,  Yuzaburo Ban ,  Yoshihiro Hara ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume

    发明人： Akihiko Ishibashi ,  Yuzaburo Ban ,  Yoshihiro Hara ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume

    IPC分类号： H01L310312

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  Y10S438/931

    摘要： First of all, a semiconductor substrate which consists of SiC is soaked for ten minutes in a buffered hydrofluoric acid, thereby the oxidized film formed on the surface of the semiconductor substrate being etched. Then, TMA, NH3, TMG, and hydrogen for carrier are supplied at the rates of 10 &mgr;mol/min., 2.5 L/min., and 2 L/min., respectively to the semiconductor substrate at a temperature of 1090° C. by using MOVPE, thereby a buffer layer which consists of single crystal AlN and has a thickness of 15 nm being grown on the main surface of the semiconductor substrate. After lowering the temperature to 800° C., TMA, TMG, TMI, and NH3are supplied at the rates of 0.2 &mgr;mol/min., 2 &mgr;mol/min., 20 &mgr;mol/min., and 5 L/min., respectively, thereby a single crystal layer which consists of AlGaInN being grown on the buffer layer.

    摘要翻译： 首先，将由SiC构成的半导体基板在缓冲氢氟酸中浸渍10分钟，由此在半导体基板的表面上形成的氧化膜被蚀刻。 然后，在1090℃的温度下，将10Mol / min，2.5L / min和2L / min的速率分别供给到半导体衬底上，作为载体的TMA，NH 3，TMG和氢。 通过使用MOVPE，由此在半导体衬底的主表面上生长由单晶AlN构成的厚度为15nm的缓冲层。 在将温度降至800℃后，分别以0.2mumol / min，2mumol / min，20mumol / min和5L / min的速率提供TMA，TMG，TMI和NH 3， 从而在缓冲层上生长由AlGaInN组成的单晶层。

    Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound semiconductor
    17.
    发明授权
    Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound semiconductor 失效
    氮化镓化合物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：US06165812A

    公开(公告)日：2000-12-26

    申请号：US913659

    申请日：1997-09-19

    申请人： Akihiko Ishibashi ,  Yuuzaburou Ban ,  Hidemi Takeisi ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume ,  Isao Kidoguchi

    发明人： Akihiko Ishibashi ,  Yuuzaburou Ban ,  Hidemi Takeisi ,  Nobuyuki Uemura ,  Masahiro Kume ,  Isao Kidoguchi

    IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/32 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

    摘要： The method for producing gallium nitride group compound semiconductor includes the steps of: forming a polycrystalline nitride layer 11a in a first temperature range on a substrate 10; forming a nucleus layer 11b of gallium nitride single crystals in a second temperature range on the polycrystalline nitride layer 11a; growing the nucleus layer 11b of gallium nitride single crystals in a third temperature range such that resulting crystals of the nucleus layer 11b of gallium nitride single crystals come into contact with each other in a direction parallel to a surface of the substrate 10; and growing the nucleus layer 11b of gallium nitride single crystals in a fourth temperature range in a direction vertical to the surface of the substrate 10.

    摘要翻译： PCT No.PCT / JP97 / 00056 Sec。 371 1999年9月19日第 102（e）1999年9月19日PCT PCT 1997年1月14日PCT公布。 公开号WO97 / 26680 日期1997年7月24日制造氮化镓基化合物半导体的方法包括以下步骤：在基板10上形成第一温度范围内的多晶氮化物层11a; 在第二温度范围内在多晶氮化物层11a上形成氮化镓单晶的核层11b; 在第三温度范围内生长氮化镓单晶的核层11b，使得氮化镓单晶的核层11b的晶体在平行于衬底10的表面的方向上彼此接触; 并且在与衬底10的表面垂直的方向上的第四温度范围内生长氮化镓单晶的核层11b。

    Semiconductor laser device
    18.
    发明授权
    Semiconductor laser device 失效
    半导体激光器件

    公开(公告)号：US5923690A

    公开(公告)日：1999-07-13

    申请号：US788511

    申请日：1997-01-24

    申请人： Masahiro Kume ,  Yuuzaburou Ban ,  Akihiko Ishibashi ,  Nobuyuki Uemura ,  Hidemi Takeisi ,  Isao Kidoguchi

    发明人： Masahiro Kume ,  Yuuzaburou Ban ,  Akihiko Ishibashi ,  Nobuyuki Uemura ,  Hidemi Takeisi ,  Isao Kidoguchi

    IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/323 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/028

    摘要： A gallium nitride group compound semiconductor laser device of the present invention includes: a substrate; and a layered structure provided on the substrate, wherein the layered structure includes an In.sub.z Ga.sub.1-z N active layer (0.ltoreq.z.ltoreq.1) which is formed at least in a first region, an n-type Al.sub.x Ga.sub.1-x N cladding layer (0.ltoreq.x.ltoreq.1) and a p-type Al.sub.y Ga.sub.1-y N cladding layer (0.ltoreq.y.ltoreq.1) interposing the active layer therebetween, and a current-defining structure made of Al.sub.u Ga.sub.1-u N (0.ltoreq.u.ltoreq.1) having an opening corresponding to the first region for defining a current within the first region.

    摘要翻译： 本发明的氮化镓族化合物半导体激光装置包括：基板; 以及设置在所述基板上的分层结构，其中，所述层叠结构包括至少形成在第一区域中的n型Al x Ga 1-x N包层的InzGa1-zN有源层（0≤z≤1） （0≤x≤1）和介于其间的有源层的p型Al y Ga 1-y N包覆层（0≤y≤1）和由AluGa1-uN（ 具有对应于第一区域的开口，用于限定第一区域内的电流。