公开(公告)号：US20100184242A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12355211

申请日：2009-01-16

申请人： Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Pao-Tung Chen ,  Wen-De Wang ,  Jyh-Ming Hung

发明人： Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Pao-Tung Chen ,  Wen-De Wang ,  Jyh-Ming Hung

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2652 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683

摘要： Provided is a method of implanting dopant ions to an integrated circuit. The method includes forming a first pixel and a second pixel in a substrate, forming an etch stop layer over the substrate, forming a hard mask layer over the etch stop layer, patterning the hard mask layer to include an opening between the first pixel and the second pixel, and implanting a plurality of dopants through the opening to form an isolation feature.

摘要翻译： 提供了将掺杂剂离子注入集成电路的方法。 该方法包括在衬底中形成第一像素和第二像素，在衬底上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层上方形成硬掩模层，图案化硬掩模层以包括第一像素与第二像素之间的开口 并且通过所述开口植入多个掺杂剂以形成隔离特征。

公开(公告)号：US08981510B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US12794101

申请日：2010-06-04

申请人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Keng-Yu Chou ,  Wen-De Wang ,  Pao-Tung Chen

发明人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Keng-Yu Chou ,  Wen-De Wang ,  Pao-Tung Chen

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： Provided is an image sensor device. The image sensor device includes a substrate having a front side and a back side. The image sensor includes first and second radiation-detection devices that are disposed in the substrate. The first and second radiation-detection devices are operable to detect radiation waves that enter the substrate through the back side. The image sensor also includes an anti-reflective coating (ARC) layer. The ARC layer is disposed over the back side of the substrate. The ARC layer has first and second ridges that are disposed over the first and second radiation-detection devices, respectively. The first and second ridges each have a first refractive index value. The first and second ridges are separated by a substance having a second refractive index value that is less than the first refractive index value.

摘要翻译： 提供了一种图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有正面和背面的基板。 图像传感器包括设置在基板中的第一和第二放射线检测装置。 第一和第二放射线检测装置可操作以检测通过背面进入衬底的辐射波。 图像传感器还包括抗反射涂层（ARC）层。 ARC层设置在基板的背面上。 ARC层具有分别设置在第一和第二辐射检测装置上的第一和第二脊。 第一和第二脊各自具有第一折射率值。 第一和第二脊由具有小于第一折射率值的第二折射率值的物质分开。

公开(公告)号：US08531565B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US12710862

申请日：2010-02-23

申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

IPC分类号： H04N5/335 ,  H04N5/217

CPC分类号： H01L31/02005 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/18

摘要： An image sensor includes a semiconductor substrate, a guard ring structure in the substrate, and at least one pixel surrounded by the guard ring structure. The guard ring structure is implanted in the substrate by high-energy implantation.

摘要翻译： 图像传感器包括半导体衬底，衬底中的保护环结构和由保护环结构包围的至少一个像素。 保护环结构通过高能量注入植入衬底。

公开(公告)号：US08202791B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12404852

申请日：2009-03-16

申请人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Wen-De Wang

发明人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Wen-De Wang

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/66537

摘要： A method for fabricating an integrated circuit device is disclosed. The method includes providing a substrate; forming a first hard mask layer over the substrate; patterning the first hard mask layer to form one or more first openings having a first critical dimension; performing a first implantation process on the substrate; forming a second hard mask layer over the first hard mask layer to form one or more second openings having a second critical dimension; and performing a second implantation process.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的方法。 该方法包括提供基板; 在衬底上形成第一硬掩模层; 图案化第一硬掩模层以形成具有第一临界尺寸的一个或多个第一开口; 在所述基板上执行第一注入工艺; 在所述第一硬掩模层上形成第二硬掩模层以形成具有第二临界尺寸的一个或多个第二开口; 以及执行第二植入过程。

公开(公告)号：US20100243868A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12415580

申请日：2009-03-31

申请人： Han-Chi Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

发明人： Han-Chi Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  B32B37/02

CPC分类号： H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02165

摘要： Provided is an image sensor device. The image sensor device includes a device substrate having a front side and a back side. The device substrate has a radiation-sensing region that can sense radiation that has a corresponding wavelength. The image sensor also includes a first layer formed over the front side of the device substrate. The first layer has a first refractive index and a first thickness that is a function of the first refractive index. The image sensor also has a second layer formed over the first layer. The second layer is different from the first layer and has a second refractive index and a second thickness that is a function of the second refractive index.

摘要翻译： 提供了一种图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有正面和背面的装置基板。 器件衬底具有可以感测具有相应波长的辐射的辐射感测区域。 图像传感器还包括形成在器件衬底的前侧上的第一层。 第一层具有第一折射率和第一折射率的函数的第一厚度。 图像传感器还具有形成在第一层上的第二层。 第二层与第一层不同，具有第二折射率和第二折射率的函数的第二厚度。

公开(公告)号：US20100181283A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12356968

申请日：2009-01-21

申请人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Jyh-Ming Hung ,  Pao-Tung Chen

发明人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Jyh-Ming Hung ,  Pao-Tung Chen

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105

摘要： A method for fabricating a semiconductor device with improved bonding ability is disclosed. The method comprises providing a substrate having a front surface and a back surface; forming one or more sensor elements on the front surface of the substrate; forming one or more metallization layers over the front surface of the substrate, wherein forming a first metallization layer comprises forming a first conductive layer over the front surface of the substrate; removing the first conductive layer from a first region of the substrate; forming a second conductive layer over the front surface of the substrate; and removing portions of the second conductive layer from the first region and a second region of the substrate, wherein the first metallization layer in the first region comprises the second conductive layer and the first metallization layer in the second region comprises the first conductive layer and the second conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种制造具有改进的接合能力的半导体器件的方法。 该方法包括提供具有前表面和后表面的基底; 在所述基板的前表面上形成一个或多个传感器元件; 在衬底的前表面上形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上形成第一导电层; 从所述衬底的第一区域去除所述第一导电层; 在所述基板的前表面上形成第二导电层; 以及从所述第一区域和所述衬底的第二区域去除所述第二导电层的部分，其中所述第一区域中的所述第一金属化层包括所述第二导电层，并且所述第二区域中的所述第一金属化层包括所述第一导电层和 第二导电层。

公开(公告)号：US08674467B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13545450

申请日：2012-07-10

申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

摘要： Provided is a method of fabricating an image sensor device. The method includes providing a device substrate having a front side and a back side. The method includes forming first and second radiation-sensing regions in the device substrate, the first and second radiation-sensing regions being separated by an isolation structure. The method also includes forming a transparent layer over the back side of the device substrate. The method further includes forming an opening in the transparent layer, the opening being aligned with the isolation structure. The method also includes filling the opening with an opaque material.

摘要翻译： 提供了一种制造图像传感器装置的方法。 该方法包括提供具有前侧和后侧的装置基板。 该方法包括在器件衬底中形成第一和第二辐射感测区域，第一和第二辐射感测区域由隔离结构隔开。 该方法还包括在器件衬底的背面上形成透明层。 该方法还包括在透明层中形成开口，该开口与隔离结构对准。 该方法还包括用不透明材料填充开口。

公开(公告)号：US20120273914A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13545450

申请日：2012-07-10

申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Chun-Chieh Chuang ,  Jeng-Shyan Lin

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

摘要： Provided is a method of fabricating an image sensor device. The method includes providing a device substrate having a front side and a back side. The method includes forming first and second radiation-sensing regions in the device substrate, the first and second radiation-sensing regions being separated by an isolation structure. The method also includes forming a transparent layer over the back side of the device substrate. The method further includes forming an opening in the transparent layer, the opening being aligned with the isolation structure. The method also includes filling the opening with an opaque material.

摘要翻译： 提供了一种制造图像传感器装置的方法。 该方法包括提供具有前侧和后侧的装置基板。 该方法包括在器件衬底中形成第一和第二辐射感测区域，第一和第二辐射感测区域由隔离结构隔开。 该方法还包括在器件衬底的背面上形成透明层。 该方法还包括在透明层中形成开口，该开口与隔离结构对准。 该方法还包括用不透明材料填充开口。

公开(公告)号：US20100233871A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12404852

申请日：2009-03-16

申请人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Wen-De Wang

发明人： Chun-Chieh Chuang ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Wen-De Wang

IPC分类号： H01L21/266

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/66537

摘要： A method for fabricating an integrated circuit device is disclosed. The method includes providing a substrate; forming a first hard mask layer over the substrate; patterning the first hard mask layer to form one or more first openings having a first critical dimension; performing a first implantation process on the substrate; forming a second hard mask layer over the first hard mask layer to form one or more second openings having a second critical dimension; and performing a second implantation process.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的方法。 该方法包括提供基板; 在衬底上形成第一硬掩模层; 图案化第一硬掩模层以形成具有第一临界尺寸的一个或多个第一开口; 在所述基板上执行第一注入工艺; 在所述第一硬掩模层上形成第二硬掩模层以形成具有第二临界尺寸的一个或多个第二开口; 以及执行第二植入过程。

公开(公告)号：US08604405B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US12415580

申请日：2009-03-31

申请人： Han-Chi Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

发明人： Han-Chi Liu ,  Jeng-Shyan Lin ,  Dun-Nian Yaung ,  Jen-Cheng Liu ,  Wen-De Wang ,  Chun-Chieh Chuang

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01J40/14

CPC分类号： H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02165

摘要： Provided is an image sensor device. The image sensor device includes a device substrate having a front side and a back side. The device substrate has a radiation-sensing region that can sense radiation that has a corresponding wavelength. The image sensor also includes a first layer formed over the front side of the device substrate. The first layer has a first refractive index and a first thickness that is a function of the first refractive index. The image sensor also has a second layer formed over the first layer. The second layer is different from the first layer and has a second refractive index and a second thickness that is a function of the second refractive index.

摘要翻译： 提供了一种图像传感器装置。 图像传感器装置包括具有正面和背面的装置基板。 器件衬底具有可以感测具有相应波长的辐射的辐射感测区域。 图像传感器还包括形成在器件衬底的前侧上的第一层。 第一层具有第一折射率和第一折射率的函数的第一厚度。 图像传感器还具有形成在第一层上的第二层。 第二层与第一层不同，具有第二折射率和第二折射率的函数的第二厚度。