公开(公告)号：US20110272664A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13139602

申请日：2010-01-08

申请人： Munehiro Tada ,  Toshitsugu Sakamoto ,  Hiromitsu Hada ,  Naoki Banno

发明人： Munehiro Tada ,  Toshitsugu Sakamoto ,  Hiromitsu Hada ,  Naoki Banno

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/101 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor substrate; a multilevel wiring layer structure on the semiconductor substrate; and a variable resistance element in the multilevel wiring layer structure, wherein the variable resistance element comprises a variable resistance element film whose resistance changes between a top electrode and a bottom electrode, wherein the multilevel wiring layer structure comprises at least a wiring electrically connected to the bottom electrode and a plug electrically connected to the top electrode, and wherein the wiring also serves as the bottom electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底; 半导体衬底上的多层布线层结构; 以及所述多层布线层结构中的可变电阻元件，其中所述可变电阻元件包括电阻在顶部电极和底部电极之间变化的可变电阻元件膜，其中所述多层布线层结构至少包括与 底部电极和电连接到顶部电极的插头，并且其中布线也用作底部电极。

公开(公告)号：US08816312B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13824098

申请日：2011-09-20

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A semiconductor device according to the present invention includes: an unit element which includes a first switch and a second switch, wherein each of the first switch and the second switch includes an electrical resistance changing layer whose state of electrical resistance is changed according to a polarity of an applied voltage, and each of the first switch and the second switch has two electrodes, and wherein one electrode of the first switch and one electrode of the second switch are connected each other to form a common node, and the other electrode of the first switch forms a first node, and the other electrode of the second switch forms a second node; a first wiring which is connected with the first node and forms a signal transmission line; and a second wiring which is connected with the second node and is connected with the first wiring through the unit element.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件包括：单元，其包括第一开关和第二开关，其中第一开关和第二开关中的每一个包括电阻变化层，其电阻状态根据极性而改变 并且第一开关和第二开关中的每一个具有两个电极，并且其中第一开关的一个电极和第二开关的一个电极彼此连接以形成公共节点，而另一个电极 第一开关构成第一节点，第二开关的另一个电极形成第二节点; 第一布线，与第一节点连接并形成信号传输线; 以及与第二节点连接并且通过单元元件与第一布线连接的第二布线。

公开(公告)号：US20130092895A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13704225

申请日：2011-06-09

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L27/24

CPC分类号： H01L27/2436 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146

摘要： A semiconductor device includes a first switching element, a second switching element, and at least one third switching element; wherein the third switching element includes a first terminal and a second terminal, wherein each of the first switching element and the second switching element includes an ion conductor, a first electrode which is disposed so as to have contact with the ion conductor and supplies metal ions to the ion conductor, and a second electrode which is disposed so as to have contact with the ion conductor and is less susceptible to ionization than the first electrode; and wherein (a) the first electrode of the first switching element and the first electrode of the second switching element are electrically connected each other, and the first terminal of the third switching element is electrically connected to only the first electrodes which are electrically connected each other or (b) the second electrode of the first switching element and the second electrode of the second switching element are electrically connected each other, and the first terminal of the third switching element is electrically connected to only the second electrodes which are electrically connected each other.

摘要翻译： 半导体器件包括第一开关元件，第二开关元件和至少一个第三开关元件; 其中所述第三开关元件包括第一端子和第二端子，其中所述第一开关元件和所述第二开关元件中的每一个包括离子导体，所述第一电极被设置为与所述离子导体接触并提供金属离子 以及第二电极，其设置成与离子导体接触并且比第一电极不易电离; 并且其中（a）第一开关元件的第一电极和第二开关元件的第一电极彼此电连接，并且第三开关元件的第一端子仅电连接到每个电连接的第一电极 另一个或（b）第一开关元件的第二电极和第二开关元件的第二电极彼此电连接，并且第三开关元件的第一端子仅电连接到每个电连接的第二电极 其他。

公开(公告)号：US20130082231A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13704223

申请日：2011-06-14

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes multilayer interconnects and two variable resistance elements (22a, 22b) that are provided among the multilayer interconnects and that include first electrodes (5), second electrodes (10a, 10b), and variable resistance element films (9a, 9b) that are each interposed between first electrodes (5) and respective second electrodes (10a, 10b). Either the first electrodes (5) or the second electrodes (10a, 10b) of the two variable resistance elements (22a, 22b) are unified.

摘要翻译： 半导体器件包括多层互连和设置在多层互连之间的两个可变电阻元件（22a，22b），它们包括第一电极（5），第二电极（10a，10b）和可变电阻元件膜（9a，9b） 每个插入在第一电极（5）和相应的第二电极（10a，10b）之间。 两个可变电阻元件（22a，22b）的第一电极（5）或第二电极（10a，10b）是一体的。

公开(公告)号：US08536629B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13202687

申请日：2010-01-14

申请人： Munehiro Tada ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76254 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device, includes: forming an insulating film containing silicon, oxygen and carbon on at least one of a first substrate and a second substrate; and bonding the first substrate and the second substrate together, with the insulating film interposed therebetween. There can be provided a method capable of manufacturing a semiconductor device having high element density, high performance and high reliability, with high yield.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括：在第一衬底和第二衬底中的至少一个上形成含有硅，氧和碳的绝缘膜; 以及将所述第一基板和所述第二基板接合在一起，并且所述绝缘膜插入其间。 可以提供能够以高产率制造元件密度高，性能高，可靠性高的半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20110298021A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13202687

申请日：2010-01-14

申请人： Munehiro Tada ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76254 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device, includes: forming an insulating film containing silicon, oxygen and carbon on at least one of a first substrate and a second substrate; and bonding the first substrate and the second substrate together, with the insulating film interposed therebetween. There can be provided a method capable of manufacturing a semiconductor device having high element density, high performance and high reliability, with high yield.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括：在第一衬底和第二衬底中的至少一个上形成含有硅，氧和碳的绝缘膜; 以及将所述第一基板和所述第二基板接合在一起，并且所述绝缘膜插入其间。 可以提供能够以高产率制造元件密度高，性能高，可靠性高的半导体器件的方法。

公开(公告)号：US09029825B2

公开(公告)日：2015-05-12

申请号：US13704223

申请日：2011-06-14

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L23/532 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1253 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes multilayer interconnects and two variable resistance elements (22a, 22b) that are provided among the multilayer interconnects and that include first electrodes (5), second electrodes (10a, 10b), and variable resistance element films (9a, 9b) that are each interposed between first electrodes (5) and respective second electrodes (10a, 10b). Either the first electrodes (5) or the second electrodes (10a, 10b) of the two variable resistance elements (22a, 22b) are unified.

摘要翻译： 半导体器件包括多层互连和设置在多层互连之间的两个可变电阻元件（22a，22b），它们包括第一电极（5），第二电极（10a，10b）和可变电阻元件膜（9a，9b） 每个插入在第一电极（5）和相应的第二电极（10a，10b）之间。 两个可变电阻元件（22a，22b）的第一电极（5）或第二电极（10a，10b）是一体的。

公开(公告)号：US09059082B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13704225

申请日：2011-06-09

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146

摘要： A semiconductor device includes a first switching element, a second switching element, and at least one third switching element; wherein the third switching element includes a first terminal and a second terminal, wherein each of the first switching element and the second switching element includes an ion conductor, a first electrode which is disposed so as to have contact with the ion conductor and supplies metal ions to the ion conductor, and a second electrode which is disposed so as to have contact with the ion conductor and is less susceptible to ionization than the first electrode; and wherein (a) the first electrode of the first switching element and the first electrode of the second switching element are electrically connected each other, and the first terminal of the third switching element is electrically connected to only the first electrodes which are electrically connected each other or (b) the second electrode of the first switching element and the second electrode of the second switching element are electrically connected each other, and the first terminal of the third switching element is electrically connected to only the second electrodes which are electrically connected each other.

摘要翻译： 半导体器件包括第一开关元件，第二开关元件和至少一个第三开关元件; 其中所述第三开关元件包括第一端子和第二端子，其中所述第一开关元件和所述第二开关元件中的每一个包括离子导体，所述第一电极被设置为与所述离子导体接触并提供金属离子 以及第二电极，其设置成与离子导体接触并且比第一电极不易电离; 并且其中（a）第一开关元件的第一电极和第二开关元件的第一电极彼此电连接，并且第三开关元件的第一端子仅电连接到每个电连接的第一电极 另一个或（b）第一开关元件的第二电极和第二开关元件的第二电极彼此电连接，并且第三开关元件的第一端子仅电连接到每个电连接的第二电极 其他。

公开(公告)号：US20130181180A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13824098

申请日：2011-09-20

申请人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

发明人： Munehiro Tada ,  Makoto Miyamura ,  Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A semiconductor device according to the present invention includes: an unit element which includes a first switch and a second switch, wherein each of the first switch and the second switch includes an electrical resistance changing layer whose state of electrical resistance is changed according to a polarity of an applied voltage, and each of the first switch and the second switch has two electrodes, and wherein one electrode of the first switch and one electrode of the second switch are connected each other to form a common node, and the other electrode of the first switch forms a first node, and the other electrode of the second switch forms a second node; a first wiring which is connected with the first node and forms a signal transmission line; and a second wiring which is connected with the second node and is connected with the first wiring through the unit element.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件包括：单元，其包括第一开关和第二开关，其中第一开关和第二开关中的每一个包括电阻变化层，其电阻状态根据极性而改变 并且第一开关和第二开关中的每一个具有两个电极，并且其中第一开关的一个电极和第二开关的一个电极彼此连接以形成公共节点，而另一个电极 第一开关构成第一节点，第二开关的另一个电极形成第二节点; 第一布线，与第一节点连接并形成信号传输线; 以及与第二节点连接并且通过单元元件与第一布线连接的第二布线。

公开(公告)号：US5930675A

公开(公告)日：1999-07-27

申请号：US632908

申请日：1996-04-16

申请人： Hiromitsu Hada

发明人： Hiromitsu Hada

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28525 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

摘要： A natural oxide on an amorphous silicon exposed to a miniature contact hole is thermally decomposed in vacuum and an amorphous silicon is grown on the amorphous silicon without exposing to the atmosphere; the amorphous silicon is applied with heat so as to be epitaxially grown on a single crystal silicon beneath the amorphous silicon, thereby forming a conductive plug in the miniature contact hole.

摘要翻译： 暴露于微型接触孔的非晶硅上的自然氧化物在真空中热分解，非晶硅生长在非晶硅上而不暴露于大气中; 将非晶硅施加热量，以便在非晶硅之下的单晶硅上外延生长，从而在微型接触孔中形成导电插塞。