公开(公告)号：US07244803B2

公开(公告)日：2007-07-17

申请号：US10609453

申请日：2003-06-27

申请人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Anna Maltenberger ,  Klaus Lowack ,  Marcus Halik

发明人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Anna Maltenberger ,  Klaus Lowack ,  Marcus Halik

IPC分类号： C08G63/44 ,  C08G73/22

CPC分类号： C08G69/265 ,  C08G69/26 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31721

摘要： A dielectric for aluminum and copper metalizations is stable at high temperatures. Surprisingly, in spite of the elimination of water during the cyclization, the polymeric dielectrics are very suitable for filling narrow trenches. The filled trenches exhibit no defects and bubbles or cracks. The polybenzoxazoles have dielectric constants of k≦2.7 and are suitable as an electrical insulator. Furthermore, these materials adhere very well on all surfaces relevant for micro-electronics.

摘要翻译： 用于铝和铜金属化的电介质在高温下是稳定的。 令人惊奇的是，尽管在环化过程中消除了水，但聚合物电介质非常适用于填充窄沟槽。 填充的沟槽没有表现出缺陷和气泡或裂缝。 聚苯并恶唑的介电常数k <= 2.7，适合作为电绝缘体。 此外，这些材料在与微电子相关的所有表面上都很好地粘附。

公开(公告)号：US06900284B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10261034

申请日：2002-09-30

申请人： Klaus Lowack ,  Anna Maltenberger ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

发明人： Klaus Lowack ,  Anna Maltenberger ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

IPC分类号： C08G73/00 ,  C08G73/10 ,  C09D5/25 ,  H01B3/30 ,  H01L21/312 ,  H01L23/532 ,  C08G73/22 ,  C08G69/00

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G73/00 ,  C08G73/10 ,  H01B3/305 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： Poly-o-hydroxyamides are cyclicized to obtain polybenzoxazoles. The poly-o-hydroxyamides provide effective filling of trenches. In particular, the poly-o-hydroxyamides can fill trenches having a width of less than 100 nm and an aspect ratio of more than 4. Further, the polybenzoxazoles of the invention are very suitable for the damascene process. A dielectric can be made from the polybenzoxazole. In turn, semiconductor devices can include the dieletric. Processes for making the poly-o-hydroxyamides, polybenzoxazoles, and semiconductor devices are included.

摘要翻译： 环氧化聚邻羟基酰胺得到聚苯并恶唑。 聚邻羟基酰胺提供有效填充沟槽。 特别地，聚邻羟基酰胺可以填充宽度小于100nm，纵横比大于4的沟槽。此外，本发明的聚苯并恶唑非常适用于镶嵌工艺。 电介质可以由聚苯并恶唑制成。 反过来，半导体器件可以包括消毒的。 包括制备聚邻羟基酰胺，聚苯并恶唑和半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20060214139A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11439455

申请日：2006-05-23

申请人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Klaus Lowack ,  Anna Maltenberger ,  Robert Banfic

发明人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Klaus Lowack ,  Anna Maltenberger ,  Robert Banfic

IPC分类号： H01B3/20 ,  C08G69/26 ,  B32B27/00

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08G69/26 ,  C08G69/44 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0346 ,  H01L2924/00

摘要： Poly-o-hydroxyamides include binaphthyl substituents as repeating units. The poly-o-hydroxyamides can be cyclized to give the polybenzoxazole by heating. Pore formation occurs, so that a dielectric having a very low dielectric constant k of less than 2.5 is obtained.

摘要翻译： 聚邻羟基酰胺包括作为重复单元的联萘基取代基。 可以将聚邻羟基酰胺环化，通过加热得到聚苯并恶唑。 发生孔形成，从而获得具有小于2.5的非常低的介电常数k的电介质。

公开(公告)号：US06861560B2

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：US10609456

申请日：2003-06-27

申请人： Andreas Walter ,  Ingo Gnüchtel ,  Anna Maltenberger ,  Recai Sezi ,  Horst Hartmann

发明人： Andreas Walter ,  Ingo Gnüchtel ,  Anna Maltenberger ,  Recai Sezi ,  Horst Hartmann

IPC分类号： C07C215/82 ,  C07B61/00 ,  C07C213/02 ,  C07C215/80 ,  C07C217/90 ,  C07C211/54 ,  C07C211/55

CPC分类号： C07C217/90 ,  C07C215/80 ,  C07C2603/24

摘要： A bis-o-aminophenol has a formula I These bis-o-aminophenols permit the preparation of polybenzoxazoles stabilized at high temperatures. The bis-o-aminophenols are preferably prepared from the corresponding diols, which are first nitrosated. The nitroso compound is then reduced to the amino compound by hydrogenation with Pd/C and H2.

摘要翻译： 双邻氨基苯酚具有配方。这种双邻氨基苯酚允许制备在高温下稳定的聚苯并恶唑。 双邻氨基苯酚优选由相应的二醇制备，其首先被亚硝化。 然后通过用Pd / C和H 2氢化将亚硝基化合物还原成氨基化合物。

公开(公告)号：US06806344B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10609460

申请日：2003-06-27

申请人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Anna Maltenberger ,  Klaus Lowack

发明人： Recai Sezi ,  Andreas Walter ,  Anna Maltenberger ,  Klaus Lowack

IPC分类号： C08G7322

CPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/26 ,  C08G69/265 ,  C08G69/32 ,  H01B3/441 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801

摘要： Novel poly-o-hydroxyamides can be cyclized to give polybenzoxazoles which have a good diffusion barrier effect with respect to metals. The poly-o-hydroxyamides can be applied to a semiconductor substrate by customary techniques and converted into the polybenzoxazole in a simple manner by heating. This results in a good barrier layer with respect to diffusion of metals. This allows the diffusion barrier between conductor track and dielectric to be substantially dispensed.

摘要翻译： 可以使新的聚邻羟基酰胺环化，得到相对于金属具有良好扩散阻挡作用的聚苯并恶唑。 聚邻羟基酰胺可以通过常规技术应用于半导体衬底，并通过加热以简单的方式转化成聚苯并恶唑。 这导致相对于金属扩散的良好的阻挡层。 这允许基本上分配导体轨道和电介质之间的扩散阻挡层。

公开(公告)号：US20070242496A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11737236

申请日：2007-04-19

申请人： Kurt Hoffmann ,  Christine Dehm ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

发明人： Kurt Hoffmann ,  Christine Dehm ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0019 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79

摘要： A memory arrangement includes: a first line for applying a reference voltage, a second line for applying an operating voltage, and a plurality of resistive memory elements, each element includes a resistive memory cell and a MOS memory cell selection transistor. A NOR memory arrangement is configured with each memory element including the resistive memory cell and selection transistor connected in series with the transistor connected to the first line, and the memory cell connected to the second line. A NAND memory arrangement is configured with a series of resistive memory elements forming a chain with each memory element including the resistive memory cell and selection transistor connected in parallel. The chain is connected to the first line disposed on a side of the memory cells facing the selection transistors and the second line disposed on a side of the memory cells which is remote from the selection transistors.

摘要翻译： 存储器装置包括：用于施加参考电压的第一线，用于施加工作电压的第二线和多个电阻性存储器元件，每个元件包括电阻存储器单元和MOS存储单元选择晶体管。 NOR存储器配置配置有每个存储器元件，其包括与连接到第一线路的晶体管串联连接的电阻存储器单元和选择晶体管，以及连接到第二线路的存储器单元。 NAND存储器配置配置有一系列形成链的电阻存储元件，每个存储元件包括并联连接的电阻存储单元和选择晶体管。 链条连接到布置在面向选择晶体管的存储单元的一侧上的第一行，而第二行设置在远离选择晶体管的存储单元的一侧。

公开(公告)号：US07746683B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11737236

申请日：2007-04-19

申请人： Kurt Hoffmann ,  Christine Dehm ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

发明人： Kurt Hoffmann ,  Christine Dehm ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0019 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79

摘要： A memory arrangement includes: a first line for applying a reference voltage, a second line for applying an operating voltage, and a plurality of resistive memory elements, each element includes a resistive memory cell and a MOS memory cell selection transistor. A NOR memory arrangement is configured with each memory element including the resistive memory cell and selection transistor connected in series with the transistor connected to the first line, and the memory cell connected to the second line. A NAND memory arrangement is configured with a series of resistive memory elements forming a chain with each memory element including the resistive memory cell and selection transistor connected in parallel. The chain is connected to the first line disposed on a side of the memory cells facing the selection transistors and the second line disposed on a side of the memory cells which is remote from the selection transistors.

摘要翻译： 存储器装置包括：用于施加参考电压的第一线，用于施加工作电压的第二线和多个电阻性存储器元件，每个元件包括电阻存储器单元和MOS存储单元选择晶体管。 NOR存储器配置配置有每个存储器元件，其包括与连接到第一线路的晶体管串联连接的电阻存储器单元和选择晶体管，以及连接到第二线路的存储器单元。 NAND存储器配置配置有一系列形成链的电阻存储元件，每个存储元件包括并联连接的电阻存储单元和选择晶体管。 链条连接到布置在面向选择晶体管的存储单元的一侧上的第一行，而第二行设置在远离选择晶体管的存储单元的一侧。

公开(公告)号：US07064176B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10472772

申请日：2002-03-28

申请人： Marcus Halik ,  Klaus Lowack ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

发明人： Marcus Halik ,  Klaus Lowack ,  Recai Sezi ,  Andreas Walter

IPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/00

CPC分类号： H01B3/305 ,  C08G69/26 ,  C08G69/265 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22

摘要： The invention relates to novel polyhydroxyamide compounds that, in the form of their oxazoles, ane suited as a coating material, particularly for electronic components. The invention also relates to a method for producing these novel compounds and to the use thereof.

摘要翻译： 本发明涉及新颖的聚羟基酰胺化合物，其以其恶唑的形式，适合作为涂料，特别是电子组件。 本发明还涉及这些新化合物的制备方法及其用途。

公开(公告)号：US20050203269A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11016900

申请日：2004-12-21

申请人： Andreas Walter ,  Recai Sezi

发明人： Andreas Walter ,  Recai Sezi

IPC分类号： C07C51/09 ,  C07C51/245 ,  C07C51/60 ,  C07C63/46 ,  C07C65/24 ,  C07C65/26 ,  C07D493/10 ,  C08G63/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： C08G63/02 ,  C07C51/09 ,  C07C51/245 ,  C07C51/60 ,  C07C63/46 ,  C07C65/24 ,  C07C65/26 ,  C07C2603/74 ,  C07D493/10 ,  H01L21/44 ,  C07C63/44

摘要： Novel dicarboxylic acids are described herein that are suitable for the preparation of high-temperature-stable polymers, which are particularly useful in forming suitable dielectrics in microelectronics.

摘要翻译： 本文描述了适用于制备高温稳定聚合物的新型二羧酸，其特别可用于在微电子学中形成合适的电介质。

公开(公告)号：US07052936B2

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10208397

申请日：2002-07-30

申请人： Andreas Walter ,  Recai Sezi

发明人： Andreas Walter ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： C09J179/06

摘要： The present invention describes the use of polybenzoxazoles (PBOs) for adhesively bonding articles or materials, especially components used in the semiconductor industry, such as chips and wafers, a process for adhesively bonding materials, especially chips and wafers, chip and/or wafer stacks produced by the process, and adhesive compositions which comprise the polybenzoxazoles of the formula (I).