公开(公告)号：US20050116216A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US11014677

申请日：2004-12-16

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US20060289854A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11463633

申请日：2006-08-10

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US07106090B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US11014677

申请日：2004-12-16

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a）具有第一 提供具有与第一电子能量相比较高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的电子能量和阻挡层（6b），然后在生长方向上通过辐射活性量子阱 层（6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US07556974B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11463633

申请日：2006-08-10

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimar

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jurgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimar

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers comprising various types of semiconductor layers are alternately layered, in which device well layers (6a) of a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and barrier layers (6b) of a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison with the first electron energy are provided, followed, seen in the direction of growth, by a radiation-active quantum well layer (6c), for which the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b) arranged in front form a superlattice.

摘要翻译： 具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和阻挡层交替层叠，其中基于具有第一电子的氮化物半导体材料的第一组合物的器件阱层（6a） 提供具有与第一电子能量相比更高的电子能量的氮化物半导体材料的第二组合物的能量和势垒层（6b），然后通过辐射活性量子阱层（在生长方向上） 6c），其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US06849881B1

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US09913394

申请日：2000-11-20

申请人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jürgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

发明人： Volker Harle ,  Berthold Hahn ,  Hans-Jürgen Lugauer ,  Helmut Bolay ,  Stefan Bader ,  Dominik Eisert ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder ,  Alfred Lell ,  Andreas Weimer

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L32/26

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3408 ,  H01S5/34333

摘要： An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, is set out in which well layers and barrier layers, comprising various types of semiconductor layers, are alternately layered. The device well layers comprise a first composition based on a nitride semiconductor material with a first electron energy. The barrier layers comprise a second composition of a nitride semiconductor material with electron energy which is higher in comparison to the first electron energy. The well and barrier layers are in the direction of growth, by a radiation-active quatum well layer which with the essentially non-radiating well layers (6a) and the barrier layers (6b), arranged in front, form a supperlattice.

摘要翻译： 提出了具有多量子阱结构的光半导体器件，其中包括各种类型的半导体层的阱层和势垒层交替层叠。 器件阱层包括基于具有第一电子能的氮化物半导体材料的第一组合物。 阻挡层包括氮化物半导体材料的第二组合物，其电子能量与第一电子能量相比较高。 井和阻挡层沿生长方向通过辐射活性层的井层，其中布置在前面的基本上不辐射的阱层（6a）和阻挡层（6b）形成超晶格。

公开(公告)号：US09525399B2

公开(公告)日：2016-12-20

申请号：US13286038

申请日：2011-10-31

申请人： Dariusz Burak ,  Phil Nikkel ,  John Choy ,  Alexandre Shirakawa ,  Stefan Bader

发明人： Dariusz Burak ,  Phil Nikkel ,  John Choy ,  Alexandre Shirakawa ,  Stefan Bader

IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC分类号： H03H9/173

摘要： In a representative embodiment, a bulk acoustic wave (BAW) resonator, comprises: a cavity disposed in a substrate; a first electrode disposed over the cavity; a planarization layer disposed adjacent to the first electrode; a piezoelectric layer disposed over the first electrode; and a second electrode disposed over the piezoelectric layer.

摘要翻译： 在代表性实施例中，体声波（BAW）谐振器包括：设置在基板中的空腔; 设置在所述空腔上的第一电极; 与第一电极相邻设置的平坦化层; 设置在所述第一电极上的压电层; 以及设置在所述压电层上的第二电极。

公开(公告)号：US09136818B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13074262

申请日：2011-03-29

申请人： Dariusz Burak ,  Alexandre Shirakawa ,  Stefan Bader

发明人： Dariusz Burak ,  Alexandre Shirakawa ,  Stefan Bader

IPC分类号： H03H9/54 ,  H03H9/02 ,  H03H9/13 ,  H03H9/58

CPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/132 ,  H03H9/585

摘要： In accordance with a representative embodiment, a bulk acoustic wave (BAW) resonator structure, comprises: a first electrode disposed over a substrate; a first piezoelectric layer disposed over the first electrode; a second electrode disposed over the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer disposed over the second electrode; a third electrode disposed over the second piezoelectric layer; and a bridge disposed between the first electrode and the third electrode.

摘要翻译： 根据代表性实施例，体声波（BAW）谐振器结构包括：设置在基板上的第一电极; 设置在所述第一电极上的第一压电层; 设置在所述第一压电层上的第二电极; 设置在所述第二电极上的第二压电层; 设置在所述第二压电层上的第三电极; 以及设置在所述第一电极和所述第三电极之间的桥。

公开(公告)号：US20050104083A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US11017615

申请日：2004-12-20

申请人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer

发明人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L29/24

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating a radiation-emitting semiconductor chip having a thin-film element based on III-V nitride semiconductor material includes the steps of depositing a layer sequence of a thin-film element on an epitaxy substrate. The thin-film element is joined to a carrier, and the epitaxy substrate is removed from the thin-film element. The epitaxy substrate has a substrate body made from PolySiC or PolyGaN or from SiC, GaN or sapphire, which is joined to a grown-on layer by a bonding layer, and on which the layer sequence of the thin-film element is deposited by epitaxy.

摘要翻译： 一种制造具有基于III-V族氮化物半导体材料的薄膜元件的辐射发射半导体芯片的方法包括以下步骤：在外延衬底上沉积薄膜元件层序列。 将薄膜元件接合到载体上，并且将外延基板从薄膜元件移除。 外延衬底具有由PolySiC或PolyGaN制成的衬底主体或由SiC，GaN或蓝宝石构成的衬底主体，其通过结合层连接到生长层上，并且通过外延沉积薄膜元件的层序列 。

公开(公告)号：US08426843B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12680620

申请日：2008-08-28

申请人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

发明人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L33/30

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Described is a radiation-emitting semiconductor body (1) with an active layer (2) for generation of radiation of a first wavelength (λ1) and a reemission layer (3) which comprises a quantum well structure (4) comprising a quantum layer structure (5) and a barrier layer structure (6). The reemission layer is intended for generation of incoherent radiation of a second wavelength (λ2) by absorption of the radiation of the first wavelength in the barrier layer structure.

摘要翻译： 描述了具有用于产生第一波长（λ1）和再发射层（3）的辐射的有源层（2）的辐射发射半导体本体（1），其包括量子阱结构（4），其包括量子层结构 （5）和阻挡层结构（6）。 再发射层旨在通过吸收势垒层结构中的第一波长的辐射来产生第二波长（λ2）的非相干辐射。

公开(公告)号：US20120248941A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13074094

申请日：2011-03-29

申请人： Alexandre Augusto Shirakawa ,  Paul Bradley ,  Dariusz Burak ,  Stefan Bader ,  Chris Feng

发明人： Alexandre Augusto Shirakawa ,  Paul Bradley ,  Dariusz Burak ,  Stefan Bader ,  Chris Feng

IPC分类号： H03H9/17 ,  H01L41/047

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/132 ,  H03H9/585 ,  H03H2003/0428

摘要： A stacked bulk acoustic resonator includes a first piezoelectric layer stacked on a first electrode, a second electrode stacked on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer stacked on the second electrode, and a third electrode stacked on the second piezoelectric layer. The stacked bulk acoustic resonator includes further includes an inner raised region formed in an inner portion on a surface of at least one of the first, second and third electrodes, and an outer raised region formed along an outer perimeter on the surface of the at least one of the first, second or third electrodes. The outer raised region surrounds the inner raised region and defines a gap between the inner raised region and the outer raised region.

摘要翻译： 层叠的体声波谐振器包括堆叠在第一电极上的第一压电层，堆叠在第一压电层上的第二电极; 堆叠在第二电极上的第二压电层和堆叠在第二压电层上的第三电极。 所述层叠的体声波谐振器还包括形成在所述第一，第二和第三电极中的至少一个的表面上的内部部分中的内部凸起区域，以及沿所述至少一个表面上的外周边形成的外部凸起区域 第一，第二或第三电极之一。 外部凸起区域围绕内部凸起区域并且在内部升高区域和外部凸起区域之间限定间隙。