公开(公告)号：US08426843B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12680620

申请日：2008-08-28

申请人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

发明人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L33/30

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Described is a radiation-emitting semiconductor body (1) with an active layer (2) for generation of radiation of a first wavelength (λ1) and a reemission layer (3) which comprises a quantum well structure (4) comprising a quantum layer structure (5) and a barrier layer structure (6). The reemission layer is intended for generation of incoherent radiation of a second wavelength (λ2) by absorption of the radiation of the first wavelength in the barrier layer structure.

摘要翻译： 描述了具有用于产生第一波长（λ1）和再发射层（3）的辐射的有源层（2）的辐射发射半导体本体（1），其包括量子阱结构（4），其包括量子层结构 （5）和阻挡层结构（6）。 再发射层旨在通过吸收势垒层结构中的第一波长的辐射来产生第二波长（λ2）的非相干辐射。

公开(公告)号：US20100294957A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12680620

申请日：2008-08-28

申请人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

发明人： Tony Albrecht ,  Stefan Bader ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L33/30

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Described is a radiation-emitting semiconductor body (1) with an active layer (2) for generation of radiation of a first wavelength (λ1) and a reemission layer (3) which comprises a quantum well structure (4) comprising a quantum layer structure (5) and a barrier layer structure (6). The reemission layer is intended for generation of incoherent radiation of a second wavelength (λ2) by absorption of the radiation of the first wavelength in the barrier layer structure.

摘要翻译： 描述了具有用于产生第一波长（λ1）的辐射的有源层（2）和包括量子阱结构（4）的辐射发射半导体本体（1），所述量子阱结构（4）包括量子层结构 （5）和阻挡层结构（6）。 再发射层旨在通过吸收阻挡层结构中的第一波长的辐射来产生第二波长（λ2）的非相干辐射。

公开(公告)号：US08017953B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12158474

申请日：2006-11-21

申请人： Berthold Hahn ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht ,  Magnus Ahlstedt ,  Stefan Illek ,  Klaus Streubel

发明人： Berthold Hahn ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht ,  Magnus Ahlstedt ,  Stefan Illek ,  Klaus Streubel

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/42

摘要： An LED chip is specified that comprises at least one current barrier. The current barrier is suitable for selectively preventing or reducing, by means of a reduced current density, the generation of radiation in a region laterally covered by the electrical connector body. The current spreading layer contains at least one TCO (Transparent Conductive Oxide). In a particularly preferred embodiment, at least one current barrier is contained which comprises material of the epitaxial semiconductor layer sequence, material of the current spreading layer and/or an interface between the semiconductor layer sequence and the current spreading layer. A method for producing an LED chip is also specified.

摘要翻译： 指定包括至少一个电流屏障的LED芯片。 电流屏障适合于通过减小的电流密度选择性地防止或减少由电连接器主体横向覆盖的区域中的辐射的产生。 电流扩散层含有至少一种TCO（透明导电氧化物）。 在特别优选的实施例中，包含至少一个电流屏障，其包括外延半导体层序列的材料，电流扩展层的材料和/或半导体层序列和电流扩展层之间的界面。 还指定了用于制造LED芯片的方法。

公开(公告)号：US20090127580A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12158474

申请日：2006-11-21

申请人： Berthold Hahn ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht ,  Magnus Ahlstedt ,  Stefan Illek ,  Klaus Streubel

发明人： Berthold Hahn ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht ,  Magnus Ahlstedt ,  Stefan Illek ,  Klaus Streubel

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/42

摘要： An LED chip is specified that comprises at least one current barrier. The current barrier is suitable for selectively preventing or reducing, by means of a reduced current density, the generation of radiation in a region laterally covered by the electrical connector body. The current spreading layer contains at least one TCO (Transparent Conductive Oxide). In a particularly preferred embodiment, at least one current barrier is contained which comprises material of the epitaxial semiconductor layer sequence, material of the current spreading layer and/or an interface between the semiconductor layer sequence and the current spreading layer. A method for producing an LED chip is also specified.

摘要翻译： 指定包括至少一个电流屏障的LED芯片。 电流屏障适合于通过减小的电流密度选择性地防止或减少由电连接器主体横向覆盖的区域中的辐射的产生。 电流扩散层含有至少一种TCO（透明导电氧化物）。 在特别优选的实施例中，包含至少一个电流屏障，其包括外延半导体层序列的材料，电流扩展层的材料和/或半导体层序列和电流扩展层之间的界面。 还指定了用于制造LED芯片的方法。

公开(公告)号：US07620088B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11597951

申请日：2005-04-29

申请人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

发明人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/10

CPC分类号： H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

摘要： A surface-emitting semiconductor laser component, in particular an electrically pumped semiconductor laser component, featuring emission in a vertical direction. The component is provided for the generation of laser radiation by means of an external optical resonator (4, 5). The component comprises a semiconductor body with a semiconductor layer sequence (2) having a lateral main direction of extension and an active zone (3) provided for generation of radiation. A radiation-transmissive contact layer (6) is arranged within the resonator and is electrically conductively connected to the semiconductor body.

摘要翻译： 表面发射半导体激光器部件，特别是具有在垂直方向上发射的电泵浦半导体激光器部件。 该组件被提供用于通过外部光学谐振器（4,5）产生激光辐射。 该部件包括具有半导体层序列（2）的半导体本体，该半导体层序列（2）具有横向主要延伸方向，以及提供用于产生辐射的活动区域（3）。 辐射透射接触层（6）布置在谐振器内并与半导体本体导电连接。

公开(公告)号：US07408972B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US10579519

申请日：2004-11-09

申请人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

发明人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01S3/091 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/183 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01H2209/07 ,  H01H2223/008 ,  H01H2223/034 ,  H01H2239/032 ,  H01H2239/034 ,  H01H2239/038 ,  H01S3/094084 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

摘要： An optically pumped semiconductor laser device having a surface-emitting vertical emission region (1) and at least one monolithically integrated pump radiation source (2) for optically pumping the vertical emission region (1). The semiconductor laser device is distinguished by the fact that the pump radiation enters the vertical emission region (1) in the form of partial bundles of rays of radiation with different radiation directions so that the pump radiation and the fundamental mode of the vertical emission region (1) have an overlap which is suitable for the excitation of this fundamental mode. This device is based on the fact that the fundamental mode of the vertical emission region (1) is preferably excited when the spatial intensity distribution of the pump radiation matches the profile of the fundamental mode.

摘要翻译： 一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个用于光学泵浦垂直发射区域（1）的单片集成泵浦辐射源（2）的光泵浦半导体激光器件。 半导体激光器件的特征在于泵辐射以不同辐射方向的部分束辐射线的形式进入垂直发射区域（1），使得泵浦辐射和垂直发射区域的基本模式 1）具有适合于该基本模式的激励的重叠。 该装置基于以下事实：当泵浦辐射的空间强度分布与基本模式的轮廓匹配时，优选地激发垂直发射区域（1）的基本模式。

公开(公告)号：US20080073655A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11901666

申请日：2007-09-17

申请人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

发明人： Tony Albrecht ,  Georg Bruderl ,  Volker Harle ,  Lutz Hoppel ,  Martin Strassburg

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/1231 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip comprises a growth substrate with a structured growth area (2) having a multiplicity of elevations (4) and depressions (3), and an active layer sequence (5) applied to the growth area (2).

摘要翻译： 光电子半导体芯片包括具有多个高度（4）和凹陷（3）的结构化生长区域（2）的生长衬底和应用于生长区域（2）的活性层序列（5）。

公开(公告)号：US07209506B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10903411

申请日：2004-07-30

申请人： Tony Albrecht

发明人： Tony Albrecht

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/14 ,  H01S3/091 ,  H01S3/082

CPC分类号： H01S5/141 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/4056

摘要： An optically pumped radiation-emitting semiconductor device with a surface-emitting quantum well structure (10), which has at least one quantum layer (11), and an active layer (8) for generating pump radiation (9) for optically pumping the quantum well structure (10), which is arranged parallel to the quantum layer (11). The semiconductor device has at least one emission region (12), in which the quantum well structure (10) is optically pumped, and at least one pump region (13). The quantum well structure (10) and the active pump layer (8) extend over the pump region (13) and over the emission region (12) of the semiconductor device, and the pump radiation (9) is coupled into the emission region (12) in the lateral direction.

摘要翻译： 具有表面发射量子阱结构（10）的光泵浦辐射发射半导体器件（10）具有至少一个量子层（11）和用于产生泵浦辐射的有源层（8），用于光学泵浦量子 阱结构（10），其平行于量子层（11）排列。 半导体器件具有至少一个发光区域（12），其中量子阱结构（10）被光学泵浦，以及至少一个泵浦区域（13）。 量子阱结构（10）和有源泵层（8）在泵浦区域（13）上延伸超过半导体器件的发射区域（12），泵浦辐射（9）耦合到发射区域 12）在横向上。

公开(公告)号：US06979842B2

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10749433

申请日：2003-12-31

申请人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

发明人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44

摘要： An optoelectronic component with an epitaxial semiconductor layer sequence having an active zone that emits electromagnetic radiation, and at least one electrical contact region having at least one radiation-transmissive electrical contact layer, which contains ZnO and is electrically conductively connected to an outer semiconductor layer. The contact layer is provided with watertight material in such a way that it is substantially protected against moisture.

摘要翻译： 具有外延半导体层序列的光电子部件具有发射电磁辐射的有源区，以及至少一个具有至少一个辐射透射电接触层的电接触区，该电接触区含有ZnO并与外部半导体层导电连接。 接触层以防水材料的方式设置有防水材料。

公开(公告)号：US20050056904A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10909036

申请日：2004-07-30

申请人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Glenn-Yves Plaine ,  Marc Philippens

发明人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Glenn-Yves Plaine ,  Marc Philippens

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/02162 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

摘要： A radiation-sensitive semiconductor body which has at least one radiation-absorbent active area (2) between at least two contact layers (6, 7) and which receives electromagnetic radiation in a wavelength range between λ1 and λ2 where λ2>λ1. A filter layer (5) is arranged between the active area (2) and a radiation input surface (9). The active area (2) detects electromagnetic radiation at a wavelength below λ2. The filter layer (5) absorbs electromagnetic radiation at a wavelength below λ1, and passes electromagnetic radiation at a wavelength above λ1.

摘要翻译： 一种辐射敏感半导体本体，其在至少两个接触层（6,7）之间具有至少一个辐射吸收有源区域（2），并接收λ1和λ2之间的波长范围的电磁辐射，其中λ2>λ1。 在有源区域（2）和辐射输入表面（9）之间布置滤光层（5）。 有源区域（2）检测波长低于λ2的电磁辐射。 滤波器层（5）吸收波长低于λ1的电磁辐射，并通过波长高于λ1的电磁辐射。