公开(公告)号：US08445981B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13177115

申请日：2011-07-06

申请人： Woo Chang Lim ,  Jangeun Lee ,  SeChung Oh ,  Woojin Kim

发明人： Woo Chang Lim ,  Jangeun Lee ,  SeChung Oh ,  Woojin Kim

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161

摘要： Magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of forming perpendicular magnetic films are provided. The magnetic memory device may include a seed pattern on a substrate having a first crystal structure, a perpendicular magnetic pattern on the seed pattern having a second crystal structure, and an interlayer pattern between the seed pattern and the perpendicular magnetic pattern. The interlayer pattern may reduce a stress caused by a difference between horizontal lattice constants of the first and the second crystal structures.

摘要翻译： 提供了磁存储器件，电子系统和包括其的存储卡，其制造方法以及形成垂直磁膜的方法。 磁存储器件可以包括在具有第一晶体结构的衬底上的种子图案，具有第二晶体结构的种子图案上的垂直磁图案，以及种子图案和垂直磁图案之间的层间图案。 层间图案可以减小由第一和第二晶体结构的水平晶格常数之间的差引起的应力。

公开(公告)号：US20120018825A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13177115

申请日：2011-07-06

申请人： Woo Chang Lim ,  Jangeun Lee ,  SeChung Oh ,  Woojin Kim

发明人： Woo Chang Lim ,  Jangeun Lee ,  SeChung Oh ,  Woojin Kim

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161

摘要： Magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of forming perpendicular magnetic films are provided. The magnetic memory device may include a seed pattern on a substrate having a first crystal structure, a perpendicular magnetic pattern on the seed pattern having a second crystal structure, and an interlayer pattern between the seed pattern and the perpendicular magnetic pattern. The interlayer pattern may reduce a stress caused by a difference between horizontal lattice constants of the first and the second crystal structures.

摘要翻译： 提供了磁存储器件，电子系统和包括其的存储卡，其制造方法以及形成垂直磁膜的方法。 磁存储器件可以包括在具有第一晶体结构的衬底上的种子图案，具有第二晶体结构的种子图案上的垂直磁图案，以及种子图案和垂直磁图案之间的层间图案。 层间图案可以减小由第一和第二晶体结构的水平晶格常数之间的差引起的应力。

公开(公告)号：US08947914B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13398617

申请日：2012-02-16

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Sechung Oh ,  Woojin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Sechung Oh ,  Woojin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a fixed magnetic structure; a free magnetic structure; and a tunnel barrier between the fixed magnetic structure and the free magnetic structure, at least one of the fixed magnetic structure and the free magnetic structure including a perpendicular magnetization preserving layer, a magnetic layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the tunnel barrier, and a perpendicular magnetization inducing layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the magnetic layer.

摘要翻译： 提供一种包括固定磁性结构的磁性隧道接合装置; 自由磁结构; 以及在所述固定磁性结构和所述自由磁性结构之间的隧道势垒，所述固定磁性结构和所述自由磁性结构中的至少一个包括垂直磁化保持层，所述垂直磁化保留层与所述隧道势垒之间的磁性层，以及 在垂直磁化保持层和磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：US09842637B2

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：US15339064

申请日：2016-10-31

申请人： Ki Woong Kim ,  Juhyun Kim ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh ,  Joonmyoung Lee ,  Woo Chang Lim

发明人： Ki Woong Kim ,  Juhyun Kim ,  Yong Sung Park ,  Sechung Oh ,  Joonmyoung Lee ,  Woo Chang Lim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/82 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC分类号： G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic memory device and a method of fabricating the same are provided. The method includes forming a first magnetic layer on a substrate, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, and forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer. The forming of the tunnel barrier layer includes forming a first metal oxide layer on the first magnetic layer, forming a first metal layer on the first metal oxide layer, forming a second metal oxide layer on the first metal layer, and performing a first thermal treatment process to oxidize at least a portion of the first metal layer.

公开(公告)号：US08772846B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13398640

申请日：2012-02-16

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Sechung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Sechung Oh ,  Young Hyun Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： H01L21/14

CPC分类号： H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a first structure including a magnetic layer; a second structure including at least two extrinsic perpendicular magnetization structures, each including a magnetic layer and; a perpendicular magnetization inducing layer on the magnetic layer; and a tunnel barrier between the first and second structures.

摘要翻译： 本发明提供一种包括具有磁性层的第一结构的磁性隧道接合装置; 包括至少两个外在垂直磁化结构的第二结构，每个包括磁性层; 磁性层上的垂直磁化诱导层; 以及第一和第二结构之间的隧道屏障。

公开(公告)号：US09324941B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14306976

申请日：2014-06-17

申请人： Whankyun Kim ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim

发明人： Whankyun Kim ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  C23C14/35 ,  H01L43/08 ,  C23C14/04 ,  H01J37/34 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/12 ,  C23C14/046 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes providing a wafer in a chamber of a point-cusp magnetron physical vapor deposition (PCM-PVD) apparatus, the chamber including a metal target. The method further includes providing an inert gas and a reactive gas in the chamber and forming an amorphous conductive layer on the wafer by reacting the reactive gas with a metal atom separated from the metal target by the inert gas.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在点尖磁控管物理气相沉积（PCM-PVD）设备的腔室中提供晶片，所述腔室包括金属靶。 该方法还包括在室中提供惰性气体和反应性气体，并通过使惰性气体与金属靶分离的金属原子反应而在晶片上形成非晶形导电层。

公开(公告)号：US09490298B2

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：US14264049

申请日：2014-04-28

申请人： Woojin Kim ,  Ki Woong Kim ,  Woo Chang Lim

发明人： Woojin Kim ,  Ki Woong Kim ,  Woo Chang Lim

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/224 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory device may include a free magnetic structure and a reference magnetic structure that are separated from each other by a tunnel barrier. The free magnetic structure may include an exchange-coupling layer, and first and second free layers that are separated from each other by the exchange-coupling layer. The first free layer may be provided between the second free layer and the tunnel barrier. A thickness of the first free layer may be greater than a first maximum anisotropy thickness, being the thickness at which the first free layer has maximum perpendicular anisotropy. A thickness of the second free layer may be smaller than a second maximum anisotropy thickness, being the thickness at which the second free layer has maximum perpendicular anisotropy. A magnetic tunnel junction having two free layers with different thicknesses can enable a magnetic memory device that has increased MR ratio and reduced switching current.

摘要翻译： 磁存储器件可以包括通过隧道势垒彼此分离的自由磁结构和参考磁性结构。 自由磁结构可以包括交换耦合层，以及通过交换耦合层彼此分离的第一和第二自由层。 第一自由层可以设置在第二自由层和隧道势垒之间。 第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，即第一自由层具有最大垂直各向异性的厚度。 第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，即第二自由层具有最大垂直各向异性的厚度。 具有两个具有不同厚度的自由层的磁性隧道结可实现具有增加的MR比和降低的开关电流的磁存储器件。

公开(公告)号：US09065039B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US14579803

申请日：2014-12-22

申请人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Woo Jin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

发明人： Jeong Heon Park ,  Woo Chang Lim ,  Se Chung Oh ,  Woo Jin Kim ,  Sang Hwan Park ,  Jang Eun Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： Provided is a magnetic tunneling junction device including a fixed magnetic structure; a free magnetic structure; and a tunnel barrier between the fixed magnetic structure and the free magnetic structure, at least one of the fixed magnetic structure and the free magnetic structure including a perpendicular magnetization preserving layer, a magnetic layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the tunnel barrier, and a perpendicular magnetization inducing layer between the perpendicular magnetization preserving layer and the magnetic layer.

公开(公告)号：US08716112B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13630148

申请日：2012-10-16

申请人： Seung Ki Joo ,  Chang Woo Byun ,  Se Wan Son ,  Yong Woo Lee ,  Hyun Mo Kang ,  Seol Ah Park ,  Woo Chang Lim ,  Tao Li ,  Seung Jae Yun ,  Sang Joo Lee

发明人： Seung Ki Joo ,  Chang Woo Byun ,  Se Wan Son ,  Yong Woo Lee ,  Hyun Mo Kang ,  Seol Ah Park ,  Woo Chang Lim ,  Tao Li ,  Seung Jae Yun ,  Sang Joo Lee

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757

摘要： Provided is a method of crystallizing an amorphous silicon thin film transistor and a method of fabricating a polycrystalline thin film transistor using the same, in which the polycrystalline thin film transistor indicating leakage current characteristics of a level that is applicable for active matrix organic light emitting diode displays (AMOLEDs) can be manufactured by using a silicide seed induced lateral crystallization (SILC) method. The amorphous silicon thin film transistor crystallizing method includes the steps of: forming an amorphous silicon layer on a substrate; forming an active region by patterning the amorphous silicon layer; forming a crystallization induced metal layer in both a source region and a drain region that are placed on both side ends of the active region; forming a number of dot-shaped metal silicide seeds on the surfaces of the source region and the drain region made of amorphous silicon by removing the crystallization induced metal layer; and crystallizing the active region formed of the amorphous silicon layer by heat-treating the substrate by using the metal silicide seeds as crystallization seeds.

摘要翻译： 提供了一种使非晶硅薄膜晶体管结晶的方法和使用其制造多晶薄膜晶体管的方法，其中指示可用于有源矩阵有机发光二极管的电平的漏电流特性的多晶薄膜晶体管 可以通过使用硅化物种子诱导横向结晶（SILC）方法来制造显示器（AMOLED）。 非晶硅薄膜晶体管结晶方法包括以下步骤：在基板上形成非晶硅层; 通过图案化所述非晶硅层形成有源区; 在放置在有源区的两侧端的源区和漏区中形成结晶诱导金属层; 通过除去结晶诱导的金属层，在源极区和由非晶硅制成的漏极区域的表面上形成多个点状金属硅化物晶种; 并且通过使用金属硅化物种子作为结晶种子对基底进行热处理，使由非晶硅层形成的活性区域结晶。

公开(公告)号：US08697484B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13332093

申请日：2011-12-20

申请人： Dmytro Apalkov ,  Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy ,  Vladimir Nikitin ,  Mohamad Towfik Krounbi ,  Xueti Tang ,  Se Chung Oh ,  Woo Chang Lim ,  Jang Eun Lee ,  Ki Woong Kim ,  Kyoung Sun Kim

发明人： Dmytro Apalkov ,  Alexey Vasilyevitch Khvalkovskiy ,  Vladimir Nikitin ,  Mohamad Towfik Krounbi ,  Xueti Tang ,  Se Chung Oh ,  Woo Chang Lim ,  Jang Eun Lee ,  Ki Woong Kim ,  Kyoung Sun Kim

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A method and system for setting the direction of pinned layers in a magnetic junction are described. In one aspect, a magnetic field greater than the coercivity of the layers in a pinned layer but less than the coupling field between the layers is applied. In another aspect the pinned layers are switched from an anti-dual state to a dual state using a spin transfer torque current. In another aspect, a magnetic junction having a partial perpendicular anisotropy (PPMA) layer in the pinned layer is provided. In some aspects, the PPMA layer is part of a synthetic antiferromagnetic structure. In some embodiments, a decoupling layer is provided between the PPMA layer and another ferromagnetic layer in the pinned layer.

摘要翻译： 描述了用于设置磁结中的钉扎层的方向的方法和系统。 一方面，施加大于被钉扎层中的层的矫顽力但小于层之间的耦合场的磁场。 在另一方面，使用自旋转移转矩电流将钉扎层从反双重状态切换到双重状态。 在另一方面，提供了在钉扎层中具有部分垂直各向异性（PPMA）层的磁性结。 在一些方面，PPMA层是合成反铁磁结构的一部分。 在一些实施方案中，在固着层中的PPMA层和另一铁磁层之间提供去耦层。