公开(公告)号：US20080020680A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11491612

申请日：2006-07-24

申请人： Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Zhan Chen ,  Jeffrey P. Chamberlain

发明人： Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Zhan Chen ,  Jeffrey P. Chamberlain

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24D3/02 ,  B24B7/30 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition consisting essentially of silica, an oxidizing agent, a quaternary ammonium compound, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition provides for enhanced polishing rates when used to polish dielectric films.

摘要翻译： 本发明提供了一种主要由二氧化硅，氧化剂，季铵化合物和水组成的化学 - 机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在用于抛光电介质膜时提供了增强的抛光速率。

公开(公告)号：US20070298612A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11448205

申请日：2006-06-07

申请人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

发明人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

IPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides a method for polishing silicon nitride-containing substrates. The method comprises abrading a surface of a silicon nitride substrate with a polishing composition, which comprises colloidal silica, at least one acidic component, and an aqueous carrier. The at least one acidic component has a pKa in the range of about 1 to 4.5. The composition has a pH in the range of about 0.5 pH units less than the pKa of the at least one acidic component to about 1.5 pH units greater than the pKa.

摘要翻译： 本发明提供一种研磨含氮化硅的基板的方法。 该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅衬底的表面，抛光组合物包括胶体二氧化硅，至少一种酸性组分和水性载体。 所述至少一种酸性组分的pKa在约1至4.5的范围内。 所述组合物的pH值比所述至少一种酸性组分的pKa小约0.5pH单位至大于pKa约1.5pH单位。

公开(公告)号：US20070219104A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11384538

申请日：2006-03-20

申请人： Steven Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip Carter

发明人： Steven Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip Carter

IPC分类号： B08B7/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives). The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the CMP compositions, as well as a method of enhancing the shelf-life of CMP compositions containing an amine and a radical-forming oxidizing agent, in which a radical trapping agent is added to the CMP composition.

摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。 本发明还提供了用CMP组合物对基材进行化学机械抛光的方法，以及提高含有胺和自由基形成氧化剂的CMP组合物的保存期限的方法，其中自由基捕获剂是 添加到CMP组合物中。

公开(公告)号：US20070209287A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11374238

申请日：2006-03-13

申请人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Phillip Carter ,  Jeffrey Dysard

发明人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Phillip Carter ,  Jeffrey Dysard

IPC分类号： B24D3/02 ,  B24B7/30 ,  B24B29/00 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The inventive chemical-mechanical polishing composition comprises an abrasive, a nitride accelerator, and water, and has a pH of about 1 to about 6. The inventive method of polishing a substrate involves the use of the aforesaid polishing composition and is particularly useful in polishing a substrate containing silicon nitride.

摘要翻译： 本发明的化学机械抛光组合物包含研磨剂，氮化物促进剂和水，并且具有约1至约6的pH。本发明的抛光基材的方法涉及使用上述抛光组合物，并且特别适用于抛光 含有氮化硅的衬底。

公开(公告)号：US20060221452A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11373579

申请日：2006-03-10

申请人： Zhan Chen

发明人： Zhan Chen

IPC分类号： G02B5/08

CPC分类号： B60R1/088 ,  G02F1/13725

摘要： Devices that include a dichroic material sandwiched between first and second electrodes layers and exhibiting a high optical absorption when the first and second electrode layers are biased at a first electrical bias state and a low optical absorption when the first and second electrode layers are biased at a second, different electrical bias state. Such devices may be used to construct optically reflective devices such as anti-glare mirrors and optically transmissive devices such as eye glasses. The dichroic material may be selected to be operable to switch between the high optical absorption and the low optical absorption in less than 0.1 second.

摘要翻译： 包括夹在第一和第二电极层之间的二向色材料的装置，并且当第一和第二电极层被偏置在第一电偏置状态时呈现高的光吸收，而当第一和第二电极层被偏置在 第二，不同的电偏置状态。 这种装置可用于构造光学反射装置，例如防眩光镜和诸如眼镜的光学透射装置。 二色性材料可以被选择为可操作以在小于0.1秒内在高光吸收和低光吸收之间切换。

公开(公告)号：US20130296576A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13978329

申请日：2011-08-18

申请人： Yu Wang ,  Zhan Chen

发明人： Yu Wang ,  Zhan Chen

IPC分类号： C07D207/267

CPC分类号： C07D207/267 ,  C08F8/22 ,  C08F126/10

摘要： The present invention relates to a preparation method of a high-stable non-ionic N-vinyl butyrolactam iodine, wherein non-ionic N-vinyl butyrolactam, iodine and at least one grinding aid are stirred at 150-800 r/min at a temperature of 50° C.-90° C. for 1 to 12 hours to prepare the high-stable non-ionic N-vinyl butyrolactam iodine, wherein the K value of the non-ionic N-vinyl butyrolactam is 32±1, the PD value of the main peak of the non-ionic N-vinyl butyrolactam is ≦1.6, the moisture content of the non-ionic N-vinyl butyrolactam is ≦2.5%, preferably, the grinding aid is selected one or several from sodium chloride, sodium citrate, sodium carbonate and sodium phosphate, the amount of the grinding aid added is 0.02 to 2% of the total amount of the non-ionic N-vinyl butyrolactam and the iodine, the non-ionic N-vinyl butyrolactam is PVP-K32, the high-stable non-ionic N-vinyl butyrolactam iodine prepared by the above mentioned method is also provided, the stability of the high-stable non-ionic N-vinyl butyrolactam iodine of the present invention is high, thereby facilitating long-term storage and use, thus the high-stable non-ionic N-vinyl butyrolactam iodine is suitable for large-scale popularization.

摘要翻译： 本发明涉及一种高稳定性非离子型N-乙烯基丁内酰胺碘的制备方法，其中非离子N-乙烯基丁内酰胺碘和至少一种研磨助剂以150-800r / min的温度 在50℃-90℃下反应1至12小时以制备高稳定性非离子型N-乙烯基丁内酰胺碘，其中非离子型N-乙烯基丁内酰胺的K值为32±1，PD 非离子型N-乙烯基丁内酰胺的主峰的值为1.6，非离子型N-乙烯基丁内酰胺的水分含量为2.5％，优选的是，研磨助剂由氯化钠，钠 柠檬酸钠，碳酸钠和磷酸钠，加入的助磨剂的量为非离子型N-乙烯基丁内酰胺和碘的总量的0.02〜2％，非离子型N-乙烯基丁内酰胺为PVP-K32， 还提供了通过上述方法制备的高稳定性非离子型N-乙烯基丁内酰胺碘，稳定性高 本发明的离子型N-乙烯基丁内酰胺碘高，从而促进长期保存和使用，因此高稳定性的非离子型N-乙烯基丁内酰胺碘适用于大规模普及。

公开(公告)号：US08497209B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US12764268

申请日：2010-04-21

申请人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

发明人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives).

摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。

公开(公告)号：US20100200802A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12764268

申请日：2010-04-21

申请人： Steven K. GRUMBINE ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

发明人： Steven K. GRUMBINE ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives).

摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。

公开(公告)号：US07732393B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11384538

申请日：2006-03-20

申请人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

发明人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

IPC分类号： C09G1/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives). The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the CMP compositions, as well as a method of enhancing the shelf-life of CMP compositions containing an amine and a radical-forming oxidizing agent, in which a radical trapping agent is added to the CMP composition.

摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。 本发明还提供了用CMP组合物对基材进行化学机械抛光的方法，以及提高含有胺和自由基形成氧化剂的CMP组合物的保存期限的方法，其中自由基捕获剂是 添加到CMP组合物中。

公开(公告)号：US20100029181A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12221023

申请日：2008-07-30

申请人： Francesco De Rege Thesauro ,  Zhan Chen

发明人： Francesco De Rege Thesauro ,  Zhan Chen

IPC分类号： B24B29/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides chemical-mechanical polishing (CMP) compositions and methods for polishing a silicon-containing substrate. A method of the invention comprises the steps of contacting a silicon-containing substrate with a polishing pad and an aqueous CMP composition, and causing relative motion between the polishing pad and the substrate while maintaining a portion of the CMP composition in contact with the surface of the substrate to abrade at least a portion of the substrate. The CMP composition comprises a ceria abrasive, a polishing additive bearing a functional group with a pKa of about 4 to about 9, a nonionic surfactant with an hydrophilic portion and a lipophilic portion wherein the hydrophilic portion has a number average molecular weight of about 500 g/mol or higher, and an aqueous carrier, wherein the pH of the composition is 7 or less. The method reduces defects on the wafers, particularly local areas of high removal. The method is also useful for polishing dielectric silicon-containing substrates at a high rate relative to semiconductor silicon-containing substrates.

摘要翻译： 本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光（CMP）组合物和方法。 本发明的方法包括以下步骤：使含硅衬底与抛光垫和水性CMP组合物接触，并且在保持CMP组合物的一部分与表面接触的同时引起抛光垫和衬底之间的相对运动 所述衬底磨损所述衬底的至少一部分。 CMP组合物包括二氧化铈研磨剂，具有pKa约4至约9的官能团的抛光添加剂，具有亲水部分和亲油部分的非离子表面活性剂，其中亲水部分的数均分子量为约500g / mol以上，和水性载体，其中组合物的pH为7以下。 该方法减少了晶片上的缺陷，特别是高去除的局部区域。 该方法对于相对于含半导体硅的衬底以高速率抛光介电含硅衬底也是有用的。