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公开(公告)号：US08497209B2
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：US12764268
申请日：2010-04-21
申请人： Steven K. Grumbine , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
发明人： Steven K. Grumbine , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives).
摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。
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公开(公告)号：US20100200802A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：US12764268
申请日：2010-04-21
申请人： Steven K. GRUMBINE , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
发明人： Steven K. GRUMBINE , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
IPC分类号： C09K13/00
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives).
摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。
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公开(公告)号：US07732393B2
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：US11384538
申请日：2006-03-20
申请人： Steven K. Grumbine , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
发明人： Steven K. Grumbine , Renjie Zhou , Zhan Chen , Phillip W. Carter
IPC分类号： C09G1/00
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives). The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the CMP compositions, as well as a method of enhancing the shelf-life of CMP compositions containing an amine and a radical-forming oxidizing agent, in which a radical trapping agent is added to the CMP composition.
摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。 本发明还提供了用CMP组合物对基材进行化学机械抛光的方法，以及提高含有胺和自由基形成氧化剂的CMP组合物的保存期限的方法，其中自由基捕获剂是 添加到CMP组合物中。
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公开(公告)号：US07497938B2
公开(公告)日：2009-03-03
申请号：US11088075
申请日：2005-03-22
IPC分类号： B23H3/02
摘要： The invention provides a method of determining at least one electrochemical characteristic of a chemical-mechanical or electrochemical-mechanical polishing system comprising application of a potential between a polishing substrate and an electrode to generate a current, and determining the at least one electrochemical characteristic by analysis of the current as a function of time.
摘要翻译： 本发明提供一种确定化学机械或电化学机械抛光系统的至少一种电化学特性的方法，包括在抛光基底和电极之间施加电位以产生电流，并通过分析确定至少一种电化学特性 的当前作为时间的函数。
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公开(公告)号：US07316603B2
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：US11235765
申请日：2005-09-26
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： A composition suitable for tantalum chemical-mechanical polishing (CMP) comprises an abrasive, an organic oxidizer, and a liquid carrier therefor. The organic oxidizer has a standard redox potential (E0) of not more than about 0.5 V relative to a standard hydrogen electrode. The oxidized form comprises at least one pi-conjugated ring, which includes at least one heteroatom directly attached to the ring. The heteroatom can be a N, O, S or a combination thereof. In a method embodiment, a CMP composition comprising an abrasive, and organic oxidizer having an E0 of not more than about 0.7 V relative to a standard hydrogen electrode, and a liquid carrier therefor, is utilized to polish a tantalum-containing surface of a substrate, by abrading the surface of the substrate with the composition, preferably with the aid of a polishing pad.
摘要翻译： 适用于钽化学机械抛光（CMP）的组合物包括研磨剂，有机氧化剂和用于其的液体载体。 有机氧化剂相对于标准氢电极具有不超过约0.5V的标准氧化还原电位（E 0 SUP 0）。 氧化形式包含至少一个π-共轭环，其包括至少一个直接连接在环上的杂原子。 杂原子可以是N，O，S或它们的组合。 在方法实施方案中，使用包含磨料和相对于标准氢电极不超过约0.7V的E 0有机氧化剂的CMP组合物及其液体载体来抛光 通过用组合物研磨基底的表面，优选借助于抛光垫，将基底的含钽表面。
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6.发明授权公开(公告)号：US08551202B2
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：US11387558
申请日：2006-03-23
申请人： Shoutian Li , Phillip W. Carter , Jian Zhang
发明人： Shoutian Li , Phillip W. Carter , Jian Zhang
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： The invention provides compositions and methods for planarizing or polishing a substrate. The composition comprises an abrasive, iodate ion, a nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing C4-20 heterocycle and a C1-20 alkylamine, and a liquid carrier comprising water.
摘要翻译： 本发明提供了用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。 该组合物包含研磨剂，碘酸根离子，选自含氮的C 4-20杂环和C 1-20烷基胺的含氮化合物和包含水的液体载体。
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公开(公告)号：US08178120B2
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：US12143304
申请日：2008-06-20
申请人： Nathan A. Vandesteeg , John-Bruce D. Green , Vadim V. Krongauz , Phillip W. Carter , Dustin C. Cawthon
发明人： Nathan A. Vandesteeg , John-Bruce D. Green , Vadim V. Krongauz , Phillip W. Carter , Dustin C. Cawthon
CPC分类号： A61L29/106 , A01N25/08 , A01N25/34 , A01N59/16 , A01N59/20 , A61K33/18 , A61K33/24 , A61K33/30 , A61K33/34 , A61K33/38 , A61K45/06 , A61L29/16 , A61L2300/102 , A61L2300/104 , A61L2300/404 , A61L2300/624 , A61L2400/12 , A61K2300/00 , A01N25/04 , A01N59/02 , A01N59/08 , A01N59/12
摘要： Methods for processing substrate surfaces carrying coatings comprising a metal are disclosed. The methods involve providing a substrate surface having a coating comprising a metal, and exposing the substrate surface to a mixture including an oxidizing agent and an anion.
摘要翻译： 公开了用于处理承载包含金属的涂层的基材表面的方法。 所述方法包括提供具有包含金属的涂层的基底表面，并将基底表面暴露于包括氧化剂和阴离子的混合物。
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公开(公告)号：US08038752B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US10974460
申请日：2004-10-27
申请人： Phillip W. Carter
发明人： Phillip W. Carter
IPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive, metal ions (M) having a M-O—Si bond energy equal to or greater than about 3 kcal/mol, and water. The invention further provides a method for polishing a substrate using the aforementioned chemical-mechanical polishing composition.
摘要翻译： 本发明提供了一种化学机械抛光组合物，其包含具有等于或大于约3kcal / mol的M-O-Si键能量的磨料，金属离子（M）和水。 本发明还提供了使用上述化学机械抛光组合物研磨衬底的方法。
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9.发明申请公开(公告)号：US20090137124A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：US12364253
申请日：2009-02-02
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, a carboxylic acid, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide.
摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子磨料，阳离子聚合物，羧酸和水的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在除去氧化硅后显示出去除氮化硅的选择性。
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公开(公告)号：US06431953B1
公开(公告)日：2002-08-13
申请号：US09934106
申请日：2001-08-21
IPC分类号： B24B4900
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12 , G05B2219/34048 , G05B2219/37534 , G05B2219/49085
摘要： The invention provides a method, for monitoring a chemical-mechanical polishing process, comprising receiving a real-time data signal from a chemical-mechanical polishing process, wherein the real-time data signal pertains to a frictional force, torque, or motor current, converting the data signal into a power spectrum of signals with different frequencies whose sum equals that of the original data signal, identifying and monitoring the signal components of the power spectrum corresponding to an aspect of the chemical-mechanical polishing process, detecting a change in the amplitude or frequency of the signal component, and altering the chemical-mechanical polishing process in response to the detected change. The invention also provides an apparatus for carrying out the aforementioned method.
摘要翻译： 本发明提供一种用于监测化学机械抛光工艺的方法，包括从化学机械抛光工艺接收实时数据信号，其中实时数据信号涉及摩擦力，转矩或电动机电流， 将数据信号转换成具有与原始数据信号的和等于其总和的不同频率的信号的功率谱，识别和监测与化学机械抛光处理的一个方面对应的功率谱的信号分量，检测 信号分量的振幅或频率，以及响应于检测到的变化而改变化学机械抛光过程。 本发明还提供一种用于执行上述方法的装置。
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