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    SOLAR CELL
    22.
    发明申请
    SOLAR CELL 审中-公开
    太阳能电池

    公开(公告)号：US20110048529A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12828588

    申请日：2010-07-01

    申请人： Doo-Youl Lee ,  Dong-Seop Kim ,  Jin-Wook Lee ,  Hwa-Young Ko

    发明人： Doo-Youl Lee ,  Dong-Seop Kim ,  Jin-Wook Lee ,  Hwa-Young Ko

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0256

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/547

    摘要： A solar cell includes a semiconductor substrate having a plurality of contact holes penetrating therethrough, from one surface to the opposing surface and including a part having a first conductive layer selected from p-type and n-type and a part having a second conductive layer different from the first conductive layer and selected from p-type and n-type semiconductor, a first electrode formed on one surface of the semiconductor substrate and electrically connected with the part having the first conductive layer, a second electrode formed on the other surface of the semiconductor substrate and electrically connected with the first electrode, and a third electrode formed on the same surface as in the second electrode and electrically connected with the part having the second conductive layer of the semiconductor substrate, wherein the plurality of contact holes form a contact hole group, and the first electrode and the second electrode are connected through one or more of the plurality of contact holes of the contact hole group.

    摘要翻译： 太阳能电池包括从一个表面到相对的表面具有穿过其的多个接触孔的半导体衬底，并且包括具有选自p型和n型的第一导电层的部分和具有不同的第二导电层的部分 从所述第一导电层中选择p型和n型半导体，形成在所述半导体衬底的一个表面上并与具有所述第一导电层的部分电连接的第一电极，形成在所述第一导电层的另一个表面上的第二电极 半导体衬底并与第一电极电连接;以及第三电极，其形成在与第二电极相同的表面上并与具有半导体衬底的第二导电层的部分电连接，其中多个接触孔形成接触孔 并且第一电极和第二电极通过多个中的一个或多个连接 的接触孔组的接触孔。

    Silicon solar cells and methods of fabrication
    24.
    发明申请
    Silicon solar cells and methods of fabrication 审中-公开
    硅太阳能电池和制造方法

    公开(公告)号：US20050189015A1

    公开(公告)日：2005-09-01

    申请号：US10977751

    申请日：2004-10-29

    申请人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    发明人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Devices, solar cell structures, and methods of fabrication thereof, are disclosed. Briefly described, one exemplary embodiment of the device, among others, includes: a co-fired p-type silicon substrate, wherein the bulk lifetime is about 20 to 125 μs; an n+ layer formed on the top-side of the p-silicon substrate; a silicon nitride anti-reflective (AR) layer positioned on the top-side of the n+ layer; a plurality of Ag contacts positioned on portions of the silicon nitride AR layer, wherein the Ag contacts are in electronic communication with the n+-type emitter layer; an uniform Al back-surface field (BSF or p+) layer positioned on the back-side of the p-silicon substrate on the opposite side of the p-type silicon substrate as the n+ layer; and an Al contact layer positioned on the back-side of the Al BSF layer. The device has a fill factor (FF) of about 0.75 to 0.85, an open circuit voltage (VOC) of about 600 to 650 mV, and a short circuit current (JSC) of about 28 to 36 mA/cm2.

    摘要翻译： 公开了装置，太阳能电池结构及其制造方法。 简要描述，该装置的一个示例性实施例等等包括：共烧p型硅衬底，其中本体寿命为约20至125微米; 形成在p型硅衬底的顶侧上的n + + +层; 位于n + +层的顶侧的氮化硅抗反射（AR）层; 位于氮化硅AR层的部分上的多个Ag触点，其中Ag触点与n + +型发射极层电子连通; 位于p型硅衬底的相对侧的p硅衬底的背面上的均匀的Al背表面场（BSF或p + SUP）层， + 层; 以及位于Al BSF层的背侧上的Al接触层。 该装置具有约0.75至0.85的填充因子（FF），约600至650mV的开路电压（V SUB OC）和短路电流（J SUB SC） SUB>）为约28至36mA / cm 2。

    Complex floating wetland equipment
    28.
    发明授权
    Complex floating wetland equipment 有权
    复杂的浮动湿地设备

    公开(公告)号：US08950362B2

    公开(公告)日：2015-02-10

    申请号：US13997803

    申请日：2012-04-06

    申请人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    发明人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    IPC分类号： A01K29/00 ,  A01K61/00

    CPC分类号： A01K61/10 ,  A01K1/00 ,  A01K29/00 ,  A01K61/70 ,  B63B35/44 ,  Y02A40/83 ,  Y02P60/642

    摘要： An otter habitation section, an overland section, an inclined-surface section, a first spawning section, a second spawning section and a roost are all provided. Accordingly, otters and birds can sufficiently obtain preys, and fishes secure a spawning ground suitable for spawning characteristics. Therefore, the otters, the fishes and the birds can inhabit together. Further, since frames are made of wood for providing buoyant force or the frames are made of stainless steel for reinforcing strength and wood for providing buoyant force, a small amount of polyethylene foam is required. Accordingly, it is possible to obtain floating wetland equipment with a simple structure. Furthermore, the wooden frames itself provide a spawning ground of fishes.

    摘要翻译： 全部提供水獭居住区，陆上段，倾斜面，第一产卵区，第二产卵区和栖息地。 因此，水獭和鸟类可以充分获得猎物，鱼类可以保护适合产卵特性的产卵场。 因此，水獭，鱼和鸟可以一起居住。 此外，由于框架由用于提供浮力的木材制成，或者框架由用于增强强度的不锈钢和用于提供浮力的木材制成，因此需要少量的聚乙烯泡沫。 因此，可以获得具有简单结构的浮动湿地设备。 此外，木制框架本身也提供了鱼类的产卵场。

    PHOTOELECTRIC DEVICE
    30.
    发明申请
    PHOTOELECTRIC DEVICE 有权
    光电器件

    公开(公告)号：US20130092224A1

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：US13424450

    申请日：2012-03-20

    申请人： Doo-Youl LEE ,  Young-Jin Kim ,  Dong-Seop Kim ,  Chan-Bin Mo ,  Young-Su Kim ,  Young-Sang Park

    发明人： Doo-Youl LEE ,  Young-Jin Kim ,  Dong-Seop Kim ,  Chan-Bin Mo ,  Young-Su Kim ,  Young-Sang Park

    IPC分类号： H01L31/0216

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

    摘要： A photoelectric device includes a first semiconductor structure and a second semiconductor structure on a substrate, and the first semiconductor structure includes a different conductivity type from the second semiconductor structure. The photoelectric device also includes a first electrode on the first semiconductor structure and a second electrode on the second semiconductor structure, and an interlayer insulating structure adjacent to the second semiconductor structure. The interlayer insulating structure separates the first semiconductor structure from the second semiconductor structure and separates the first semiconductor structure from the second electrode.

    摘要翻译： 光电器件在衬底上包括第一半导体结构和第二半导体结构，并且第一半导体结构包括与第二半导体结构不同的导电类型。 光电器件还包括第一半导体结构上的第一电极和第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。 层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开，并将第一半导体结构与第二电极分离。