公开(公告)号：US08293454B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12199253

申请日：2008-11-18

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： B32B9/04 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0757 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31663

摘要： A lithographic structure comprising: an organic antireflective material disposed on a substrate; and a silicon antireflective material disposed on the organic antireflective material. The silicon antireflective material comprises a crosslinked polymer with a SiOx backbone, a chromophore, and a transparent organic group that is substantially transparent to 193 nm or 157 nm radiation. In combination, the organic antireflective material and the silicon antireflective material provide an antireflective material suitable for deep ultraviolet lithography. The invention is also directed to a process of making the lithographic structure.

摘要翻译： 一种光刻结构，包括：设置在基板上的有机抗反射材料; 以及设置在有机抗反射材料上的硅抗反射材料。 硅抗反射材料包括具有SiO x主链，发色团和对193nm或157nm辐射基本透明的透明有机基团的交联聚合物。 组合地，有机抗反射材料和硅抗反射材料提供适用于深紫外光刻的抗反射材料。 本发明还涉及制备光刻结构的方法。

公开(公告)号：US07799503B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11750026

申请日：2007-05-17

申请人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

发明人： Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor ,  Javier Perez

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0035

摘要： A method and a structure. The structure includes: a solid core comprising a first photoresist material, the core having a bottom surface on a substrate, a top surface and opposite first and second side surfaces between the top surface and the bottom surface; and a shell comprising a second photoresist material, the shell on the top surface of the substrate, the shell containing a cavity open to the top surface of the substrate, the shell formed over the top surface and the first and second side surfaces walls of the core, the core completely filling the cavity. The core is stiffer than the shell. The method includes: forming the core from a first photoresist layer and forming the shell from a second photoresist layer applied over the core. The core may be cross-linked to increase its stiffness.

摘要翻译： 一种方法和结构。 该结构包括：固体芯，其包括第一光致抗蚀剂材料，所述芯在基底上具有底表面，顶表面以及在顶表面和底表面之间的相对的第一和第二侧表面; 以及壳体，其包括第二光致抗蚀剂材料，所述壳体在所述基板的顶表面上，所述外壳包含通向所述基板的顶表面的空腔，所述外壳形成在所述顶表面上以及所述第一和第二侧表面壁上 核心，核心完全填充空腔。 核心比壳更僵硬。 该方法包括：从第一光致抗蚀剂层形成芯并从施加在芯上的第二光致抗蚀剂层形成壳。 芯可以交联以增加其刚度。

公开(公告)号：US07479355B1

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US12037968

申请日：2008-02-27

申请人： Zheng G. Chen ,  Allen H. Gabor

发明人： Zheng G. Chen ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A mask design for enhancing line end resolution is provided. In an embodiment, a mask for use in patterning an underlying layer comprises opaque regions and transparent regions arranged to define a line having an end, a slit extending laterally through the line a spaced distance from the end of the line, and a feature extending above or below the space adjacent to the end of the line.

摘要翻译： 提供了一种增强线端分辨率的面具设计。 在一个实施例中，用于图案化底层的掩模包括不透明区域和布置成限定具有端部的线的透明区域，沿着与线路端部间隔开的距离横向延伸穿过线的狭缝以及在该线路的上方延伸的特征 或者在与行尾相邻的空间之下。

公开(公告)号：US07465615B1

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11935714

申请日：2007-11-06

申请人： Shahid A. Butt ,  Allen H. Gabor ,  Donald J. Samuels

发明人： Shahid A. Butt ,  Allen H. Gabor ,  Donald J. Samuels

IPC分类号： H04L21/00

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

摘要： Methods of forming adjacent polyconductor line ends and a mask therefor are disclosed. In one embodiment, the method includes forming a polyconductor layer over an isolation region; forming a mask over the polyconductor layer, the mask including shapes to create the polyconductor line ends and a correction element to ensure a designed proximity of the polyconductor line ends; and etching the polyconductor layer using the patterned photoresist mask to create the adjacent polyconductor line ends, wherein the correction element is removed during the etching.

摘要翻译： 公开了形成相邻多导体线端的方法及其掩模。 在一个实施例中，该方法包括在隔离区域上形成多导体层; 在所述多导体层上形成掩模，所述掩模包括形成多导体线端的形状和校正元件，以确保多导体线的设计接近端; 以及使用图案化的光致抗蚀剂掩模蚀刻多导体层以产生相邻的多导体线端，其中在蚀刻期间去除校正元件。

公开(公告)号：US07083898B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US11160744

申请日：2005-07-07

申请人： Todd C. Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

发明人： Todd C. Bailey ,  Colin J. Brodsky ,  Allen H. Gabor

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/76816

摘要： A structure and a method for forming the same. The method includes providing a structure including (a) a hole layer, and (b) a pattern transfer layer on and in direct physical contact with the hole layer, wherein the pattern transfer layer comprises a pattern transfer layer hole; depositing an acid supply layer on a side wall of the pattern transfer layer hole; transferring acids from the acid supply layer to an acid storage region in the pattern transfer layer abutting the side wall of the pattern transfer layer hole after said depositing is performed; removing the acid supply layer after said transferring is performed; and performing a chemical shrinking process to the pattern transfer layer hole utilizing the acids from the acid storage region after said removing is performed so as to shrink the pattern transfer layer hole.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该方法包括提供包括（a）空穴层和（b）与空穴层直接物理接触的图案转移层的结构，其中图案转移层包括图案转移层孔; 在图案转印层孔的侧壁上沉积酸供应层; 在执行所述沉积之后，将酸从所述酸供应层转移到所述图案转印层中与所述图案转印层孔的侧壁邻接的酸存储区域; 在进行所述转印之后去除酸供应层; 并且在进行所述去除之后利用来自酸存储区域的酸进行图案转印层孔的化学收缩处理，以使图案转印层孔收缩。

公开(公告)号：US20120126294A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US12949148

申请日：2010-11-18

申请人： Martin Burkhardt ,  Matthew E. Colburn ,  Allen H. Gabor ,  Oleg Gluschenkov ,  Scott D. Halle ,  Howard S. Landis ,  Helen Wang

发明人： Martin Burkhardt ,  Matthew E. Colburn ,  Allen H. Gabor ,  Oleg Gluschenkov ,  Scott D. Halle ,  Howard S. Landis ,  Helen Wang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

摘要： A method of forming a semiconductor device having a substrate, an active region and an inactive region includes: forming a hardmask layer over the substrate; transferring a first pattern into the hardmask layer in the active region of the semiconductor device; forming one or more fills in the inactive region; forming a cut-away hole within, covering, or partially covering, the one or more fills to expose a portion of the hardmask layer, the exposed portion being within the one or more fills; and exposing the hardmask layer to an etchant to divide the first pattern into a second pattern including at least two separate elements.

摘要翻译： 一种形成具有衬底，有源区和非活性区的半导体器件的方法包括：在衬底上形成硬掩模层; 将第一图案转移到半导体器件的有源区中的硬掩模层中; 在非活性区域中形成一个或多个填充物; 在所述一个或多个填充物内部，覆盖或部分地覆盖所述硬掩模层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分内的切除孔，所述暴露部分在所述一个或多个填充物内; 以及将所述硬掩模层暴露于蚀刻剂以将所述第一图案划分成包括至少两个分离元件的第二图案。

公开(公告)号：US08158334B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12013627

申请日：2008-01-14

申请人： Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Helen Wang

发明人： Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Helen Wang

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466

摘要： An underlayer to be patterned with a composite pattern is formed on a substrate. The composite pattern is decomposed into a first pattern and a second pattern, each having reduced complexity than the composite pattern. A hard mask layer is formed directly on the underlying layer. A first photoresist is applied over the hard mask layer and lithographically patterned with the first pattern, which is transferred into the hard mask layer by a first etch. A second photoresist is applied over the hard mask layer. The second photoresist is patterned with the second pattern to expose portions of the underlying layer. The exposed portions of the underlying layer are etched employing the second photoresist and the hard mask layer, which contains the first pattern so that the composite pattern is transferred into the underlying layer.

摘要翻译： 在基板上形成图案化复合图案的底层。 复合图案被分解为第一图案和第二图案，每个图案具有比复合图案更低的复杂度。 硬掩模层直接形成在下层上。 将第一光致抗蚀剂施加在硬掩模层上并用第一图案进行光刻图案化，其通过第一蚀刻转移到硬掩模层中。 在硬掩模层上施加第二光致抗蚀剂。 用第二图案对第二光致抗蚀剂进行图案化以暴露下层的部分。 使用包含第一图案的第二光致抗蚀剂和硬掩模层来蚀刻下层的暴露部分，使得复合图案被转移到下层中。

公开(公告)号：US08039203B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12126741

申请日：2008-05-23

申请人： Helen Wang ,  Scott D. Halle ,  Henning Haffner ,  Haoren Zhuang ,  Klaus Herold ,  Matthew E. Colburn ,  Allen H. Gabor ,  Zachary Baum ,  Scott M. Mansfield ,  Jason E. Meiring

发明人： Helen Wang ,  Scott D. Halle ,  Henning Haffner ,  Haoren Zhuang ,  Klaus Herold ,  Matthew E. Colburn ,  Allen H. Gabor ,  Zachary Baum ,  Scott M. Mansfield ,  Jason E. Meiring

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823437 ,  Y10S438/942

摘要： Integrated circuits and methods of manufacture and design thereof are disclosed. For example, a method of manufacturing includes depositing a gate material over a semiconductor substrate, and depositing a first resist layer over the gate material. A first mask is used to pattern the first resist layer to form first and second resist features. The first resist features include pattern for gate lines of the semiconductor device and the second resist features include printing assist features. A second mask is used to form a resist template; the second mask removes the second resist features.

摘要翻译： 公开了集成电路及其制造和设计方法。 例如，制造方法包括在半导体衬底上沉积栅极材料，并且在栅极材料上沉积第一抗蚀剂层。 使用第一掩模来图案化第一抗蚀剂层以形成第一和第二抗蚀剂特征。 第一抗蚀剂特征包括半导体器件的栅极线的图案，第二抗蚀剂特征包括印刷辅助特征。 使用第二掩模形成抗蚀剂模板; 第二掩模移除第二抗蚀剂特征。

公开(公告)号：US07727825B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US12178072

申请日：2008-07-23

申请人： Shahid A. Butt ,  Allen H. Gabor ,  Donald J. Samuels

发明人： Shahid A. Butt ,  Allen H. Gabor ,  Donald J. Samuels

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

摘要： Methods of forming adjacent polyconductor line ends and a mask therefor are disclosed. In one embodiment, the method includes forming a polyconductor layer over an isolation region; forming a mask over the polyconductor layer, the mask including shapes to create the polyconductor line ends and a correction element to ensure a designed proximity of the polyconductor line ends; and etching the polyconductor layer using the patterned photoresist mask to create the adjacent polyconductor line ends, wherein the correction element is removed during the etching.

摘要翻译： 公开了形成相邻多导体线端的方法及其掩模。 在一个实施例中，该方法包括在隔离区域上形成多导体层; 在所述多导体层上形成掩模，所述掩模包括形成多导体线端的形状和校正元件，以确保多导体线的设计接近端; 以及使用图案化的光致抗蚀剂掩模蚀刻多导体层以产生相邻的多导体线端，其中在蚀刻期间去除校正元件。

公开(公告)号：US07541613B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US12117014

申请日：2008-05-08

申请人： Brent Alan Anderson ,  Shahid Ahmad Butt ,  Allen H. Gabor ,  Patrick Edward Lindo ,  Edward Joseph Nowak ,  Jed Hickory Rankin

发明人： Brent Alan Anderson ,  Shahid Ahmad Butt ,  Allen H. Gabor ,  Patrick Edward Lindo ,  Edward Joseph Nowak ,  Jed Hickory Rankin

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L22/20

摘要： A method of reducing parametric variation in an integrated circuit (IC) chip and an IC chip with reduced parametric variation. The method includes: on a first wafer having a first arrangement of chips, each IC chip divided into a second arrangement of regions, measuring a test device parameter of test devices distributed in different regions; and on a second wafer having the first arrangement of IC chips and the second arrangement of regions, adjusting a functional device parameter of identically designed field effect transistors within one or more regions of all IC chips of the second wafer based on a values of the test device parameter measured on test devices in regions of the IC chip of the first wafer by a non-uniform adjustment of physical or metallurgical polysilicon gate widths of the identically designed field effect transistors from region to region within each IC chip.

摘要翻译： 一种降低参数变化减小的集成电路（IC）芯片和IC芯片的参数变化的方法。 该方法包括：在具有第一芯片布置的第一晶片上，将每个IC芯片分成第二区域布置，测量分布在不同区域中的测试装置的测试装置参数; 并且在具有IC芯片的第一布置和第二区域布置的第二晶片上，基于测试值调整第二晶片的所有IC芯片的一个或多个区域内相同设计的场效应晶体管的功能器件参数 在第一晶片的IC芯片的区域中的测试装置上测量的器件参数通过在每个IC芯片内的区域到区域的相同设计的场效应晶体管的物理或冶金多晶硅栅极宽度的不均匀调整而不均匀地调整。