公开(公告)号：US20080194097A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12068410

申请日：2008-02-06

申请人： Eun-Sung Kim ,  Tae-Kyu Kim ,  Seok-Hwan Oh

发明人： Eun-Sung Kim ,  Tae-Kyu Kim ,  Seok-Hwan Oh

IPC分类号： H01L21/4757 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31133 ,  H01L21/32139

摘要： A method of reworking a semiconductor substrate and a method of forming a pattern of semiconductor device using the same without damage to an organic anti-reflective coating (ARC) is provided. The method of reworking a semiconductor substrate includes forming a photoresist pattern on a substrate having the organic ARC formed thereon. An entire surface of the substrate having the photoresist pattern formed thereon may be exposed when a defect is present in the photoresist pattern. The entire-surface-exposed photoresist pattern may be removed by performing a developing process without damage to the organic ARC.

摘要翻译： 提供了对半导体衬底进行再加工的方法和使用其形成半导体器件的图案而不损坏有机抗反射涂层（ARC）的方法。 半导体衬底的再加工方法包括在其上形成有机ARC的衬底上形成光致抗蚀剂图案。 当在光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可以暴露出其上形成有光致抗蚀剂图案的基板的整个表面。 可以通过执行显影过程而不损坏有机ARC来去除全表面暴露的光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US08492058B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13710643

申请日：2012-12-11

申请人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

发明人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70616

摘要： The energy distribution of exposure light directed passing through the slit of an exposure apparatus is determined. A photoresist layer on a substrate is exposed over a plurality of shots while changing the intensity of the exposure light for each shot. Then the photoresist layer is developed to form a sample photoresist layer. An image of the developed sample photoresist layer is analyzed for color intensity. Values of the color intensity across a selected one of the shots are correlated with values of the intensity of the exposure light to produce an energy distribution of the exposure light along the length of the slit. The energy distribution is used to change the slit so that a more desirable energy distribution may be realized when the slit is used in a process of manufacturing a semiconductor device.

摘要翻译： 确定通过曝光装置的狭缝的曝光光的能量分布。 衬底上的光致抗蚀剂层在多次照射下曝光，同时改变每次射击的曝光光的强度。 然后将光致抗蚀剂层显影以形成样品光致抗蚀剂层。 分析显影样品光致抗蚀剂层的图像的颜色强度。 所选择的一个拍摄中的颜色强度的值与曝光光的强度的值相关，以产生沿着狭缝的长度的曝光光的能量分布。 使用能量分布来改变狭缝，使得当在制造半导体器件的工艺中使用狭缝时可以实现更理想的能量分布。

公开(公告)号：US20120257185A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13440112

申请日：2012-04-05

申请人： Jin-Seok HEO ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

发明人： Jin-Seok HEO ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

IPC分类号： G03B27/58

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2031/737 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method of manufacturing a mask includes dividing an upper surface of a template having a design pattern into a plurality of regions, the template being arranged over a polymer layer on a mask substrate, correcting a distorted region among the regions, pressing the polymer layer with the template to form a mask pattern corresponding to the design pattern on the polymer layer; and curing the mask pattern.

摘要翻译： 制造掩模的方法包括将具有设计图案的模板的上表面划分为多个区域，模板布置在掩模基板上的聚合物层上，校正区域之间的变形区域，将聚合物层与 该模板形成对应于聚合物层上的设计图案的掩模图案; 并固化掩模图案。

公开(公告)号：US08227349B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12873574

申请日：2010-09-01

申请人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

发明人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  H01L21/469 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

摘要： A method of forming a mask pattern, a method of forming a minute pattern, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of forming the mask pattern including forming first mask patterns on a substrate; forming first preliminary capping layers on the first mask patterns; irradiating energy to the first preliminary capping patterns to form second preliminary capping layers ionically bonded with the first mask patterns; applying an acid to the second preliminary capping layers to form capping layers; forming a second mask layer between the capping layers, the second mask layer having a solubility lower than that of the capping layers; and removing the capping layers to form second mask patterns.

摘要翻译： 形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法，所述掩模图案的形成方法包括在基板上形成第一掩模图案; 在第一掩模图案上形成第一初步封盖层; 向第一初步封盖图案照射能量以形成与第一掩模图案离子键合的第二初步封盖层; 向第二初步封盖层施加酸以形成封盖层; 在所述封盖层之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的溶解度低于所述封盖层的溶解度; 并去除覆盖层以形成第二掩模图案。

公开(公告)号：US20100007813A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12314693

申请日：2008-12-15

申请人： Jae-Flo Lee ,  Seok-Hwan Oh

发明人： Jae-Flo Lee ,  Seok-Hwan Oh

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/133608 ,  G02F1/133604

摘要： A liquid crystal display (LCD) module includes a bottom case; a reflector on the bottom case; a plurality of lamps on the reflector; a driving voltage supply portion supplying driving voltages to the lamps and coupled with the bottom case using a screw; a side supporter crossing and covering one end portions of the lamps and including a protrusion facing a head of the screw, wherein a distance between the protrusion and the screw is less than a height of the screw; a plurality of optical sheets on the side supporter; a liquid crystal panel on the optical sheets; a main supporter surrounding the optical sheets and the liquid crystal panel; and a top case covering a peripheral region of the liquid crystal panel.

摘要翻译： 液晶显示器（LCD）模块包括底壳; 底壳上的反射器; 反射器上的多个灯; 驱动电压供应部分，向所述灯提供驱动电压并使用螺钉与所述底壳耦合; 横跨并覆盖所述灯的一个端部并且包括面向所述螺钉的头部的突起的侧支撑件，其中所述突起和所述螺钉之间的距离小于所述螺钉的高度; 在侧支撑件上的多个光学片; 光学片上的液晶面板; 围绕光学片和液晶面板的主支架; 以及覆盖液晶面板的周边区域的顶壳。

公开(公告)号：US20050026385A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10932032

申请日：2004-09-02

申请人： Dae-Joung Kim ,  Seok-Hwan Oh

发明人： Dae-Joung Kim ,  Seok-Hwan Oh

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/425 ,  H01L21/66

CPC分类号： G03F7/70633

摘要： In a method for forming a semiconductor device and a semiconductor device having an overlay mark, a first pattern for the semiconductor device is formed in a semiconductor device formation region of a semiconductor substrate and simultaneously in a first mark formation region of the semiconductor substrate. A second pattern for the semiconductor device is formed on a resultant structure in the semiconductor device formation region of the semiconductor substrate and simultaneously in a second mark formation region of the semiconductor substrate. The first and second patterns in the first and second mark formation regions, respectively, are inspected for misalignments using overlay marks formed to have shapes and sizes identical to those of real patterns in the semiconductor device formation region of the semiconductor substrate. By measuring misalignments of real patterns using the overlay marks, overlay mismatch between the semiconductor device formation region and the overlay mark may be prevented.

摘要翻译： 在用于形成半导体器件的方法和具有覆盖标记的半导体器件中，半导体器件的第一图案形成在半导体衬底的半导体器件形成区域中，同时在半导体衬底的第一标记形成区域中形成。 在半导体衬底的半导体器件形成区域中的合成结构上形成半导体器件的第二图案，并且同时在半导体衬底的第二标记形成区域中形成半导体器件的第二图案。 使用形成为具有与半导体衬底的半导体器件形成区域中的实际图案的形状和尺寸相同的形状和尺寸的覆盖标记来分别检查第一和第二标记形成区域中的第一和第二图案的未对准。 通过使用覆盖标记测量实际图案的不对准，可以防止半导体器件形成区域和覆盖标记之间的覆盖不匹配。

公开(公告)号：US09256124B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US13440112

申请日：2012-04-05

申请人： Jin-Seok Heo ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

发明人： Jin-Seok Heo ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

IPC分类号： B29C43/02 ,  G03F7/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2031/737 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A method of manufacturing a mask includes dividing an upper surface of a template having a design pattern into a plurality of regions, the template being arranged over a polymer layer on a mask substrate, correcting a distorted region among the regions, pressing the polymer layer with the template to form a mask pattern corresponding to the design pattern on the polymer layer; and curing the mask pattern.

摘要翻译： 制造掩模的方法包括将具有设计图案的模板的上表面划分为多个区域，模板布置在掩模基板上的聚合物层上，校正区域之间的变形区域，将聚合物层与 该模板形成对应于聚合物层上的设计图案的掩模图案; 并固化掩模图案。

公开(公告)号：US20090147225A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12292731

申请日：2008-11-25

申请人： Sang-Yoon Woo ,  Yong-Jin Cho ,  Seok-Hwan Oh

发明人： Sang-Yoon Woo ,  Yong-Jin Cho ,  Seok-Hwan Oh

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： An apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the apparatus may be provided. The manufacturing apparatus may include a liquid supplying portion for forming a liquid film, and a gas supplying unit that may rotate to discharge gas at a wide range of angles. The manufacturing method may include forming a shape and size of a liquid film common to the shape and size of an exposure region through adjusting the direction and pressure in which gas may be discharged to the substrate. Thus, the speed at which a substrate may be moved may be increased, and morphology differences of a substrate may be reduced.

摘要翻译： 可以提供一种用于制造半导体器件的设备和使用该设备制造半导体器件的方法。 制造装置可以包括用于形成液膜的液体供应部分和可以旋转以在宽范围角度排出气体的气体供应单元。 制造方法可以包括通过调节将气体排出到基板的方向和压力来形成与曝光区域的形状和尺寸共同的液膜的形状和尺寸。 因此，衬底可能被移动的速度可能增加，并且可能降低衬底的形态差异。

公开(公告)号：US07027636B2

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：US09983741

申请日：2001-10-25

申请人： Seok-Hwan Oh

发明人： Seok-Hwan Oh

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G06T7/0002 ,  G06T7/60 ,  G06T7/62 ,  G06T2200/24 ,  G06T2207/30148

摘要： A method of detecting measurement errors in a measurement system includes: a) imaging a pattern, the imaged pattern including a plurality of critical dimension measurement dots, and b) automatically detecting a non-smooth connection of the plurality of the critical dimension measurement dots.

公开(公告)号：US06803292B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10602149

申请日：2003-06-25

申请人： Dae-Joung Kim ,  Seok-Hwan Oh

发明人： Dae-Joung Kim ,  Seok-Hwan Oh

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： G03F7/70633

摘要： In a method for forming a semiconductor device and a semiconductor device having an overlay mark, a first pattern for the semiconductor device is formed in a semiconductor device formation region of a semiconductor substrate and simultaneously in a first mark formation region of the semiconductor substrate. A second pattern for the semiconductor device is formed on a resultant structure in the semiconductor device formation region of the semiconductor substrate and simultaneously in a second mark formation region of the semiconductor substrate. The first and second patterns in the first and second mark formation regions, respectively, are inspected for misalignments using overlay marks formed to have shapes and sizes identical to those of real patterns in the semiconductor device formation region of the semiconductor substrate. By measuring misalignments of real patterns using the overlay marks, overlay mismatch between the semiconductor device formation region and the overlay mark may be prevented.

摘要翻译： 在用于形成半导体器件的方法和具有覆盖标记的半导体器件中，半导体器件的第一图案形成在半导体衬底的半导体器件形成区域中，同时在半导体衬底的第一标记形成区域中形成。 在半导体衬底的半导体器件形成区域中的合成结构上形成半导体器件的第二图案，并且同时在半导体衬底的第二标记形成区域中形成半导体器件的第二图案。 使用形成为具有与半导体衬底的半导体器件形成区域中的实际图案的形状和尺寸相同的形状和尺寸的覆盖标记来分别检查第一和第二标记形成区域中的第一和第二图案的未对准。 通过使用覆盖标记测量实际图案的不对准，可以防止半导体器件形成区域和覆盖标记之间的覆盖不匹配。