利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

30 条记录 (耗时 0.027 秒)

    APPARATUS FOR MANUFACTURING A MASK
    2.
    发明申请
    APPARATUS FOR MANUFACTURING A MASK 有权
    制造面罩的装置

    公开(公告)号：US20120257185A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：US13440112

    申请日：2012-04-05

    申请人： Jin-Seok HEO ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    发明人： Jin-Seok HEO ,  Chang-Min Park ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    IPC分类号： G03B27/58

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0827 ,  B29L2031/737 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

    摘要： A method of manufacturing a mask includes dividing an upper surface of a template having a design pattern into a plurality of regions, the template being arranged over a polymer layer on a mask substrate, correcting a distorted region among the regions, pressing the polymer layer with the template to form a mask pattern corresponding to the design pattern on the polymer layer; and curing the mask pattern.

    摘要翻译： 制造掩模的方法包括将具有设计图案的模板的上表面划分为多个区域，模板布置在掩模基板上的聚合物层上，校正区域之间的变形区域，将聚合物层与 该模板形成对应于聚合物层上的设计图案的掩模图案; 并固化掩模图案。

    Method of measuring an overlay of an object
    3.
    发明授权
    Method of measuring an overlay of an object 有权
    测量物体重叠的方法

    公开(公告)号：US08930011B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13107166

    申请日：2011-05-13

    申请人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    发明人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    IPC分类号： G06F19/00 ,  H01L21/00 ,  G06K9/00 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70633

    摘要： A method of measuring an overlay of an object is provided. In the method, first information of a first structure may be obtained. A preliminary structure may be formed on the first structure. Second information of the preliminary structure may be obtained. The first information and the second information may be processed to obtain virtual information of a second structure that would be formed on the first structure if a process is performed on the preliminary structure. A virtual overlay between the first structure and the second structure may be measured using the virtual information.

    摘要翻译： 提供了一种测量物体的重叠的方法。 在该方法中，可以获得第一结构的第一信息。 可以在第一结构上形成初步结构。 可以获得初步结构的第二信息。 如果对初步结构执行处理，则可以处理第一信息和第二信息以获得将在第一结构上形成的第二结构的虚拟信息。 可以使用虚拟信息来测量第一结构和第二结构之间的虚拟覆盖。

    Photolithography method including technique of determining distribution of energy of exposure light passing through slit of exposure apparatus
    4.
    发明授权
    Photolithography method including technique of determining distribution of energy of exposure light passing through slit of exposure apparatus 有权
    光刻方法，包括确定通过曝光装置的狭缝的曝光光的能量分布的技术

    公开(公告)号：US08338063B2

    公开(公告)日：2012-12-25

    申请号：US13402902

    申请日：2012-02-23

    申请人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    发明人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    IPC分类号： G03F9/00

    CPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70616

    摘要： The energy distribution of exposure light directed passing through the slit of an exposure apparatus is determined. A photoresist layer on a substrate is exposed over a plurality of shots while changing the intensity of the exposure light for each shot. Then the photoresist layer is developed to form a sample photoresist layer. An image of the developed sample photoresist layer is analyzed for color intensity. Values of the color intensity across a selected one of the shots are correlated with values of the intensity of the exposure light to produce an energy distribution of the exposure light along the length of the slit. The energy distribution is used to change the slit so that a more desirable energy distribution may be realized when the slit is used in a process of manufacturing a semiconductor device.

    摘要翻译： 确定通过曝光装置的狭缝的曝光光的能量分布。 衬底上的光致抗蚀剂层在多次照射下曝光，同时改变每次射击的曝光光的强度。 然后将光致抗蚀剂层显影以形成样品光致抗蚀剂层。 分析显影样品光致抗蚀剂层的图像的颜色强度。 所选择的一个拍摄中的颜色强度的值与曝光光的强度的值相关，以产生沿着狭缝的长度的曝光光的能量分布。 使用能量分布来改变狭缝，使得当在制造半导体器件的工艺中使用狭缝时可以实现更理想的能量分布。

    METHOD OF MEASURING AN OVERLAY OF AN OBJECT
    5.
    发明申请
    METHOD OF MEASURING AN OVERLAY OF AN OBJECT 有权
    测量对象覆盖的方法

    公开(公告)号：US20110320025A1

    公开(公告)日：2011-12-29

    申请号：US13107166

    申请日：2011-05-13

    申请人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    发明人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/70633

    摘要： A method of measuring an overlay of an object is provided. In the method, first information of a first structure may be obtained. A preliminary structure may be formed on the first structure. Second information of the preliminary structure may be obtained. The first information and the second information may be processed to obtain virtual information of a second structure that would be formed on the first structure if a process is performed on the preliminary structure. A virtual overlay between the first structure and the second structure may be measured using the virtual information.

    摘要翻译： 提供了一种测量物体的重叠的方法。 在该方法中，可以获得第一结构的第一信息。 可以在第一结构上形成初步结构。 可以获得初步结构的第二信息。 如果对初步结构执行处理，则可以处理第一信息和第二信息以获得将在第一结构上形成的第二结构的虚拟信息。 可以使用虚拟信息来测量第一结构和第二结构之间的虚拟覆盖。

    Photolithography method including technique of determining distribution of energy of exposure light passing through slit of exposure apparatus
    6.
    发明授权
    Photolithography method including technique of determining distribution of energy of exposure light passing through slit of exposure apparatus 有权
    光刻方法，包括确定通过曝光装置的狭缝的曝光光的能量分布的技术

    公开(公告)号：US08492058B2

    公开(公告)日：2013-07-23

    申请号：US13710643

    申请日：2012-12-11

    申请人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    发明人： Jin-Seok Heo ,  Seok-Hwan Oh ,  Jeong-Ho Yeo

    IPC分类号： G03F9/00

    CPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70616

    摘要： The energy distribution of exposure light directed passing through the slit of an exposure apparatus is determined. A photoresist layer on a substrate is exposed over a plurality of shots while changing the intensity of the exposure light for each shot. Then the photoresist layer is developed to form a sample photoresist layer. An image of the developed sample photoresist layer is analyzed for color intensity. Values of the color intensity across a selected one of the shots are correlated with values of the intensity of the exposure light to produce an energy distribution of the exposure light along the length of the slit. The energy distribution is used to change the slit so that a more desirable energy distribution may be realized when the slit is used in a process of manufacturing a semiconductor device.

    摘要翻译： 确定通过曝光装置的狭缝的曝光光的能量分布。 衬底上的光致抗蚀剂层在多次照射下曝光，同时改变每次射击的曝光光的强度。 然后将光致抗蚀剂层显影以形成样品光致抗蚀剂层。 分析显影样品光致抗蚀剂层的图像的颜色强度。 所选择的一个拍摄中的颜色强度的值与曝光光的强度的值相关，以产生沿着狭缝的长度的曝光光的能量分布。 使用能量分布来改变狭缝，使得当在制造半导体器件的工艺中使用狭缝时可以实现更理想的能量分布。

    Liquid crystal display module
    7.
    发明授权
    Liquid crystal display module 有权
    液晶显示模块

    公开(公告)号：US07944519B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US12314693

    申请日：2008-12-15

    申请人： Jae-Ho Lee ,  Seok-Hwan Oh

    发明人： Jae-Ho Lee ,  Seok-Hwan Oh

    IPC分类号： G02F1/1333 ,  G09F13/04 ,  F21V7/04

    CPC分类号： G02F1/133608 ,  G02F1/133604

    摘要： A liquid crystal display (LCD) module includes a bottom case; a reflector on the bottom case; a plurality of lamps on the reflector; a driving voltage supply portion supplying driving voltages to the lamps and coupled with the bottom case using a screw; a side supporter crossing and covering one end portions of the lamps and including a protrusion facing a head of the screw, wherein a distance between the protrusion and the screw is less than a height of the screw; a plurality of optical sheets on the side supporter; a liquid crystal panel on the optical sheets; a main supporter surrounding the optical sheets and the liquid crystal panel; and a top case covering a peripheral region of the liquid crystal panel.

    摘要翻译： 液晶显示器（LCD）模块包括底壳; 底壳上的反射器; 反射器上的多个灯; 驱动电压供应部分，向所述灯提供驱动电压并使用螺钉与所述底壳耦合; 横跨并覆盖所述灯的一个端部并且包括面向所述螺钉的头部的突起的侧支撑件，其中所述突起和所述螺钉之间的距离小于所述螺钉的高度; 在侧支撑件上的多个光学片; 光学片上的液晶面板; 围绕光学片和液晶面板的主支架; 以及覆盖液晶面板的周边区域的顶壳。

    Method of reworking a semiconductor substrate and method of forming a pattern of a semiconductor device
    8.
    发明授权
    Method of reworking a semiconductor substrate and method of forming a pattern of a semiconductor device 有权
    半导体衬底的再加工方法以及形成半导体器件的图案的方法

    公开(公告)号：US07825041B2

    公开(公告)日：2010-11-02

    申请号：US12068410

    申请日：2008-02-06

    申请人： Eun-Sung Kim ,  Tae-Kyu Kim ,  Seok-Hwan Oh

    发明人： Eun-Sung Kim ,  Tae-Kyu Kim ,  Seok-Hwan Oh

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/31133 ,  H01L21/32139

    摘要： A method of reworking a semiconductor substrate and a method of forming a pattern of semiconductor device using the same without damage to an organic anti-reflective coating (ARC) is provided. The method of reworking a semiconductor substrate includes forming a photoresist pattern on a substrate having the organic ARC formed thereon. An entire surface of the substrate having the photoresist pattern formed thereon may be exposed when a defect is present in the photoresist pattern. The entire-surface-exposed photoresist pattern may be removed by performing a developing process without damage to the organic ARC.

    摘要翻译： 提供了对半导体衬底进行再加工的方法和使用其形成半导体器件的图案而不损坏有机抗反射涂层（ARC）的方法。 半导体衬底的再加工方法包括在其上形成有机ARC的衬底上形成光致抗蚀剂图案。 当在光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可以暴露出其上形成有光致抗蚀剂图案的基板的整个表面。 可以通过执行显影过程而不损坏有机ARC来去除全表面暴露的光致抗蚀剂图案。

    Multi-exposure semiconductor fabrication mask sets and methods of fabricating such multi-exposure mask sets
    10.
    发明授权
    Multi-exposure semiconductor fabrication mask sets and methods of fabricating such multi-exposure mask sets 有权
    多曝光半导体制造掩模组和制造这种多曝光掩模组的方法

    公开(公告)号：US07604907B2

    公开(公告)日：2009-10-20

    申请号：US11243401

    申请日：2005-10-04

    申请人： Doo-Youl Lee ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Sang-Gyun Woo ,  Sook Lee ,  Joo-On Park ,  Sung-Gon Jung

    发明人： Doo-Youl Lee ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Sang-Gyun Woo ,  Sook Lee ,  Joo-On Park ,  Sung-Gon Jung

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/00

    摘要： Mask sets are provided which may be used to define a first pattern region that has a first pitch pattern and a second pattern region that has a second pitch pattern during the fabrication of a semiconductor device. These mask sets may include a first mask that has a first exposure region in which a first halftone pattern defines the first pattern region and a first screen region in which a first shield layer covers the second pattern region. These mask sets may further include a second mask that has a second exposure region in which a second halftone pattern defines the second pattern region and a second screen region in which a second shield layer covers the first pattern region. The second shield layer also extends from the second screen region to cover a portion of the second halftone pattern.

    摘要翻译： 提供掩模组，其可以用于限定在制造半导体器件期间具有第一间距图案的第一图案区域和具有第二间距图案的第二图案区域。 这些掩模组可以包括具有第一曝光区域的第一掩模，其中第一半色调图案限定第一图案区域和第一屏蔽区域，其中第一屏蔽层覆盖第二图案区域。 这些掩模组还可以包括具有第二曝光区域的第二掩模，其中第二半色调图案限定第二图案区域和第二屏蔽区域，其中第二屏蔽层覆盖第一图案区域。 第二屏蔽层也从第二屏幕区域延伸以覆盖第二半色调图案的一部分。