公开(公告)号：US20120187577A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13439198

申请日：2012-04-04

申请人： Steven A. Cordes ,  Matthew J. Farinelli ,  Sherif A. Goma ,  Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker ,  James L. Speidell

发明人： Steven A. Cordes ,  Matthew J. Farinelli ,  Sherif A. Goma ,  Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker ,  James L. Speidell

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17183 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/81

摘要： The present invention allows for direct chip-to-chip connections using the shortest possible signal path.

摘要翻译： 本发明允许使用尽可能短的信号路径进行直接芯片到芯片的连接。

公开(公告)号：US07915064B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12538515

申请日：2009-08-10

申请人： Guy A. Cohen ,  Steven A. Cordes ,  Sherif A. Goma ,  Joanna Rosner ,  Jeannine M. Trewhella

发明人： Guy A. Cohen ,  Steven A. Cordes ,  Sherif A. Goma ,  Joanna Rosner ,  Jeannine M. Trewhella

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31051 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76838

摘要： A process for overcoming extreme topographies by first planarizing a cavity in a semiconductor substrate in order to create a planar surface for subsequent lithography processing. As a result of the planarizing process for extreme topographies, subsequent lithography processing is enabled including the deposition of features in close proximity to extreme topographic surfaces (e.g., deep cavities or channels) and, including the deposition of features within a cavity. In a first embodiment, the process for planarizing a cavity in a semiconductor substrate includes the application of dry film resists having high chemical resistance. In a second embodiment, the process for planarizing a cavity includes the filling of cavity using materials such as polymers, spin on glasses, and metallurgy.

摘要翻译： 通过首先平面化半导体衬底中的空腔以便创建用于后续光刻处理的平坦表面来克服极端形貌的过程。 作为极端形貌的平面化处理的结果，可以进行随后的光刻处理，包括紧邻极端地形表面（例如，深空腔或通道）的特征沉积，并且包括在空腔内沉积特征。 在第一实施例中，用于平面化半导体衬底中的腔的方法包括施加具有高耐化学性的干膜抗蚀剂。 在第二实施例中，用于平坦化空腔的方法包括使用诸如聚合物，玻璃旋转和冶金的材料来填充空腔。

公开(公告)号：US08603846B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13024711

申请日：2011-02-10

申请人： Guy A. Cohen ,  Steven A. Cordes ,  Sherif A. Goma ,  Joanna Rosner ,  Jeannine M. Trewhella

发明人： Guy A. Cohen ,  Steven A. Cordes ,  Sherif A. Goma ,  Joanna Rosner ,  Jeannine M. Trewhella

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31051 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0119 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76838

摘要： A process for overcoming extreme topographies by first planarizing a cavity in a semiconductor substrate in order to create a planar surface for subsequent lithography processing. As a result of the planarizing process for extreme topographies, subsequent lithography processing is enabled including the deposition of features in close proximity to extreme topographic surfaces (e.g., deep cavities or channels) and, including the deposition of features within a cavity. In a first embodiment, the process for planarizing a cavity in a semiconductor substrate includes the application of dry film resists having high chemical resistance. In a second embodiment, the process for planarizing a cavity includes the filling of cavity using materials such as polymers, spin on glasses, and metallurgy.

摘要翻译： 通过首先平面化半导体衬底中的空腔以便创建用于后续光刻处理的平坦表面来克服极端形貌的过程。 作为极端形貌的平面化处理的结果，可以进行随后的光刻处理，包括紧邻极端地形表面（例如，深空腔或通道）的特征沉积，并且包括在空腔内沉积特征。 在第一实施例中，用于平面化半导体衬底中的腔的方法包括施加具有高耐化学性的干膜抗蚀剂。 在第二实施例中，用于平坦化空腔的方法包括使用诸如聚合物，玻璃旋转和冶金的材料来填充空腔。

公开(公告)号：US08551816B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13439198

申请日：2012-04-04

申请人： Steven A. Cordes ,  Matthew J. Farinelli ,  Sherif A. Goma ,  Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker ,  James L. Speidell

发明人： Steven A. Cordes ,  Matthew J. Farinelli ,  Sherif A. Goma ,  Peter A. Gruber ,  John U. Knickerbocker ,  James L. Speidell

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17183 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/81

摘要： The present invention allows for direct chip-to-chip connections using the shortest possible signal path.

摘要翻译： 本发明允许使用尽可能短的信号路径进行直接芯片到芯片的连接。