公开(公告)号：US07799582B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US12502523

申请日：2009-07-14

申请人： Kezhakkedath R. Udayakumar ,  Lindsey H. Hall ,  Francis G. Celii ,  Scott R. Summerfelt

发明人： Kezhakkedath R. Udayakumar ,  Lindsey H. Hall ,  Francis G. Celii ,  Scott R. Summerfelt

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A ferroelectric memory device is fabricated while mitigating edge degradation. A bottom electrode is formed over one or more semiconductor layers. A ferroelectric layer is formed over the bottom electrode. A top electrode is formed over the ferroelectric layer. The top electrode, the ferroelectric layer, and the bottom electrode are patterned or etched. A dry clean is performed that mitigates edge degradation. A wet etch/clean is then performed.

摘要翻译： 制造铁电存储器件，同时减轻边缘退化。 在一个或多个半导体层上形成底部电极。 在底部电极上形成铁电层。 顶部电极形成在铁电层上。 上电极，铁电层和底电极被图案化或蚀刻。 进行干洗以减轻边缘退化。 然后进行湿蚀刻/清洁。

公开(公告)号：US07425512B2

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US10721932

申请日：2003-11-25

申请人： Kezhakkedath R. Udayakumar ,  Ted S. Moise ,  Scott R. Summerfelt ,  Martin G. Albrecht ,  William W. Dostalik, Jr. ,  Francis G. Celii

发明人： Kezhakkedath R. Udayakumar ,  Ted S. Moise ,  Scott R. Summerfelt ,  Martin G. Albrecht ,  William W. Dostalik, Jr. ,  Francis G. Celii

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/76895 ,  H01L28/55

摘要： The present invention provides a method for etching a substrate, a method for forming an integrated circuit, an integrated circuit formed using the method, and an integrated circuit. The method for etching a substrate includes, among other steps, providing a substrate 140 having an aluminum oxide etch stop layer 130 located thereunder, and then etching an opening 150, 155, in the substrate 140 using an etchant comprising carbon oxide, a fluorocarbon, an etch rate modulator, and an inert carrier gas, wherein a flow rate of the carbon oxide is greater than about 80 sccm and the etchant is selective to the aluminum oxide etch stop layer 130. The aluminum oxide etch stop layer may also be used in the back-end of advanced CMOS processes as a via etch stop layer.

摘要翻译： 本发明提供了蚀刻基板的方法，集成电路的形成方法，使用该方法形成的集成电路和集成电路。 除了其他步骤之外，用于蚀刻衬底的方法包括提供具有位于其下方的氧化铝蚀刻停止层130的衬底140，然后使用包含碳氧化物，碳氟化合物的蚀刻剂在衬底140中蚀刻开口150,155， 蚀刻速率调制器和惰性载气，其中碳氧化物的流速大于约80sccm，并且蚀刻剂对氧化铝蚀刻停止层130是选择性的。 氧化铝蚀刻停止层也可用作先进CMOS工艺的后端作为通孔蚀刻停止层。

公开(公告)号：US07250349B2

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：US10610498

申请日：2003-06-30

申请人： Francis G. Celii ,  Mahesh J. Thakre ,  Scott R. Summerfelt

发明人： Francis G. Celii ,  Mahesh J. Thakre ,  Scott R. Summerfelt

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/75

摘要： A ferroelectric memory capacitor is formed by forming a barrier layer, a first metal layer, a ferroelectric layer, a second metal layer, and a hard mask layer, on dielectric layer (70). Using the patterned hard mask layer (255), the layers are etched to form an etched barrier layer (205), and etched first metal layer (215), and etched ferroelectric layer (225), and etched second metal layers (235, 245). The etched layers form a ferroelectric memory capacitor (270) with sidewalls that form an angle with the plane of the upper surface of the dielectric layer (70) between 78° and 88°. The processes used to etch the layers are plasma processes performed at temperatures between 200° C. and 500° C.

摘要翻译： 在电介质层（70）上形成阻挡层，第一金属层，铁电体层，第二金属层和硬掩模层，形成铁电存储电容器。 使用图案化的硬掩模层（255），蚀刻这些层以形成蚀刻的阻挡层（205），蚀刻第一金属层（215）和蚀刻铁电层（225），并蚀刻第二金属层 ）。 蚀刻层形成具有与电介质层（70）的上表面的平面形成角度为78°至88°的侧壁的铁电存储电容器（270）。 用于蚀刻层的工艺是在200℃和500℃之间的温度下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：US06509574B2

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：US09728155

申请日：2000-12-04

申请人： Han-Tzong Yuan ,  Tae S. Kim ,  Simon J. Jacobs ,  Francis G. Celii

发明人： Han-Tzong Yuan ,  Tae S. Kim ,  Simon J. Jacobs ,  Francis G. Celii

IPC分类号： G02B2700

CPC分类号： H01L31/173 ,  H01L27/3227

摘要： An optocoupler structure comprising a semiconductor chip having an integrated circuit and an optically transparent, electrically insulating layer having first and second surfaces; an organic diode integral with said first surface, said diode operable to emit electromagnetic radiation; and said circuit including a radiation-sensitive semiconductor device integral with said second surface, electrically isolated from said diode, and positioned in the path of said radiation.

公开(公告)号：US06274979B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09156166

申请日：1998-09-17

申请人： Francis G. Celii ,  Simon J. Jacobs

发明人： Francis G. Celii ,  Simon J. Jacobs

IPC分类号： H01J6304

CPC分类号： H01L51/5092 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5265

摘要： An organic light emitting diode with dielectric barriers (120, 106) at both the anode-organic and the cathode-organic interfaces.

摘要翻译： 一种在阳极 - 有机和阴极 - 有机界面处都具有介电屏障（120,106）的有机发光二极管。

公开(公告)号：US5625204A

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：US480722

申请日：1995-06-07

申请人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

发明人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

IPC分类号： C30B23/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/66 ,  H01L31/0328

CPC分类号： C30B29/40 ,  B24B37/013 ,  C30B23/002 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/26

摘要： A molecular beam epitaxy (MBE) system (10) is provided to grow thin film, epitaxy layers (44, 46, 48, 50) on compound semiconductor substrates (40). A mass spectrometer detector (95) is used to monitor and control the flux from selected sources (21, 23, 25, 27) within the MBE system (10). A uniform layer of indium gallium arsenide (46, 50) may be grown on a semiconductor substrate (40) by controlling the indium flux with respect to substrate (40) temperature and time. An epitaxy layer (46) of indium gallium arsenide with uniform mole fraction concentration and reduced lattice strain is produced.

摘要翻译： 提供分子束外延（MBE）系统（10）以在化合物半导体衬底（40）上生长薄膜，外延层（44,46,48,50）。 质谱仪检测器（95）用于监测和控制来自MBE系统（10）内的所选源（21,23,25,27）的通量。 通过控制相对于衬底（40）的铟通量的温度和时间，可以在半导体衬底（40）上生长均匀的砷化铟镓（46,50）。 产生具有均匀的摩尔分数浓度和减小的晶格应变的砷化铟镓的外延层（46）。

公开(公告)号：US5490880A

公开(公告)日：1996-02-13

申请号：US304985

申请日：1994-12-01

申请人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

发明人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

IPC分类号： C30B23/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/66 ,  C23C14/00

CPC分类号： C30B29/40 ,  B24B37/013 ,  C30B23/002 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/26

摘要： A molecular beam epitaxy (MBE) system (10) is provided to grow thin film, epitaxy layers (44, 46, 48, 50) on compound semiconductor substrates (40). A mass spectrometer detector (95) is used to monitor and control the flux from selected sources (21, 23, 25, 27) within the MBE system (10). A uniform layer of indium gallium arsenide (46, 50) may be grown on a semiconductor substrate (40) by controlling the indium flux with respect to substrate (40) temperature and time. An epitaxy layer (46) of indium gallium arsenide with uniform mole fraction concentration and reduced lattice strain is produced.

摘要翻译： 提供分子束外延（MBE）系统（10）以在化合物半导体衬底（40）上生长薄膜，外延层（44,46,48,50）。 质谱仪检测器（95）用于监测和控制来自MBE系统（10）内的所选源（21,23,25,27）的通量。 通过控制相对于衬底（40）的铟通量的温度和时间，可以在半导体衬底（40）上生长均匀的砷化镓镓（46,50）。 产生具有均匀的摩尔分数浓度和减小的晶格应变的砷化铟镓的外延层（46）。

公开(公告)号：US5400739A

公开(公告)日：1995-03-28

申请号：US958888

申请日：1992-10-09

申请人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

发明人： Yung-Chung Kao ,  Francis G. Celii

IPC分类号： C30B23/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/66 ,  C30B21/00

CPC分类号： C30B29/40 ,  B24B37/013 ,  C30B23/002 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/26

摘要： A molecular beam epitaxy (MBE) system (10) is provided to grow thin film, epitaxy layers (44, 46, 48, 50) on compound semiconductor substrates (40). A mass spectrometer detector (95) is used to monitor and control the flux from selected sources (21, 23, 25, 27) within the MBE system (10). A uniform layer of indium gallium arsenide (46, 50) may be grown on a semiconductor substrate (40) by controlling the indium flux with respect to substrate (40) temperature and time. An epitaxy layer (46) of indium gallium arsenide with uniform mole fraction concentration and reduced lattice strain is produced.

摘要翻译： 提供分子束外延（MBE）系统（10）以在化合物半导体衬底（40）上生长薄膜，外延层（44,46,48,50）。 质谱仪检测器（95）用于监测和控制来自MBE系统（10）内的所选源（21,23,25,27）的通量。 通过控制相对于衬底（40）的铟通量的温度和时间，可以在半导体衬底（40）上生长均匀的砷化镓镓（46,50）。 产生具有均匀的摩尔分数浓度和减小的晶格应变的砷化铟镓的外延层（46）。