公开(公告)号：US08109130B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12537910

申请日：2009-08-07

申请人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N33/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US07475588B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11057734

申请日：2005-02-14

申请人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawacz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N9/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US07296460B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11057594

申请日：2005-02-14

申请人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, Jr. ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N7/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的检测器 结构布置采用基于微机电系统（MEMS）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要高温感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US20110180905A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12997551

申请日：2009-06-08

申请人： Jun-Fei Zheng ,  Jeffrey F. Roeder ,  Philip S.H. Chen

发明人： Jun-Fei Zheng ,  Jeffrey F. Roeder ,  Philip S.H. Chen

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/365

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

摘要： A multilayer film stack containing germanium, antimony and tellurium that can be annealed to form a GST product material of homogeneous and smooth character, wherein at least one antimony-containing layer is isolated from a tellurium-containing layer by an intervening germanium layer, and the multilayer film stack comprises at least two intervening germanium layers. The multilayer film stack can be formed by vapor deposition techniques such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition. The annealable multilayer film stack can be formed in high aspect ratio vias to form phase change memory devices of superior character with respect to the stoichiometric and morphological characteristics of the GST product material.

摘要翻译： 一种含有锗，锑和碲的多层膜堆，其可被退火以形成均匀和平滑特征的GST产​​品材料，其中至少一个含锑层通过中间锗层与含碲层分离，并且 多层膜堆叠包括至少两个中间的锗层。 可以通过诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积技术形成多层膜堆叠。 可退火的多层膜堆叠可以形成在高纵横比通孔中，以形成相对于GST产品材料的化学计量和形态特征的优异特征的相变存储器件。

公开(公告)号：US20090112009A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12263403

申请日：2008-10-31

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/8246 ,  B32B15/00 ,  C07F7/30

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US20120108038A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13346701

申请日：2012-01-09

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US20090215225A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12392009

申请日：2009-02-24

申请人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/20 ,  C07C395/00 ,  C07F7/02 ,  C07D229/00 ,  C07D343/00 ,  C07D293/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C333/16 ,  C07C395/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/305

摘要： Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含碲膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术，前体可用于在制造非易失性相变存储器（PCM）中沉积硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US08802882B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US12862739

申请日：2010-08-24

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US07887883B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12777519

申请日：2010-05-11

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US07786320B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US12464726

申请日：2009-05-12

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。