公开(公告)号：US20060180878A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11393151

申请日：2006-03-29

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, then forming a trench within the first dielectric layer. After forming a second dielectric layer on the substrate, a first metal layer is formed within the trench on a first part of the second dielectric layer. A second metal layer is then formed on the first metal layer and on a second part of the second dielectric layer.

公开(公告)号：US20060157747A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11037512

申请日：2005-01-18

申请人： Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

发明人： Amlan Majumdar ,  Justin Brask ,  Marko Radosavljevic ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Uday Shah ,  James Blackwell

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/938

摘要： A nanotube transistor, such as a carbon nanotube transistor, may be formed with a top gate electrode and a spaced source and drain. Conduction along the transistor from source to drain is controlled by the gate electrode. Underlying the gate electrode are at least two nanotubes. In some embodiments, the substrate may act as a back gate.

摘要翻译： 诸如碳纳米管晶体管的纳米管晶体管可以形成有顶栅电极和间隔开的源极和漏极。 沿晶体管从源极到漏极的导通由栅电极控制。 栅电极底部至少有两个纳米管。 在一些实施例中，衬底可用作背栅。

公开(公告)号：US20050269644A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US10863669

申请日：2004-06-08

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： In a metal gate replacement process, a stack of at least two polysilicon layers or other materials may be formed. Sidewall spacers may be formed on the stack. The stack may then be planarized. Next, the upper layer of the stack may be selectively removed. Then, the exposed portions of the sidewall spacers may be selectively removed. Finally, the lower portion of the stack may be removed to form a T-shaped trench which may be filled with the metal replacement.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，可以形成至少两个多晶硅层或其它材料的堆叠。 侧壁间隔物可以形成在堆叠上。 然后可以将堆叠平坦化。 接下来，可以选择性地去除堆叠的上层。 然后，可以选择性地去除侧壁间隔物的暴露部分。 最后，堆叠的下部可以被去除以形成可以用金属替代物填充的T形沟槽。

公开(公告)号：US20070069302A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11238445

申请日：2005-09-28

申请人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

发明人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78684

摘要： A method utilizing a common gate electrode material with a single work function for both the pMOS and nMOS transistors where the magnitude of the transistor threshold voltages is modified by semiconductor band engineering and article made thereby.

摘要翻译： 利用对pMOS和nMOS晶体管具有单功函数的公共栅电极材料的方法，其中晶体管阈值电压的幅度由半导体带工程和由此制成的制品修改。

公开(公告)号：US20060286755A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11154138

申请日：2005-06-15

申请人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L31/119 ,  H01L31/113 ,  H01L31/062 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。

公开(公告)号：US20060094180A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10980522

申请日：2004-11-02

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, forming a barrier layer on the high-k gate dielectric layer, and forming a fully silicided gate electrode on the barrier layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，在高k栅极电介质层上形成阻挡层，并在阻挡层上形成完全硅化的栅电极。

公开(公告)号：US20060051882A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11210220

申请日：2005-08-22

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

公开(公告)号：US20070231984A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11395940

申请日：2006-03-31

申请人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： A method for fabricating a three-dimensional transistor is described. Atomic Layer Deposition of nickel, in one embodiment, is used to form a uniform silicide on all epitaxially grown source and drain regions, including those facing downwardly.

摘要翻译： 对三维晶体管的制造方法进行说明。 原子层在一个实施方案中，镍的沉积用于在所有外延生长的源极和漏极区域上形成均匀的硅化物，包括面向下的源极和漏极区域。

公开(公告)号：US20070029627A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11545313

申请日：2006-10-10

申请人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： In a metal gate replacement process, a cup-shaped gate metal oxide dielectric may have a vertical portion that may be exposed to a silicon ion implantation. As a result of the implantation, the dielectric constant of a vertical portion may be reduced, reducing fringe capacitance.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，杯状栅极金属氧化物电介质可以具有可暴露于硅离子注入的垂直部分。 作为注入的结果，可以减小垂直部分的介电常数，减少边缘电容。

公开(公告)号：US20060220090A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11089247

申请日：2005-03-23

申请人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Brian Doyle ,  Marko Radosavljevic ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/516 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A semiconductor device is described. That semiconductor device comprises a high-k gate dielectric layer that is formed over a channel that is positioned within a substrate, and a metal gate electrode that is formed on the high-k gate dielectric layer. The high-k gate dielectric layer has off-state leakage characteristics that are superior to those of a silicon dioxide based gate dielectric, and on-state mobility characteristics that are superior to those of a high-k gate dielectric that comprises an isotropic material.

摘要翻译： 描述半导体器件。 该半导体器件包括形成在位于衬底内的沟道上的高k栅介质层和形成在高k栅介质层上的金属栅电极。 高k栅极电介质层具有优于基于二氧化硅的栅极电介质的截止状态泄漏特性，以及优于包含各向同性材料的高k栅极电介质的导通状态迁移率特性。