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    Multilevel imprint lithography
    22.
    发明授权
    Multilevel imprint lithography 有权
    多层压印光刻

    公开(公告)号：US07256435B1

    公开(公告)日：2007-08-14

    申请号：US10453329

    申请日：2003-06-02

    申请人： Pavel Kornilovich ,  Yong Chen ,  Duncan Stewart ,  R. Stanley Williams ,  Philip J. Kuekes ,  Mehmet Fatih Yanik

    发明人： Pavel Kornilovich ,  Yong Chen ,  Duncan Stewart ,  R. Stanley Williams ,  Philip J. Kuekes ,  Mehmet Fatih Yanik

    IPC分类号： H01L27/10

    CPC分类号： H01L21/76838 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： A mold with a protruding pattern is provided that is pressed into a thin polymer film via an imprinting process. Controlled connections between nanowires and microwires and other lithographically-made elements of electronic circuitry are provided. An imprint stamp is configured to form arrays of approximately parallel nanowires which have (1) micro dimensions in the X direction, (2) nano dimensions and nano spacing in the Y direction, and three or more distinct heights in the Z direction. The stamp thus formed can be used to connect specific individual nanowires to specific microscopic regions of microscopic wires or pads. The protruding pattern in the mold creates recesses in the thin polymer film, so the polymer layer acquires the reverse of the pattern on the mold. After the mold is removed, the film is processed such that the polymer pattern can be transferred on a metal/semiconductor pattern on the substrate.

    摘要翻译： 提供具有突出图案的模具，其通过压印过程被压入薄聚合物膜。 提供了纳米线和微丝之间的控制连接以及电子电路的其它光刻元件。 打印印记被配置成形成大致平行的纳米线的阵列，其具有（1）X方向上的微尺寸，（2）在Y方向上的纳米尺寸和纳米间距，以及Z方向上的三个或更多个不同的高度。 如此形成的印章可以用于将特定的单个纳米线连接到微细线或垫的特定微观区域。 模具中的突出图案在薄聚合物膜中产生凹陷，因此聚合物层获得模具上图案的相反。 在除去模具之后，处理膜，使得聚合物图案可以在基底上的金属/半导体图案上转印。

    Nanowire interconnection and nano-scale device applications
    24.
    发明申请
    Nanowire interconnection and nano-scale device applications 失效
    纳米线互连和纳米级器件应用

    公开(公告)号：US20060097389A1

    公开(公告)日：2006-05-11

    申请号：US10982051

    申请日：2004-11-05

    申请人： M. Islam ,  Philip Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan Stewart ,  Shashank Sharma

    发明人： M. Islam ,  Philip Kuekes ,  Shih-Yuan Wang ,  Duncan Stewart ,  Shashank Sharma

    IPC分类号： H01L23/48

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/041 ,  H01S5/183 ,  H01S5/341 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3428 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/938

    摘要： A nano-colonnade structure-and methods of fabrication and interconnection thereof utilize a nanowire column grown nearly vertically from a (111) horizontal surface of a semiconductor layer to another horizontal surface of another layer to connect the layers. The nano-colonnade structure includes a first layer having the (111) horizontal surface; a second layer having the other horizontal surface; an insulator support between the first layer and the second layer that separates the first layer from the second layer. A portion of the second layer overhangs the insulator support, such that the horizontal surface of the overhanging portion is spaced from and faces the (111) horizontal surface of the first layer. The structure further includes a nanowire column extending nearly vertically from the (111) horizontal surface to the facing horizontal surface, such that the nanowire column connects the first layer to the second layer.

    摘要翻译： 纳米柱廊结构及其制造和互连方法利用从半导体层的（111）水平表面几乎垂直地生长到另一层的另一水平表面的纳米线列，以连接这些层。 纳米柱廊结构包括具有（111）水平表面的第一层; 具有另一水平表面的第二层; 第一层和第二层之间的绝缘体支撑，其将第一层与第二层分离。 第二层的一部分突出于绝缘体支撑件上，使得伸出部分的水平表面与第一层的（111）水平表面间隔开并面对第一层的（111）水平表面。 该结构还包括从（111）水平表面几乎垂直延伸到相对的水平表面的纳米线列，使得纳米线列将第一层连接到第二层。

    Custom electrodes for molecular memory and logic devices
    25.
    发明申请
    Custom electrodes for molecular memory and logic devices 审中-公开
    用于分子存储器和逻辑器件的定制电极

    公开(公告)号：US20050164412A1

    公开(公告)日：2005-07-28

    申请号：US10995608

    申请日：2004-11-22

    申请人： Patricia Beck ,  Douglas Ohlberg ,  Duncan Stewart ,  Zhiyong Li

    发明人： Patricia Beck ,  Douglas Ohlberg ,  Duncan Stewart ,  Zhiyong Li

    IPC分类号： H01L21/28 ,  G11C13/02 ,  H01L21/285 ,  H01L27/28 ,  H01L29/06 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/28 ,  G11C13/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for tailoring at least portions of an exposed non-planar layered surface of a conductive layer formed on a substrate having a first surface roughness to provide the exposed surface with a second surface roughness. The method includes: forming the conductive layer on the substrate; and tailoring at least portions of the exposed surface of the conductive layer in a plasma to at least smooth the exposed surface of the conductive layer, whereby the second surface roughness is essentially the same as the first surface roughness.

    摘要翻译： 一种用于调整形成在具有第一表面粗糙度的基底上的导电层的暴露的非平面层状表面的至少一部分以提供具有第二表面粗糙度的暴露表面的方法。 该方法包括：在基板上形成导电层; 以及在等离子体中定制导电层的暴露表面的至少部分，以至少平滑导电层的暴露表面，由此第二表面粗糙度基本上与第一表面粗糙度相同。

    Custom electrodes for molecular memory and logic devices
    27.
    发明申请
    Custom electrodes for molecular memory and logic devices 审中-公开
    用于分子存储器和逻辑器件的定制电极

    公开(公告)号：US20050026427A1

    公开(公告)日：2005-02-03

    申请号：US10930062

    申请日：2004-08-30

    申请人： Patricia Beck ,  Douglas Ohlberg ,  Duncan Stewart ,  Zhiyong Li

    发明人： Patricia Beck ,  Douglas Ohlberg ,  Duncan Stewart ,  Zhiyong Li

    IPC分类号： H01L21/28 ,  G11C13/02 ,  H01L21/285 ,  H01L27/28 ,  H01L29/06 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L27/28 ,  G11C13/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method is provided for fabricating molecular electronic devices comprising at least a bottom electrode and a molecular switch film on the bottom electrode. The method includes forming the bottom electrode by a process including: cleaning portions of the substrate where the bottom electrode is to be deposited; pre-sputtering the portions; depositing a conductive layer on at least the portions; and cleaning the top surface of the conductive layer. Advantageously, the conductive electrode properties include: low or controlled oxide formation (or possibly passivated), high melting point, high bulk modulus, and low diffusion. Smooth deposited film surfaces are compatible with Langmuir-Blodgett molecular film deposition. Tailored surfaces are further useful for SAM deposition. The metallic nature gives high conductivity connection to molecules. Barrier layers may be added to the device stack, i.e., Al2O3 over the conductive layer.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造分子电子器件的方法，该分子电子器件至少包括底部电极和底部电极上的分子开关膜。 该方法包括通过以下工艺形成底部电极，该方法包括：清洗要沉积底部电极的衬底的部分; 预溅射部分; 在至少部分上沉积导电层; 并清洁导电层的顶表面。 有利地，导电电极的性质包括：低或受控的氧化物形成（或可能钝化），高熔点，高体积弹性模量和低扩散。 光滑的沉积膜表面与Langmuir-Blodgett分子膜沉积相容。 定制的表面对于SAM沉积是更有用的。 金属性质使分子具有高导电性。 阻挡层可以被添加到器件堆叠，即在导电层上的Al 2 O 3。

    Field-emission ion source and ion thruster apparatus comprising such sources
    29.
    发明授权
    Field-emission ion source and ion thruster apparatus comprising such sources 失效
    场致发射离子源和包括这种源的离子推进器装置

    公开(公告)号：US4328667A

    公开(公告)日：1982-05-11

    申请号：US25348

    申请日：1979-03-30

    申请人： Dominique R. Valentian ,  Cesare M. Bartoli ,  Heinrich A. Pfeffer ,  Hans-Joachim Herhudt V. Rohden ,  Duncan Stewart

    发明人： Dominique R. Valentian ,  Cesare M. Bartoli ,  Heinrich A. Pfeffer ,  Hans-Joachim Herhudt V. Rohden ,  Duncan Stewart

    IPC分类号： F03H1/00 ,  H01J27/26

    CPC分类号： F03H1/005 ,  H01J27/26

    摘要： A field-emission ion source in which, under the influence of an electric field, ions are released from a metal or metal alloy present in an enclosed space in the liquid state. The ions are emitted from this space through a very narrow slit. This slit may be straight or curved. The field-emission ion source can be used in an ion thruster apparatus comprising an emitter module, an electrode system, and a power supply unit. A plurality of emitter modules can be combined to form an ion thruster apparatus having a greater ion current output. Instead of a liquid metal as the propellant, a metal in the solid phase can be supplied to the emitter module, which metal is melted in the emitter module.

    摘要翻译： 一种场致发射离子源，其中在电场的影响下，离子从处于液态的封闭空间中的金属或金属合金释放出来。 离子通过非常狭窄的狭缝从该空间发射。 该狭缝可以是直的或弯曲的。 场致发射离子源可用于包括发射器模块，电极系统和电源单元的离子推进器装置中。 多个发射器模块可以组合以形成具有更大离子电流输出的离子推进器装置。 代替液体金属作为推进剂，可以将固相中的金属供应到发射器模块，该发射器模块中的金属在发射器模块中熔化。