公开(公告)号：US20120126353A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13361406

申请日：2012-01-30

申请人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

发明人： Kyungtae Nam ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Junho Jeong

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure and an electrode embedded in a dielectric structure. The MTJ structure includes a free layer. The electrode is formed of silicon-germanium and is electrically connected to the MTJ. The electrode heats the free layer to reduce the coercive force of the free layer to reduce a critical current density.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁隧道结（MTJ）结构和嵌入电介质结构中的电极。 MTJ结构包括一个自由层。 电极由硅锗形成，并与MTJ电连接。 电极加热自由层以降低自由层的矫顽力以降低临界电流密度。

公开(公告)号：US07972955B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12901025

申请日：2010-10-08

申请人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

发明人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a three dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same. The method includes forming a stepwise structure by using mask patterns and a sacrificial mask pattern formed on the mask patterns as a consumable etch mask.

摘要翻译： 提供三维半导体存储器件及其制造方法。 该方法包括通过使用形成在掩模图案上的掩模图案和牺牲掩模图案作为消耗性蚀刻掩模来形成逐步结构。

公开(公告)号：US20110092038A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12901025

申请日：2010-10-08

申请人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

发明人： Sukhun Choi ,  Kyunghyun Kim ,  ChangSup Mun ,  Byoungkeun Son

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a three dimensional semiconductor memory device and a method of fabricating the same. The method includes forming a stepwise structure by using mask patterns and a sacrificial mask pattern formed on the mask patterns as a consumable etch mask.

摘要翻译： 提供三维半导体存储器件及其制造方法。 该方法包括通过使用形成在掩模图案上的掩模图案和牺牲掩模图案作为消耗性蚀刻掩模来形成逐步结构。

公开(公告)号：US20100254191A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12752485

申请日：2010-04-01

申请人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

发明人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

IPC分类号： G11C16/02 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G11C7/18 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device includes a substantially planar substrate; a memory string vertical to the substrate, the memory string comprising a plurality of storage cells; and a plurality of elongated word lines, each word line including a first portion substantially parallel to the substrate and connected to the memory string and a second portion substantially inclined relative to the substrate and extending above the substrate, wherein a first group of the plurality of word lines are electrically connected to first conductive lines disposed at a first side of the memory string, and a second group of the plurality of word lines are electrically connected to second conductive lines disposed at a second side of the memory string.

摘要翻译： 半导体存储器件包括基本上平面的衬底; 垂直于衬底的存储器串，所述存储器串包括多个存储单元; 以及多个细长字线，每个字线包括基本上平行于衬底并连接到存储器串的第一部分和相对于衬底基本上倾斜并在衬底上方延伸的第二部分，其中多个 字线电连接到设置在存储器串的第一侧的第一导线，并且多个字线的第二组电连接到设置在存储器串的第二侧的第二导电线。

公开(公告)号：US09048412B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US14206053

申请日：2014-03-12

申请人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Jeahyoung Lee ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim ,  Junho Jeong ,  Sukhun Choi

发明人： Sechung Oh ,  Jangeun Lee ,  Jeahyoung Lee ,  Woojin Kim ,  Woo Chang Lim ,  Junho Jeong ,  Sukhun Choi

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory device may include a first vertical magnetic layer, a non-magnetic layer on the first vertical magnetic layer, and a first junction magnetic layer on the non-magnetic layer, with the non-magnetic layer being between the first vertical magnetic layer and the first junction magnetic layer. A tunnel barrier may be on the first junction magnetic layer, with the first junction magnetic layer being between the non-magnetic layer and the tunnel barrier. A second junction magnetic layer may be on the tunnel barrier with the tunnel barrier being between the first and second junction magnetic layers, and a second vertical magnetic layer may be on the second junction magnetic layer with the second junction magnetic layer being between the tunnel barrier and the second vertical magnetic layer.

摘要翻译： 磁存储器件可以包括第一垂直磁性层，第一垂直磁性层上的非磁性层和非磁性层上的第一结磁性层，其中非磁性层位于第一垂直磁性层之间 和第一结磁性层。 隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中第一结磁性层位于非磁性层和隧道势垒之间。 第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中隧道势垒在第一和第二结磁层之间，第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，第二结磁性层位于隧道势垒之间 和第二垂直磁性层。

公开(公告)号：US08787082B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13594102

申请日：2012-08-24

申请人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

发明人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G11C7/18 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device includes a substantially planar substrate; a memory string vertical to the substrate, the memory string comprising a plurality of storage cells; and a plurality of elongated word lines, each word line including a first portion substantially parallel to the substrate and connected to the memory string and a second portion substantially inclined relative to the substrate and extending above the substrate, wherein a first group of the plurality of word lines are electrically connected to first conductive lines disposed at a first side of the memory string, and a second group of the plurality of word lines are electrically connected to second conductive lines disposed at a second side of the memory string.

摘要翻译： 半导体存储器件包括基本上平面的衬底; 垂直于衬底的存储器串，所述存储器串包括多个存储单元; 和多个细长字线，每个字线包括基本上平行于衬底并连接到存储器串的第一部分和相对于衬底基本上倾斜并在衬底上延伸的第二部分，其中多个 字线电连接到设置在存储器串的第一侧的第一导线，并且多个字线的第二组电连接到设置在存储器串的第二侧的第二导电线。

公开(公告)号：US20140099768A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：US14098212

申请日：2013-12-05

申请人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Injoon Yeo ,  Jeongnam Han

发明人： Sukhun Choi ,  Boun Yoon ,  Injoon Yeo ,  Jeongnam Han

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a device isolation pattern and a passive circuit element. The device isolation pattern is located on the substrate, delimits an active region of the substrate, and includes a recessed portion having a bottom surface located below a plane coincident with a surface of the active region. The passive circuit element is situated in the recess so as to be disposed on the bottom surface of the recessed portion of the device isolation pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，器件隔离图案和无源电路元件。 器件隔离图案位于衬底上，限定衬底的有源区，并且包括具有位于与有源区的表面重合的平面下方的底表面的凹陷部分。 无源电路元件位于凹部中，以设置在器件隔离图案的凹部的底面上。

公开(公告)号：US08648434B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13236888

申请日：2011-09-20

申请人： Woojin Kim ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Younghyun Kim ,  Sukhun Choi ,  Woochang Lim

发明人： Woojin Kim ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Younghyun Kim ,  Sukhun Choi ,  Woochang Lim

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic pattern, a reference pattern, a tunnel barrier pattern interposed between the magnetic pattern and the reference pattern, and at least one magnetic segment disposed inside the magnetic pattern. The magnetic segment(s) is/are of magnetic material whose direction of magnetization has at least a component which lies in a plane perpendicular to the magnetization direction of the magnetic pattern.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁图案，参考图案，介于磁图案和参考图案之间的隧道势垒图案，以及设置在磁图案内的至少一个磁段。 磁性部分是磁性材料，其磁化方向具有至少一个与磁性图案的磁化方向垂直的平面的分量。

公开(公告)号：US08284601B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12752485

申请日：2010-04-01

申请人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

发明人： Byoungkeun Son ,  Hansoo Kim ,  Youngsoo An ,  Mingu Kim ,  Jinho Kim ,  Jaehyoung Choi ,  Sukhun Choi ,  Jae-Joo Shim ,  Wonseok Cho ,  Sunil Shim ,  Ju-Young Lim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L27/0207 ,  G11C7/18 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device includes a substantially planar substrate, a memory string vertical to the substrate, the memory string comprising a plurality of storage cells, and a plurality of elongated word lines, each word line including a first portion substantially parallel to the substrate and connected to the memory string and a second portion substantially inclined relative to the substrate and extending above the substrate, wherein a first group of the plurality of word lines are electrically connected to first conductive lines disposed at a first side of the memory string, and a second group of the plurality of word lines are electrically connected to second conductive lines disposed at a second side of the memory string.

摘要翻译： 半导体存储器件包括基本上平面的衬底，垂直于衬底的存储器串，存储串包括多个存储单元，以及多个细长字线，每个字线包括基本上平行于衬底的第一部分， 到存储器串和相对于衬底基本上倾斜并在衬底上延伸的第二部分，其中多个字线中的第一组电连接到设置在存储器串的第一侧的第一导电线，以及第二组 多个字线的组电连接到设置在存储器串的第二侧的第二导线。

公开(公告)号：US20120112298A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13236888

申请日：2011-09-20

申请人： Woojin Kim ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Younghyun Kim ,  Sukhun Choi ,  Woochang Lim

发明人： Woojin Kim ,  Jangeun Lee ,  Sechung Oh ,  Younghyun Kim ,  Sukhun Choi ,  Woochang Lim

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory device includes a magnetic pattern, a reference pattern, a tunnel barrier pattern interposed between the magnetic pattern and the reference pattern, and at least one magnetic segment disposed inside the magnetic pattern. The magnetic segment(s) is/are of magnetic material whose direction of magnetization has at least a component which lies in a plane perpendicular to the magnetization direction of the magnetic pattern.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁图案，参考图案，介于磁图案和参考图案之间的隧道势垒图案，以及设置在磁图案内的至少一个磁段。 磁性部分是磁性材料，其磁化方向具有至少一个与磁性图案的磁化方向垂直的平面的分量。