公开(公告)号：US20170073837A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：US15125238

申请日：2015-02-09

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： Tsubasa HONKE ,  Kyoko OKITA

IPC分类号： C30B25/18 ,  B24B37/04 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20

CPC分类号： C30B25/186 ,  B24B37/042 ,  C23C16/325 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

摘要： A silicon carbide single-crystal substrate includes a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. The first main surface has a maximum diameter of not less than 100 mm. The first main surface includes a first central region excluding a region within 3 mm from an outer circumference of the first main surface. When the first central region is divided into first square regions each having a side of 250 μm, each of the first square regions has an arithmetic average roughness (Sa) of less than 0.2 nm, and an oxygen concentration in each of the first square regions is not less than 5 atom % and less than 20 atom %.

摘要翻译： 碳化硅单晶衬底包括第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。 第一主表面的最大直径不小于100mm。 第一主表面包括除了距离第一主表面的外圆周3mm以内的区域的第一中心区域。 当第一中心区域被分成具有250μm侧面的第一方形区域时，第一方形区域中的每一个具有小于0.2nm的算术平均粗糙度（Sa），并且每个第一方形区域中的氧浓度 不小于5原子％且小于20原子％。

公开(公告)号：US20160236375A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：US15027059

申请日：2014-10-14

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： Tsutomu HORI ,  Makoto SASAKI ,  Tsubasa HONKE ,  Tomohiro KAWASE

IPC分类号： B28D5/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  B24B27/06 ,  C30B23/02

CPC分类号： B28D5/045 ,  B24B27/0633 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06

摘要： A silicon carbide ingot includes an end surface and an end surface opposite to the end surface. In the silicon carbide ingot, the end surface and the end surface face each other in a growth direction, and a gradient of a nitrogen concentration in the growth direction is not less than 1×1016 cm−4 and not more than 1×1018 cm−4.

摘要翻译： 碳化硅锭包括端面和与端面相对的端面。 在碳化硅锭中，端面和端面在生长方向上彼此面对，生长方向的氮浓度梯度为1×1016cm-4以上1×1018cm以下 -4。

公开(公告)号：US20130137198A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13686173

申请日：2012-11-27

申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

发明人： Tsubasa HONKE ,  Shin HARADA

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/049 ,  H01L22/12 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

摘要： A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes the following steps. There is prepared a silicon carbide substrate having a first main surface and a second main surface. On the first main surface, an electrode is formed. The silicon carbide substrate has a hexagonal crystal structure. The first main surface has an off angle of ±8° or smaller relative to a {0001} plane. The first main surface has such a property that when irradiated with excitation light having energy equal to or greater than a band gap of silicon carbide, luminous regions in a wavelength range of 750 nm or greater are generated in the first main surface at a density of 1×104 cm−2 or smaller. In this way, a yield of a silicon carbide semiconductor device can be improved.

摘要翻译： 一种制造碳化硅半导体器件的方法包括以下步骤。 制备具有第一主表面和第二主表面的碳化硅衬底。 在第一主表面上形成电极。 碳化硅衬底具有六方晶系结构。 第一主表面相对于{0001}平面具有±8°或更小的偏离角。 第一主表面具有这样的特性：当用能量等于或大于碳化硅带隙的激发光照射时，在第一主表面中以750nm或更大的波长范围产生发光区域，其密度为 1×104cm-2以下。 以这种方式，可以提高碳化硅半导体器件的产量。