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    INFORMATION RECORDING/REPRODUCING DEVICE
    23.
    发明申请
    INFORMATION RECORDING/REPRODUCING DEVICE 有权
    信息记录/再现设备

    公开(公告)号：US20110216576A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US13044384

    申请日：2011-03-09

    申请人： Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takahiro Hirai ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai

    发明人： Shinya Aoki ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto ,  Takahiro Hirai ,  Chikayoshi Kamata ,  Tsukasa Nakai

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  G11B9/04 ,  G11C13/0011 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/146

    摘要： According to one embodiment, an information recording/reproducing device includes a recording layer and a driver section. The recording layer has a first layer including a first compound. The first compound includes a mixed crystal of a first oxide containing a first metallic element and a second oxide. The second oxide has a crystal structure being same as the first oxide and contains a second metallic element different from the first metallic element. The driver section is configured to produce state change in the recording layer to record information by at least one of application of voltage to the recording layer and passage of current to the recording layer. Composition ratio of an element having a smaller ionic radius of the first and second metallic elements is not less than percolation threshold of a lattice formed of ions of the first and second metallic elements based on the crystal structure.

    摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录/再现装置包括记录层和驱动器部分。 记录层具有包含第一化合物的第一层。 第一化合物包括含有第一金属元素和第二氧化物的第一氧化物的混合晶体。 第二氧化物具有与第一氧化物相同的晶体结构，并且含有与第一金属元素不同的第二金属元素。 驱动器部分被配置为在记录层中产生状态变化，以通过施加电压至记录层和将电流流向记录层中的至少一个来记录信息。 基于晶体结构，第一和第二金属元素离子半径较小的元素的组成比不小于由第一和第二金属元素的离子形成的晶格的渗透阈值。

    Non-volatile memory device and method for manufacturing the same
    29.
    发明授权
    Non-volatile memory device and method for manufacturing the same 失效
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08698228B2

    公开(公告)日：2014-04-15

    申请号：US12886202

    申请日：2010-09-20

    申请人： Takeshi Araki ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

    发明人： Takeshi Araki ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure and a voltage application portion. The stacked structure includes a memory portion, and an electrode stacked with the memory portion and having a surface having a portion facing the memory portion. The voltage application portion applies a voltage to the memory portion to cause a change in a resistance in the memory portion to store information. The surface includes a first region and a second region. The first region contains at least one of a metallic element, Si, Ga, and As. The first region is conductive. The second region contains at least one of the metallic element, Si, Ga, and As, and has a content ratio of nonmetallic element higher than a content ratio of nonmetallic element in the first region. At least one of the first region and the second region has an anisotropic shape on the surface.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构和电压施加部分。 堆叠结构包括存储部分和与存储器部分堆叠并具有面向存储部分的部分的表面的电极。 电压施加部分向存储器部分施加电压以引起存储器部分中的电阻的变化以存储信息。 表面包括第一区域和第二区域。 第一区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种。 第一个区域是导电的。 第二区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种，并且具有高于第一区域中的非金属元素的含量比的非金属元素的含量比。 第一区域和第二区域中的至少一个在表面上具有各向异性的形状。

    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    30.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110073927A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：US12886079

    申请日：2010-09-20

    申请人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

    发明人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi Yamaguchi ,  Mariko Hayashi ,  Kohichi Kubo ,  Takayuki Tsukamoto

    IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

    CPC分类号： G11B9/1472 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/746 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure including a memory portion and an electrode having a surface facing the memory portion; and a voltage application portion to apply a voltage to the memory portion to change resistance. The surface includes first and second regions. The first region contains a first nonmetallic element and at least one element of a metallic element, Si, Ga, and As. The second region contains a second nonmetallic element and the at least one element. The second region has a content ratio of the second nonmetallic element higher than that in the first region. A difference in electronegativity between the second nonmetallic element and the at least one element is greater than that between the first nonmetallic element and the at least one element. At least one of the first and second regions has an anisotropic shape.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构，其包括存储器部分和具有面向存储器部分的表面的电极; 以及电压施加部分，用于向存储器部分施加电压以改变电阻。 表面包括第一和第二区域。 第一区域包含第一非金属元素和金属元素Si，Ga和As的至少一种元素。 第二区域包含第二非金属元素和至少一个元素。 第二区域的第二非金属元素的含量比率高于第一区域。 第二非金属元素与至少一种元素之间的电负性的差异大于第一非金属元素与至少一种元素之间的电负性。 第一和第二区域中的至少一个具有各向异性形状。