公开(公告)号：US6025607A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：US842301

申请日：1997-05-05

申请人： Tatsuya Ohori ,  Michiko Takei ,  Hongyong Zhang ,  Yuugo Goto

发明人： Tatsuya Ohori ,  Michiko Takei ,  Hongyong Zhang ,  Yuugo Goto

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/66757

摘要： A polysilicon pattern constituting an active portion of a TFT is formed on a substrate so as to be curved to generally assume a U shape, and a gate pattern is formed as a straight conductor pattern. The gate pattern is so disposed as to cross the U-shaped polysilicon pattern plural times. The silicon pattern comprise a plurality of channel regions and impurity regions of which alignment is symmetrical.

摘要翻译： 构成TFT的有源部分的多晶硅图案形成在基板上，以弯曲成大致呈U字状，并且栅极图案形成为直导体图案。 栅极图案被设置成多次跨越U形多晶硅图案。 硅图案包括多个通道区域和其对准的对称的杂质区域。

公开(公告)号：US5990555A

公开(公告)日：1999-11-23

申请号：US733742

申请日：1996-10-18

申请人： Tatsuya Ohori ,  Tetsurou Hori

发明人： Tatsuya Ohori ,  Tetsurou Hori

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5383 ,  H01L2924/0002

摘要： An electronic circuit having: a substrate with an upper surface; a lower level wiring made of conductive material and disposed on the substrate; an insulating cover film covering the surface of the lower level wiring; an interlayer insulating film formed on the substrate, covering the insulating cover film; an opening formed through the interlayer insulating film and the insulating cover film at an interlayer contact region extending from an area corresponding to the inside region, as viewed in the in-plane layout of the substrate, of the lower level wiring to an area corresponding to the outside region of the lower level wiring; and a higher level wiring disposed on a partial region of the interlayer insulating film and in the interlayer contact region, the higher level wiring being electrically connected to the lower level wiring in the interlayer contact region. The connection reliability between a lower level wiring layer and a higher level wiring layer in the connection region can be improved while maintaining the insulation reliability therebetween in the insulation region.

摘要翻译： 一种电子电路，具有：具有上表面的基板; 由导电材料制成的下层布线并设置在基板上; 覆盖下层布线的表面的绝缘覆盖膜; 形成在所述基板上的覆盖所述绝缘覆盖膜的层间绝缘膜; 从层间绝缘膜和绝缘覆盖膜形成的开口，在从基板的平面内布局看，从对应于内部区域的区域延伸的层间接触区域处的下层布线到对应于 下层布线的外围区域; 以及设置在层间绝缘膜的部分区域上且在层间接触区域中的较高电平配线，较高电平布线与层间接触区域中的下层布线电连接。 可以在绝缘区域中保持其间的绝缘可靠性的同时，可以提高连接区域中的下层布线层与较高级布线层之间的连接可靠性。

公开(公告)号：US5844303A

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：US214600

申请日：1994-03-17

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori ,  Hirosato Ochimizu

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori ,  Hirosato Ochimizu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252

摘要： A semiconductor device includes a buffer layer of AlGaAs that contains oxygen with a concentration level in the approximate range of 8.times.10.sup.17 cm.sup.-3 to 6.times.10.sup.19 cm.sup.-3, and carbon with a concentration level in the approximate range of 2.times.10.sup.16 cm.sup.-3 to 2.times.10.sup.17 cm.sup.-3. A lattice constant of the AlGaAs buffer layer is larger than a lattice constant of the GaAs substrate so a lattice misfit of the AlGaAs layer with respect to the GaAs substrate is equal to or varies by no more than 2.times.10.sup.5 from a corresponding lattice misfit between an undoped AlGaAs crystal with respect to the GaAs substrate. Oxygen atoms occupy an interstitial site, creating a deep impurity level that suppresses side gate effect.

摘要翻译： 半导体器件包括含有浓度在8×10 17 cm -3至6×10 19 cm -3的浓度范围内的氧的AlGaAs缓冲层，浓度水平在2×10 16 cm -3至2×10 17 cm -3的范围内的碳， 3。 AlGaAs缓冲层的晶格常数大于GaAs衬底的晶格常数，因此AlGaAs层相对于GaAs衬底的晶格失配从未掺杂的相应晶格失配等于或不超过2×10 5 AlGaAs晶体相对于GaAs衬底。 氧原子占据间隙位置，产生抑制侧栅效应的深杂质水平。

公开(公告)号：US5569953A

公开(公告)日：1996-10-29

申请号：US449113

申请日：1995-05-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/207 ,  H01L29/227 ,  H01L31/0304

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0611

摘要： A method for growing an epitaxial layer of a group III-V compound semiconductor material that contains oxygen comprises the steps of supplying molecules of an organic compound that contains a group V element and oxygen in the molecule, and decomposing the molecules of the organic compound to release the group V element and oxygen.

摘要翻译： 用于生长含有氧的III-V族化合物半导体材料的外延层的方法包括以下步骤：在分子中提供含有V族元素和氧的有机化合物的分子，并将有机化合物的分子分解成 释放V族元素和氧气。

公开(公告)号：US5480833A

公开(公告)日：1996-01-02

申请号：US328396

申请日：1994-10-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0611

摘要： A method for growing an epitaxial layer of a group III-V compound semiconductor material that contains oxygen comprises the steps of supplying molecules of an organic compound that contains a group V element and oxygen in the molecule, and decomposing the molecules of the organic compound to release the group V element and oxygen.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00157 Sec。 371日期：1992年10月19日 102（e）日期1992年10月19日PCT提交1992年2月18日PCT公布。 第WO92 / 15113号公报 日本9月3日，1992.一种用于生长含有氧的III-V族化合物半导体材料的外延层的方法包括在分子中提供含有V族元素和氧的有机化合物的分子的步骤， 有机化合物的分子释放V族元素和氧。