公开(公告)号：US08153448B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12453451

申请日：2009-05-12

申请人： Tomohiro Takamatsu ,  Junichi Watanabe ,  Ko Nakamura ,  Wensheng Wang ,  Naoyuki Sato ,  Aki Dote ,  Kenji Nomura ,  Yoshimasa Horii ,  Masaki Kurasawa ,  Kazuaki Takai

发明人： Tomohiro Takamatsu ,  Junichi Watanabe ,  Ko Nakamura ,  Wensheng Wang ,  Naoyuki Sato ,  Aki Dote ,  Kenji Nomura ,  Yoshimasa Horii ,  Masaki Kurasawa ,  Kazuaki Takai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： There are provided a capacitor lower electrode formed on an adhesive layer, whose surface roughness is 0.79 nm or less, and having a (111) orientation that is inclined from a perpendicular direction to an upper surface of a substrate by 2.3° or less, a ferroelectric layer having a structure the (111) orientation of which is inclined from the perpendicular direction to the upper surface of the substrate by 3.5° or less, and a capacitor upper electrode.

摘要翻译： 提供一种形成在粘合剂层上的电容器下电极，其表面粗糙度为0.79nm或更小，并且具有从垂直于衬底上表面的垂直方向倾斜2.3°或更小的（111）取向， 具有（111）取向从基板的垂直方向倾斜3.5°以下的结构的铁电体层和电容器上电极。

公开(公告)号：US07829444B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11269641

申请日：2005-11-09

申请人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Hisato Yabuta ,  Masafumi Sano ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Provided is a novel method for manufacturing a field effect transistor. Prior to forming an amorphous oxide layer on a substrate, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate surface in an ozone atmosphere, plasma is irradiated onto the substrate surface, or the substrate surface is cleaned by a chemical solution containing hydrogen peroxide.

摘要翻译： 提供一种用于制造场效应晶体管的新颖方法。 在基板上形成无定形氧化物层之前，在臭氧气氛中将紫外线照射到基板表面上，将等离子体照射到基板表面上，或者通过含有过氧化氢的化学溶液清洁基板表面。

公开(公告)号：US07547933B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US10695643

申请日：2003-10-29

申请人： Tomohiro Takamatsu ,  Junichi Watanabe ,  Ko Nakamura ,  Wensheng Wang ,  Naoyuki Sato ,  Aki Dote ,  Kenji Nomura ,  Yoshimasa Horii ,  Masaki Kurasawa ,  Kazuaki Takai

发明人： Tomohiro Takamatsu ,  Junichi Watanabe ,  Ko Nakamura ,  Wensheng Wang ,  Naoyuki Sato ,  Aki Dote ,  Kenji Nomura ,  Yoshimasa Horii ,  Masaki Kurasawa ,  Kazuaki Takai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： There are provided a capacitor lower electrode formed on an adhesive layer, whose surface roughness is 0.79 nm or less, and having a (111) orientation that is inclined from a perpendicular direction to an upper surface of a substrate by 2.3° or less, a ferroelectric layer having a structure the (111) orientation of which is inclined from the perpendicular direction to the upper surface of the substrate by 3.5° or less, and a capacitor upper electrode.

摘要翻译： 提供一种形成在粘合剂层上的电容器下电极，其表面粗糙度为0.79nm或更小，并且具有从垂直于衬底上表面的垂直方向倾斜2.3°或更小的（111）取向， 具有（111）取向从基板的垂直方向倾斜3.5°以下的结构的铁电体层和电容器上电极。

公开(公告)号：US07473949B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11081663

申请日：2005-03-17

申请人： Jeffrey Scott Cross ,  Mineharu Tsukada ,  John David Baniecki ,  Kenji Nomura ,  Igor Stolichnov

发明人： Jeffrey Scott Cross ,  Mineharu Tsukada ,  John David Baniecki ,  Kenji Nomura ,  Igor Stolichnov

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： After a step of fabricating a MOS transistor (14) on a semiconductor substrate (11) and further steps up to bury a W plug (24), an Ir film (25a), an IrOy film (25b), a PZT film (26), and an IrOx film (27) are formed sequentially over the entire surface. The composition of the PZT film (26) is such that the content of Pb exceeds that of Zr and that of Ti. After processing the Ir film (25a), the IrOy film (25b), the PZT film (26) and the IrOx film (27), annealing is effected to remedy the damage to the PZT film (26) that is caused when the IrOx film (27) is formed and to diffuse Ir in the IrOx film (27) into the PZT film (26). As a result, the Ir diffused into the PZT film (26) concentrates at an interface between the IrOx film (27) and the PZT film (26) and at grain boundaries in the PZT film (26), and the Ir concentrations at the interface and boundaries are higher than those in the grains.

摘要翻译： 在半导体衬底（11）上制造MOS晶体管（14）的步骤之后，进一步升高埋入W插头（24），Ir膜（25a），IrOy膜（25b），PZT膜（26） ），并且在整个表面上依次形成IrOx膜（27）。 PZT膜（26）的组成使得Pb的含量超过Zr和Ti的含量。 在Ir膜（25a），IrOy膜（25b），PZT膜（26）和IrOx膜（27）的处理之后，进行退火以补偿当IrOx膜（26）引起的对PZT膜（26）的损伤 形成膜（27）并使IrOx膜（27）中的Ir扩散到PZT膜（26）中。 结果，扩散到PZT膜（26）中的Ir浓缩在IrOx膜（27）和PZT膜（26）之间的界面以及PZT膜（26）中的晶界处，并且在 界面和边界高于谷物。

公开(公告)号：US07148532B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US11139804

申请日：2005-05-31

申请人： Kenji Nomura ,  Wensheng Wang

发明人： Kenji Nomura ,  Wensheng Wang

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： Additional elements of Ca, Sr, and Ir are added to a single layer lead lanthanum zirconate titanate (PLZT), thereby decreasing a c/a ratio to within a range from 1.00 to 1.008 smaller than a general c/a of a range from about 1.01 to 1.03 generally used in a lead lanthanum zirconate titanate (PLZT) crystal having a crystal structure of a tetragonal system. With this arrangement, a large switching charge Qsw can be obtained without thinning the PLZT layer even when the operation voltage is 3.0 V or less.

摘要翻译： 将Ca，Sr和Ir的附加元素加入到单层铅酸镧锆酸铅（PLZT）中，从而将ac / a比降低到1.00〜1.008的范围内，比通常的c / a为约1.01 至1.03，通常用于具有四方晶系的晶体结构的铅酸镧锆酸铅（PLZT）晶体。 利用这种布置，即使在3.0V或更小的工作电压下，也可以获得大的开关电荷Qsw而不使PLZT层变薄。

公开(公告)号：US20060113549A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269768

申请日：2005-11-09

申请人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Tohru Den ,  Tatsuya Iwasaki ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G03G5/08 ,  G03G5/144 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693 ,  H01L2251/5315

摘要： An object of the present invention is to provide a new light-emitting device with the use of an amorphous oxide. The light-emitting device has a light-emitting layer existing between first and second electrodes and a field effect transistor, of which the active layer is an amorphous.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种使用无定形氧化物的新的发光装置。 发光器件具有存在于第一和第二电极之间的发光层和场效应晶体管，其中有源层是无定形的。

公开(公告)号：US20060113539A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11269647

申请日：2005-11-09

申请人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

发明人： Masafumi Sano ,  Katsumi Nakagawa ,  Hideo Hosono ,  Toshio Kamiya ,  Kenji Nomura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： A novel field-effect transistor is provided which employs an amorphous oxide. In an embodiment of the present invention, the transistor comprises an amorphous oxide layer containing electron carrier at a concentration less than 1×10−18/cm3, and the gate-insulating layer is comprised of a first layer being in contact with the amorphous oxide and a second layer different from the first layer.

摘要翻译： 提供了一种采用无定形氧化物的新型场效应晶体管。 在本发明的一个实施例中，晶体管包括含有浓度小于1×10 -6 / cm 3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层 包括与非晶氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

公开(公告)号：US5798622A

公开(公告)日：1998-08-25

申请号：US674858

申请日：1996-07-03

申请人： Junji Hirai ,  Yoshiji Hiraga ,  Kenji Hirose ,  Yuji Nitta ,  Hiroyuki Hamamoto ,  Kenji Nomura

发明人： Junji Hirai ,  Yoshiji Hiraga ,  Kenji Hirose ,  Yuji Nitta ,  Hiroyuki Hamamoto ,  Kenji Nomura

IPC分类号： B23Q1/00 ,  B23Q7/00 ,  B23Q17/09 ,  B23Q17/22 ,  B25J19/00 ,  B65G43/00 ,  H01F38/14 ,  G05B1/06

CPC分类号： B23Q1/00 ,  B23Q1/0009 ,  B23Q17/09 ,  B23Q17/2233 ,  H01F38/14 ,  Y10S323/902

摘要： A noncontacting power transfer apparatus, a noncontacting signal transfer apparatus and a separate machine apparatus that uses these couplers are disclosed. The power coupler is composed of a primary side and a secondary side that are fixed to a static unit and rotatable unit of the machine apparatus, respectively, such that its output does not vary with arbitrary rotation by the rotatable unit. The signal coupler is composed of receiving side portion having a electric-to-light conversion device that converts an electric signal to an optical signal of rotational symmetry relative to the axis of rotation of the rotatable unit and a photoelectric conversion device that converts an optical signal to an electric signal. Accordingly, the rotatable unit can be supplied with power from the static unit even while rotating, and moreover, can communicate with the static unit. Further, the rotatable unit can be easily attached to the static unit and can be removed from the static unit.

摘要翻译： 公开了一种使用这些耦合器的非接触式电力传送装置，非接触信号传送装置和分离的机器装置。 功率耦合器由初级侧和次级侧分别固定到机器设备的静态单元和可旋转单元，使得其输出不随着可旋转单元的任意旋转而变化。 信号耦合器由具有电光转换装置的接收侧部分组成，该电光转换装置将电信号转换成相对于可旋转单元的旋转轴线旋转对称的光信号;以及光电转换装置，其将光信号 到电信号。 因此，即使在旋转的同时也可以从静止单元向旋转单元供给动力，而且能够与静止单元连通。 此外，可旋转单元可以容易地附接到静态单元并且可以从静态单元移除。

公开(公告)号：US4460780A

公开(公告)日：1984-07-17

申请号：US457377

申请日：1983-01-12

申请人： Takehisa Ohashi ,  Masami Shimazaki ,  Kenji Nomura ,  Yasushi Nose ,  Kiyoshi Watanabe

发明人： Takehisa Ohashi ,  Masami Shimazaki ,  Kenji Nomura ,  Yasushi Nose ,  Kiyoshi Watanabe

IPC分类号： C07D207/16 ,  C07D277/06

CPC分类号： C07D277/06 ,  C07D207/16

摘要： An improved process for preparation of an optically active N-(3-mercapto-2-D-methylpropanoyl)-L-amino acid represented by formula (I): ##STR1## from an N-(3-chloro-2-D-methylpropanoyl)-L-amino acid represented by formula (II): ##STR2## (Y in (I) and (II): CH.sub.2 or sulfur; Q in (II): hydrogen, Na, K or NH.sub.4),which is characterized by reacting the compound (II) with an alkali trithiocarbonate, of which the molar ratio to the compound (II) is not less than 1.5, in an aqueous medium at a temperature of from about 60.degree. C. to about 90.degree. C., and hydrolyzing the resulting product with an acid.It is preferable to use sodium trithiocarbonate as the alkali trithiocarbonate, mineral acid as the acid, or water or aqueous alcohol as an aqueous medium.

摘要翻译： 由式（I）表示的光学活性N-（3-巯基-2-D-甲基丙酰基）-L-氨基酸的改进方法：从N-（3-氯-2 （II）表示的（ⅰ）和（II）中的Y：CH 2或硫;（II）中的Q：氢，Na，K或 NH4），其特征在于使化合物（II）与碱性三硫代碳酸酯反应，其中化合物（II）的摩尔比不小于1.5，在水介质中在约60℃至约60℃至 约90℃，并用酸水解所得产物。 优选使用三硫代碳酸钠作为碱式三硫代碳酸酯，无机酸作为酸，或水或含水醇作为水性介质。

公开(公告)号：US4396322A

公开(公告)日：1983-08-02

申请号：US218678

申请日：1980-12-22

申请人： Kenji Nomura ,  Akira Tsuboi ,  Kunihiko Eto ,  Kunimichi Nakashima

发明人： Kenji Nomura ,  Akira Tsuboi ,  Kunihiko Eto ,  Kunimichi Nakashima

IPC分类号： G01B7/00 ,  G05B19/18 ,  B23Q11/00 ,  B23B47/00 ,  B23C1/00

CPC分类号： G01B7/003 ,  B23Q17/2241 ,  G05B19/18 ,  G05B2219/37405 ,  Y10T408/14 ,  Y10T408/16 ,  Y10T408/172 ,  Y10T409/30392 ,  Y10T409/309464

摘要： A contact detecting apparatus for detecting the contact between a workpiece and a tool in a machine tool which includes a coil mounted on a spindle head and connected to an AC power source for generating an induced current in a looped secondary circuit including the workpiece, a work table, a machine body, a spindle head, a brush, a clamp bar for clamping the tool on a tool spindle, springs interposed between the spindle and the clamp bar, the tool spindle and the tool, when the workpiece and the tool are moved relatively into contact with each other. The brush is kept contact with the clamp bar at the rotational axis of the tool spindle. A detector is connected between the AC power source and the coil for detecting a change in an electric signal caused by the contact between the workpiece and the tool.

摘要翻译： 一种接触检测装置，用于检测机床中的工件与工具之间的接触，该机构包括安装在主轴头上并连接到用于在包括工件的环形二次回路中产生感应电流的AC电源的线圈，工件 台面，机体，主轴头，刷子，用于将工具夹紧在工具主轴上的夹具杆，当工件和工具移动时插入在主轴和夹紧杆之间的弹簧，工具主轴和工具 相互接触。 刷子在刀具主轴的旋转轴线处与夹紧杆保持接触。 检测器连接在AC电源和线圈之间，用于检测由工件和工具之间的接触引起的电信号的变化。