公开(公告)号：US08058701B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12216094

申请日：2008-06-30

申请人： Deok-kee Kim ,  Yoon-dong Park ,  Seung-hoon Lee ,  I-hun Song ,  Won-joo Kim ,  Young-gu Jin ,  Hyuk-soon Choi ,  Suk-pil Kim

发明人： Deok-kee Kim ,  Yoon-dong Park ,  Seung-hoon Lee ,  I-hun Song ,  Won-joo Kim ,  Young-gu Jin ,  Hyuk-soon Choi ,  Suk-pil Kim

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5252 ,  G11C17/16 ,  H01L27/1021 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Antifuse structures, antifuse arrays, methods of manufacturing, and methods of operating the same are provided. An antifuse structure includes bitlines formed as first diffusing regions within a semiconductor substrate, an insulation layer formed on the bitlines, and wordlines formed on the insulation layer. An antifuse array includes a plurality of antifuse structures arranged in an array.

摘要翻译： 提供了防泡结构，反熔丝阵列，制造方法和操作方法。 反熔丝结构包括在半导体衬底内形成为第一扩散区的位线，形成在位线上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的字线。 反熔丝阵列包括排列成阵列的多个反熔丝结构。

公开(公告)号：US07977978B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12591654

申请日：2009-11-25

申请人： Huaxiang Yin ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Huaxiang Yin ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251

摘要： Provided are an inverter, a method of manufacturing the inverter, and a logic circuit including the inverter. The inverter may include a first transistor and a second transistor having different channel layer structures. A channel layer of the first transistor may include a lower layer and an upper layer, and a channel layer of the second transistor may be the same as one of the lower layer and the upper layer. At least one of the lower layer and the upper layer may be an oxide layer. The inverter may be an enhancement/depletion (E/D) mode inverter or a complementary inverter.

摘要翻译： 提供逆变器，逆变器的制造方法以及包括逆变器的逻辑电路。 反相器可以包括具有不同沟道层结构的第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管的沟道层可以包括下层和上层，并且第二晶体管的沟道层可以与下层和上层之一相同。 下层和上层中的至少一层可以是氧化物层。 逆变器可以是增强/耗尽型（E / D）型逆变器或互补型逆变器。

公开(公告)号：US07910967B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11515024

申请日：2006-09-05

申请人： Sang-min Shin ,  Young-soo Park ,  June-mo Koo ,  Byoung-jae Bae ,  I-hun Song ,  Suk-pil Kim

发明人： Sang-min Shin ,  Young-soo Park ,  June-mo Koo ,  Byoung-jae Bae ,  I-hun Song ,  Suk-pil Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/112 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： A ferroelectric capacitor having a three-dimensional structure, a nonvolatile memory device having the same, and a method of fabricating the same are provided. The ferroelectric capacitor may include a trench-type lower electrode, at least one layer formed around the lower electrode, a ferroelectric layer (PZT layer) formed on the lower electrode and the at least one layer and an upper electrode formed on the ferroelectric layer. The at least one layer may be at least one insulating interlayer and the at least one layer may also be at least one diffusion barrier layer. The at least one layer may be formed of an insulating material excluding SiO2 or may have a perovskite crystal structure excluding Pb.

摘要翻译： 提供具有三维结构的铁电电容器，具有其的非易失性存储器件及其制造方法。 铁电电容器可以包括沟槽型下电极，形成在下电极周围的至少一层，形成在下电极和至少一层上的铁电层（PZT层）和形成在铁电层上的上电极。 所述至少一个层可以是至少一个绝缘夹层，并且所述至少一个层也可以是至少一个扩散阻挡层。 所述至少一层可以由除了SiO2之外的绝缘材料形成，或者可以具有不包括Pb的钙钛矿晶体结构。

公开(公告)号：US20100148825A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12591701

申请日：2009-11-30

申请人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

发明人： Jae-chul Park ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Kee-won Kwon ,  Chang-jung Kim ,  Kyoung-kook Kim ,  Sung-ho Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11807 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78648

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the semiconductor device. The semiconductor device may be a complementary device including a p-type oxide TFT and an n-type oxide TFT. The semiconductor device may be a logic device such as an inverter, a NAND device, or a NOR device.

摘要翻译： 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以是包括p型氧化物TFT和n型氧化物TFT的互补器件。 半导体器件可以是诸如逆变器，NAND器件或NOR器件的逻辑器件。

公开(公告)号：US20100140608A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12458251

申请日：2009-07-07

申请人： Sung-ho Park ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sung-ho Park ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song ,  Sang-wook Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7869

摘要： Example embodiments provide a transistor and a method of manufacturing the same. The transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor and a gate having a three-dimensional structure. A plurality of the transistors may be stacked in a perpendicular direction to a substrate. At least some of the plurality of transistors may be connected to each other.

摘要翻译： 示例性实施例提供晶体管及其制造方法。 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层和具有三维结构的栅极。 多个晶体管可以沿垂直于衬底的方向堆叠。 多个晶体管中的至少一些可以彼此连接。

公开(公告)号：US20080277663A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11984072

申请日：2007-11-13

申请人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Elvira Fortunato ,  Rodrigo Martins

发明人： Dong-hun Kang ,  I-hun Song ,  Elvira Fortunato ,  Rodrigo Martins

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided is a thin film transistor that includes a substrate on which an insulating layer is formed, a gate formed on a region of the insulating layer, a gate insulating layer formed on the insulating layer and the gate, a channel region formed on the gate insulating layer on a region corresponding to the location of the gate, a source and a drain respectively formed by contacting either side of the channel region; and a passivation layer formed of a compound made of a group II element and a halogen element on the channel region.

摘要翻译： 提供一种薄膜晶体管，其包括其上形成有绝缘层的基板，形成在绝缘层的区域上的栅极，形成在绝缘层上的栅极绝缘层和栅极，形成在栅极绝缘上的沟道区域 在对应于栅极的位置的区域上分别形成一个源极和漏极，该漏极和漏极分别通过与沟道区域的任一侧接触; 以及由沟道区域上由II族元素和卤素元素制成的化合物形成的钝化层。

公开(公告)号：US09178030B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13616964

申请日：2012-09-14

申请人： Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sang-hun Jeon ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/45 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/042 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L29/45 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor is provided. The transistor includes a gate; a first passivation layer covering the gate; a channel layer disposed on the first passivation layer; a source and a drain that are disposed on the first passivation layer and contact two sides of the channel layer; a second passivation layer covering the channel layer, the source, and the drain; first and second transparent electrode layers that are disposed on the second passivation layer and spaced apart from each other; a first transparent conductive via that penetrates the second passivation layer and connects the source and the first transparent electrode layer; and a second transparent conductive via that penetrates the second passivation layer and connects the drain and the second transparent electrode layer. A cross-sectional area of the gate is larger than a cross-sectional area of the channel layer, the source, and the drain combined.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管。 晶体管包括一个栅极; 覆盖所述栅极的第一钝化层; 设置在所述第一钝化层上的沟道层; 源极和漏极，其设置在所述第一钝化层上并接触所述沟道层的两侧; 覆盖沟道层，源极和漏极的第二钝化层; 第一和第二透明电极层，其设置在第二钝化层上并彼此间隔开; 第一透明导电通孔，其穿透所述第二钝化层并连接所述源极和所述第一透明电极层; 以及第二透明导电通孔，其穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。 栅极的横截面面积大于沟道层，源极和漏极组合的横截面面积。

公开(公告)号：US08507906B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12591909

申请日：2009-12-04

申请人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Wook Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Wook Lee ,  Sang-wook Kim ,  Sun-il Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

摘要： Provided is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor having a structure capable of increasing areas of photodiodes in unit pixels and expanding light receiving areas of the photodiodes. In the CMOS image sensor, transfer transistors may be formed on the photodiode, and reset transistors, source follower transistors, and selection transistors may be formed on a layer on which the transfer transistors are not formed. In such a CMOS image sensor, the areas of the photodiodes may be increased in unit pixels so that a size of the unit pixels may be reduced and sensitivity of the pixel may be improved.

摘要翻译： 提供了具有能够增加单位像素中的光电二极管的面积并扩大光电二极管的光接收面积的结构的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。 在CMOS图像传感器中，可以在光电二极管上形成传输晶体管，并且可以在不形成传输晶体管的层上形成复位晶体管，源极跟随器晶体管和选择晶体管。 在这样的CMOS图像传感器中，可以以单位像素增加光电二极管的面积，从而可以减小单位像素的尺寸，并且可以提高像素的灵敏度。

公开(公告)号：US20130168770A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13547200

申请日：2012-07-12

申请人： Sang-hun Jeon ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song

发明人： Sang-hun Jeon ,  Chang-jung Kim ,  I-hun Song

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A high-voltage oxide transistor includes a substrate; a channel layer disposed on the substrate; a gate electrode disposed on the substrate to correspond to the channel layer; a source contacting a first side of the channel layer; and a drain contacting a second side of the channel layer, wherein the channel layer includes a plurality of oxide layers, and none of the plurality of oxide layers include silicon. The gate electrode may be disposed on or under the channel layer. Otherwise, the gate electrodes may be disposed respectively on and under the channel layer.

摘要翻译： 高压氧化物晶体管包括基板; 设置在所述基板上的沟道层; 设置在所述基板上以对应于所述沟道层的栅电极; 源极，与所述沟道层的第一侧接触; 以及与沟道层的第二面接触的漏极，其中所述沟道层包括多个氧化物层，并且所述多个氧化物层中没有一个包括硅。 栅电极可以设置在沟道层上或下面。 否则，栅极电极可以分别设置在沟道层上和下面。

公开(公告)号：US08455933B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US12801392

申请日：2010-06-07

申请人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Ji-hyun Hur ,  Sang-hun Jeon

发明人： Sung-ho Park ,  I-hun Song ,  Ji-hyun Hur ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L29/41733

摘要： An image sensor according to example embodiments may include a plurality of light-sensitive transparent oxide semiconductor layers as light-sensing layers. The light-sensing layers may be stacked in one unit pixel region.

摘要翻译： 根据示例性实施例的图像传感器可以包括多个感光透明氧化物半导体层作为感光层。 光感测层可以堆叠在一个单位像素区域中。