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    Method for forming IMD films
    21.
    发明授权
    Method for forming IMD films 有权
    形成IMD膜的方法

    公开(公告)号：US07253121B2

    公开(公告)日：2007-08-07

    申请号：US10937215

    申请日：2004-09-09

    申请人： Yi-Lung Cheng ,  Miao-Cheng Liao ,  Ying-Lang Wang

    发明人： Yi-Lung Cheng ,  Miao-Cheng Liao ,  Ying-Lang Wang

    IPC分类号： H01L21/471

    CPC分类号： H01L21/76807

    摘要： A method for forming IMD films. A substrate is provided. A plurality of dielectric films are formed on the substrate, wherein each of the dielectric layers are deposited in-situ in one chamber with only one thermal cycle.

    摘要翻译： 一种形成IMD膜的方法。 提供基板。 在基板上形成多个电介质膜，其中每个电介质层原位沉积在仅具有一个热循环的一个室中。

    Plasma treatment method for electromigration reduction
    22.
    发明授权
    Plasma treatment method for electromigration reduction 有权
    用于电迁移减少的等离子体处理方法

    公开(公告)号：US07208415B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10882069

    申请日：2004-06-30

    申请人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

    发明人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/76877

    摘要： A plasma treatment method which is capable of extending the MTF (mean-time-to-failure) of metal interconnects fabricated on a semiconductor wafer substrate, is disclosed. The invention includes providing a trench typically in a dielectric layer on a substrate; depositing a metal in the trench; and exposing the metal to a nitrogen-based plasma. The plasma-treatment step accelerates grain growth and re-orients the grains in the metal to a closely-packed crystal orientation texture which approaches or approximates the crystal orientation texture of copper.

    摘要翻译： 公开了一种等离子体处理方法，其能够延长制造在半导体晶片衬底上的金属互连的MTF（平均故障时间）。 本发明包括提供通常在基底上的电介质层中的沟槽; 在沟槽中沉积金属; 并将金属暴露于氮基等离子体。 等离子体处理步骤加速晶粒生长并将金属中的晶粒重新定位成接近或接近铜的<111>晶体取向纹理的紧密堆积的晶体取向纹理。

    Method for forming shallow trench isolation structures
    23.
    发明申请
    Method for forming shallow trench isolation structures 审中-公开
    形成浅沟槽隔离结构的方法

    公开(公告)号：US20060166458A1

    公开(公告)日：2006-07-27

    申请号：US11044814

    申请日：2005-01-26

    申请人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

    发明人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

    IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/76224

    摘要： A shallow trench isolation (STI) structure for semiconductor devices is formed using a deposited silicon layer formed over a polish stop layer formed over an oxide formed on a substrate. The polish stop layer may be nitride. An opening is formed extending through the deposited silicon layer and the nitride and oxide layers and extending into the substrate. A deposited oxide is formed filling the opening and extending over the top surface of deposited silicon layer. A chemical mechanical polishing operation polishes the deposited silicon layer at a rate faster than the deposited oxide layer to produce an STI with a convex portion extending above the nitride layer. Dishing problems are avoided and the structure may be subsequently planarized.

    摘要翻译： 用于半导体器件的浅沟槽隔离（STI）结构使用形成在形成在衬底上的氧化物上形成的抛光停止层上的沉积硅层形成。 抛光停止层可以是氮化物。 形成延伸穿过沉积的硅层和氮化物和氧化物层并延伸到衬底中的开口。 形成沉积氧化物，填充开口并在沉积的硅层的顶表面上延伸。 化学机械抛光操作以比沉积的氧化物层更快的速率抛光沉积的硅层，以产生具有在氮化物层上方延伸的凸部的STI。 避免了抛光问题，并且可以随后平面化该结构。

    Heat dissipation structure and method thereof
    24.
    发明申请
    Heat dissipation structure and method thereof 审中-公开
    散热结构及其方法

    公开(公告)号：US20060125090A1

    公开(公告)日：2006-06-15

    申请号：US11338551

    申请日：2006-01-24

    申请人： Hsuch-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng

    发明人： Hsuch-Chung Chen ,  Yi-Lung Cheng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng

    IPC分类号： H01L23/34

    CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor structure and method for dissipating heat away from a semiconductor device having a plurality of power lines is provided. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate and a plurality of interconnect structures disposed on the substrate and in contact therewith and extending through the semiconductor device, the interconnect structures for dissipating heat to the substrate. Each of the plurality of interconnect structures comprises at least one via stack.

    摘要翻译： 提供了一种半导体结构和方法，用于从具有多个电源线的半导体器件散发热量。 半导体结构包括半导体衬底和布置在衬底上并与其接触并延伸穿过半导体器件的多个互连结构，用于将热量散发到衬底的互连结构。 多个互连结构中的每一个包括至少一个通孔堆叠。

    Plasma treatment method for electromigration reduction
    25.
    发明申请
    Plasma treatment method for electromigration reduction 有权
    用于电迁移减少的等离子体处理方法

    公开(公告)号：US20060003486A1

    公开(公告)日：2006-01-05

    申请号：US10882069

    申请日：2004-06-30

    申请人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

    发明人： Jane-Bai Lai ,  Yi-Lung Cheng

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/76877

    摘要： A plasma treatment method which is capable of extending the MTF (mean-time-to-failure) of metal interconnects fabricated on a semiconductor wafer substrate, is disclosed. The invention includes providing a trench typically in a dielectric layer on a substrate; depositing a metal in the trench; and exposing the metal to a nitrogen-based plasma. The plasma-treatment step accelerates grain growth and re-orients the grains in the metal to a closely-packed crystal orientation texture which approaches or approximates the crystal orientation texture of copper.

    摘要翻译： 公开了一种等离子体处理方法，其能够延长制造在半导体晶片衬底上的金属互连的MTF（平均故障时间）。 本发明包括提供通常在基底上的电介质层中的沟槽; 在沟槽中沉积金属; 并将金属暴露于氮基等离子体。 等离子体处理步骤加速晶粒生长并将金属中的晶粒重新定位成接近或接近铜的<111>晶体取向纹理的紧密堆积的晶体取向纹理。

    Method for capping over a copper layer
    26.
    发明授权
    Method for capping over a copper layer 失效
    覆铜层的方法

    公开(公告)号：US06790778B1

    公开(公告)日：2004-09-14

    申请号：US10658270

    申请日：2003-09-10

    申请人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lang Wang ,  We-Li Chen

    发明人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lang Wang ,  We-Li Chen

    IPC分类号： H01L2144

    CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/906

    摘要： A method for capping over a copper layer. A copper layer is deposited overlying a substrate. The copper surface is treated with hydrogen-containing plasma to remove copper oxides formed thereon, thereby suppressing copper hillock formation. The treated copper surface is treated again with nitrogen-containing plasma to improve adhesion of the copper surface. A capping layer is formed on the copper layer.

    摘要翻译： 一种覆盖铜层的方法。 将铜层沉积在衬底上。 用含氢等离子体处理铜表面以除去其上形成的铜氧化物，从而抑制铜形成小丘。 处理的铜表面再次用含氮等离子体处理以改善铜表面的粘附。 在铜层上形成覆盖层。

    Nitride barrier layer to prevent metal (Cu) leakage issue in a dual damascene structure
    30.
    发明授权
    Nitride barrier layer to prevent metal (Cu) leakage issue in a dual damascene structure 有权
    氮化物阻挡层，以防止双重镶嵌结构中的金属（Cu）泄漏问题

    公开(公告)号：US07176571B2

    公开(公告)日：2007-02-13

    申请号：US10753637

    申请日：2004-01-08

    申请人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lung Wang

    发明人： Yi-Lung Cheng ,  Ying-Lung Wang

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826

    摘要： A method for forming a composite barrier layer that also functions as an etch stop in a damascene process is disclosed. A SiC layer is deposited on a substrate in a CVD process chamber followed by deposition of a silicon nitride layer to complete the composite barrier layer. The SiC layer exhibits excellent adhesion to a copper layer in the substrate and is formed by a method that avoids reactive Si+4 species and thereby prevents CuSiX formation. The silicon nitride layer thickness is sufficient to provide superior barrier capability to metal ions but is kept as thin as possible to minimize the dielectric constant of the composite barrier layer. The composite barrier layer provides excellent resistance to copper oxidation during oxygen ashing steps and enables a copper layer to be fabricated with a lower leakage current than when a conventional silicon nitride barrier layer is employed.

    摘要翻译： 公开了一种用于形成复合阻挡层的方法，该复合阻挡层也用作镶嵌工艺中的蚀刻停止。 将SiC层沉积在CVD处理室中的衬底上，随后沉积氮化硅层以完成复合势垒层。 SiC层对衬底中的铜层表现出优异的粘附性，并且通过避免反应性Si + 4+物质并由此防止CuSi X X形成的方法形成。 氮化硅层的厚度足以为金属离子提供优异的阻挡能力，但保持尽可能的薄，以使复合阻挡层的介电常数最小化。 复合阻挡层在氧化灰化步骤期间提供优异的铜氧化性能，并且与使用常规氮化硅阻挡层相比，能够以较低的漏电流制造铜层。