专利检索 cpc:"C22C1/007" 第 3 页

21.

发明授权
Method of producing highly pure,especially silicon-free,gallium arsenide 失效
标题翻译：生产高纯度，特别是无硅的阿魏酸钠的方法

公开(公告)号：US3480394A

公开(公告)日：1969-11-25

申请号：US3480394D

申请日：1967-09-27

申请人： SIEMENS AG

发明人： MERKEL HANS , LEIBENZEDER SIEGFRIED

IPC分类号： C01G15/00 , C22C1/00 , C30B11/00 , C01B27/00

CPC分类号： C22C1/007 , C01G15/00 , C30B11/00 , C30B29/42 , Y10S148/056 , Y10S420/903

22.

发明授权
Epitaxial gallium arsenide 失效
标题翻译：外源性阿拉斯加

公开(公告)号：US3471324A

公开(公告)日：1969-10-07

申请号：US3471324D

申请日：1966-12-23

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC

发明人： WILSON ORAN W , CRONIN GEORGE R

IPC分类号： C22C1/00 , H01L21/00 , H01B19/04 , C01B27/02 , C01G15/00

CPC分类号： C22C1/007 , H01L21/00 , Y10S148/056 , Y10S148/057 , Y10S148/115 , Y10S148/13

23.

发明授权
Rare earth metal compounds and their process of preparation 失效
标题翻译：稀土金属化合物及其制备方法

公开(公告)号：US3403002A

公开(公告)日：1968-09-24

申请号：US33464363

申请日：1963-12-30

申请人： AMERICAN CYANAMID CO

发明人： FRITZ HULLIGER

IPC分类号： C01B25/06 , C22C1/00

CPC分类号： C22C1/007 , C01B25/06

24.

发明授权
Method for producing highly pure, particularly silicon-free aiiibv compounds 失效
标题翻译：制备高纯度，特别是无硅化合物的方法

公开(公告)号：US3395985A

公开(公告)日：1968-08-06

申请号：US56044866

申请日：1966-06-27

申请人： SIEMENS AG

发明人： HANS MERKEL

IPC分类号： C01B25/06 , C22C1/00 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/10

CPC分类号： C30B29/40 , C01B25/06 , C22C1/007 , C30B15/02 , C30B15/10 , Y10S148/065 , Y10S420/903

25.

发明授权
Formation of aluminum, gallium, arsenic, and phosphorous binary conatings 失效
标题翻译：铝，镓，砷和磷二元金属的形成

公开(公告)号：US3391017A

公开(公告)日：1968-07-02

申请号：US38733064

申请日：1964-08-04

申请人： INT STANDARD ELECTRIC CORP

发明人： EDWIN BOLGER DEREK , EDWARD BARRY BRYAN

IPC分类号： C01B25/06 , C01B25/08 , C22C1/00 , H01L21/00

CPC分类号： C01B25/06 , C01B25/088 , C22C1/007 , H01L21/00 , Y10S148/072 , Y10S148/115 , Y10S438/971

26.

发明授权
Preparation of high-purity materials 失效
标题翻译：制备高纯度材料

公开(公告)号：US3353912A

公开(公告)日：1967-11-21

申请号：US18097062

申请日：1962-03-20

申请人： IBM

发明人： AINSLIE NORMAN G

IPC分类号： C01B25/06 , C22C1/00 , C30B11/00 , C30B11/06 , H01L21/00

CPC分类号： C30B29/42 , C01B25/06 , C22C1/007 , C30B11/065 , C30B29/40 , H01L21/00 , Y10S148/107 , Y10S420/903

27.

发明授权
Low temperature synthesis of compound semiconductors 失效
标题翻译：化合物半导体的低温合成

公开(公告)号：US3309176A

公开(公告)日：1967-03-14

申请号：US9902961

申请日：1961-03-29

申请人： RCA CORP

发明人： ALFRED MAYER

IPC分类号： C01B25/06 , C01G15/00 , C22C1/00

CPC分类号： C22C1/007 , C01B25/06 , C01G15/00 , Y10S420/903

28.

发明授权
Method of producing pure semiconductor material by chemical transport reaction using h2s/h2 system 失效

公开(公告)号：US3290181A

公开(公告)日：1966-12-06

申请号：US38625864

申请日：1964-07-30

申请人： SIEMENS AG

发明人： ERHARD SIRTL

IPC分类号： C01B31/30 , C01B31/36 , C01B33/02 , C01G1/12 , C22C1/00 , H01L21/00

CPC分类号： C01B33/02 , C01B32/90 , C01B32/956 , C01G1/12 , C22C1/007 , H01L21/00 , Y10S148/052 , Y10S148/135 , Y10S438/933

29.

发明授权
Process for purifying intermetallic binary antimonides containing zinc and cadmium impurities 失效
标题翻译：用于净化含有锌和镉杂质的金属间二元锑化物的方法

公开(公告)号：US3116113A

公开(公告)日：1963-12-31

申请号：US18849462

申请日：1962-04-18

申请人： NAT RESCARCH DEV CORP

发明人： FRASER HULME KENNETH , BRIAN MULLIN JOHN

IPC分类号： C22C1/00 , C30B13/00 , H01L21/00

CPC分类号： C30B29/40 , C22C1/007 , C30B13/00 , H01L21/00 , Y10S420/903

30.

发明授权
Method of producing gallium or aluminum arsenides and phosphides 失效
标题翻译：镓或砷化镓和磷化物的制备方法

公开(公告)号：US3094388A

公开(公告)日：1963-06-18

申请号：US85906059

申请日：1959-12-11

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC

发明人： JOHNSON ROWLAND E , MEHAL EDWARD W

IPC分类号： A21D2/16 , C01B25/06 , C01B35/04 , C22C1/00

CPC分类号： C22C1/007 , A21D2/16 , C01B25/06 , C01B35/04 , Y10S148/049 , Y10S148/056 , Y10S148/065 , Y10S420/903