公开(公告)号：US4990423A

公开(公告)日：1991-02-05

申请号：US368807

申请日：1989-06-20

申请人： Takashi Hayakawa ,  Shiro Narikawa ,  Kunio Ohashi

发明人： Takashi Hayakawa ,  Shiro Narikawa ,  Kunio Ohashi

IPC分类号： G03G5/08 ,  G03G5/082

CPC分类号： G03G5/08235 ,  G03G5/08214

摘要： A photosensitive member for electrophotography which comprises a conductive substrate and a photoconductive layer, the photoconductive layer being an amorphous silicon germanium containing hydrogen and/or a halogen at a specific amount, deposited by electron cyclotron resonance method, which is useful for image formation apparatus such as a laser printer.

摘要翻译： 一种用于电子照相的感光构件，其包括导电衬底和光电导层，光电导层是含有氢和/或特定量的卤素的非晶硅锗，其通过电子回旋共振法沉积，其可用于图像形成装置 作为激光打印机。

公开(公告)号：US4952473A

公开(公告)日：1990-08-28

申请号：US381993

申请日：1989-07-17

申请人： Akio Suzuki

发明人： Akio Suzuki

IPC分类号： G03G5/00 ,  G03G5/082 ,  G03G5/14 ,  G03G5/147

CPC分类号： G03G5/14 ,  G03G5/082 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/147

摘要： A photosensitive member for electrophotography comprises a photoconductive layer on an electroconductive substrate, said photoconductive layer being provided with a light scattering means having light scattering function.

摘要翻译： 用于电子照相的感光构件包括在导电衬底上的光电导层，所述光电导层设置有具有光散射功能的光散射装置。

公开(公告)号：US4895784A

公开(公告)日：1990-01-23

申请号：US323223

申请日：1989-03-13

申请人： Shigeru Shirai

发明人： Shigeru Shirai

IPC分类号： G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  G03G5/10 ,  G03G5/14

CPC分类号： G03G5/08214 ,  G03G5/10

摘要： A photoconductive member comprises a drum-shaped substrate and a photoconductive layer provided thereon, said photoconductive layer comprising an amorphous material comprising silicon atoms as a matrix, and said drum-shaped substrate having a ratio of the minimum thickness at the end portion to the maximum thickness at the central portion of 0.2 or higher.

摘要翻译： 感光体包括鼓形基底和设置在其上的光电导层，所述光电导层包括含硅原子作为基质的无定形材料，所述鼓形基底的端部与最大厚度之比 中心部分的厚度为0.2或更高。

公开(公告)号：US4853251A

公开(公告)日：1989-08-01

申请号：US831411

申请日：1986-02-20

申请人： Shunichi Ishihara ,  Shigeru Ohno ,  Masahiro Kanai ,  Shunri Oda ,  Isamu Shimizu

发明人： Shunichi Ishihara ,  Shigeru Ohno ,  Masahiro Kanai ,  Shunri Oda ,  Isamu Shimizu

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  G03G5/043 ,  G03G5/082 ,  G03G5/10 ,  H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： G03G5/08214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  G03G5/0433 ,  G03G5/08278 ,  G03G5/08285 ,  G03G5/102 ,  G03G5/104 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/931

摘要： A process for forming a deposited film comprises introducing into a film forming space housing a substrate therein an active species (A) formed by decomposition of a compound containing carbon and a halogen and an active species (B) formed from a chemical substance for film formation which is reactive with said active species (A) separately from each other, then providing them with discharge energy and allowing both the species to react with each other thereby to form a deposited film on the substrate.

摘要翻译： 形成沉积膜的方法包括将含有碳和卤素的化合物分解形成的活性物质（A）和由用于成膜的化学物质形成的活性物质（B）引入到容纳基材的膜形成空间中 其与所述活性物质（A）彼此分开反应，然后向其提供放电能量并允许物质彼此反应，从而在基底上形成沉积膜。

公开(公告)号：US4849315A

公开(公告)日：1989-07-18

申请号：US75163

申请日：1987-07-20

申请人： Damodar M. Pai ,  Santokh S. Badesha

发明人： Damodar M. Pai ,  Santokh S. Badesha

IPC分类号： G03G5/00 ,  G03G5/082

CPC分类号： G03G5/08214 ,  G03G5/005

摘要： A process for restoring imaging members, which comprises (1) providing a hydrogenated or halogenated amorphous silicon imaging member subsequent to its utilization in and removal from an electrophotographic imaging apparatus; and (2) contacting this member with a fluorine containing composition for an effective time period thereby resulting in an imaging member that when incorporated into an electrophotographic imaging apparatus enables the achievement of images with substantially no white spots as compared to the removed member.

摘要翻译： 一种用于恢复成像构件的方法，其包括（1）在电子照相成像装置的使用和移除之后提供氢化或卤化的非晶硅成像构件; 和（2）使该构件与含氟组合物接触有效的时间段，从而导致成像构件，当结合到电子照相成像装置中时，能够实现与被去除构件相比基本上没有白点的图像。

公开(公告)号：US4806386A

公开(公告)日：1989-02-21

申请号：US33463

申请日：1987-04-02

申请人： Shunichi Ishihara

发明人： Shunichi Ishihara

IPC分类号： C01B33/00 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/54 ,  G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/54 ,  G03G5/08214

摘要： An apparatus for forming a deposited film comprises a chamber, which can be brought into a reduced pressure, for forming a deposited film on a substrate by introducing a starting gas into said chamber and decomposing or polymerizing said gas, the apparatus is provided with both a means for decomposing or polymerizing said gas by discharging and a means for decomposing or polymerizing said gas by heat.

摘要翻译： 用于形成沉积膜的装置包括可以减压的室，用于通过将起始气体引入所述室并分解或聚合所述气体在基板上形成沉积膜，该装置设置有两个 用于通过排放分解或聚合所述气体的装置和用于通过加热分解或聚合所述气体的装置。

公开(公告)号：US4756924A

公开(公告)日：1988-07-12

申请号：US850190

申请日：1986-04-10

申请人： Chi C. Yang ,  Ralph Mohr ,  Stephen Hudgens ,  Annette Johncock ,  Prem Nath

发明人： Chi C. Yang ,  Ralph Mohr ,  Stephen Hudgens ,  Annette Johncock ,  Prem Nath

IPC分类号： G03G5/082 ,  H01L21/205 ,  B05D3/06 ,  B05D3/02

CPC分类号： G03G5/08214 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： A microwave glow discharge method for the deposition of p-doped semiconductor alloy material, which material is characterized by mono-atomic and tetrahedral incorporation of boron species into the semiconductor host matrix, thereby providing a p-doped semiconductor alloy material characterized by reduced bulk strain, reduced nucleation of undesirable morphological growth, improved adhesion to a substrate and reduced peeling and cracking.

摘要翻译： 一种用于沉积p掺杂半导体合金材料的微波辉光放电方法，该材料的特征在于将硼物质单原子和四面体结合到半导体主体基质中，由此提供了一种p掺杂的半导体合金材料，其特征在于减小的体系应变 减少了不希望的形态生长的成核，改善了对基材的粘附力，并减少了剥离和开裂。

公开(公告)号：US4738912A

公开(公告)日：1988-04-19

申请号：US905540

申请日：1986-09-10

申请人： Shuji Iino ,  Hideo Hotomi ,  Izumi Osawa ,  Mitsutoshi Nakamura

发明人： Shuji Iino ,  Hideo Hotomi ,  Izumi Osawa ,  Mitsutoshi Nakamura

IPC分类号： G03G5/082 ,  G03G5/14

CPC分类号： G03G5/082 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/08228 ,  G03G5/08285

摘要： The present invention provides a photosensitive member comprising a hydrogen-containing carbon layer as a charge transporting layer, which contains an element selected from the group consisting of Si, Ge and Sn; the hydrogen-containing carbon layer facilitates the injection of charge and decreases residual potential, and memory and increases sensitivity. Accordingly, a photosensitive member of the present invention is excellent in charge transporting property, sensitivity, charge holding property and imaged copy can be obtained.

摘要翻译： 本发明提供了一种感光构件，其包含含氢碳层作为电荷输送层，其含有选自Si，Ge和Sn的元素; 含氢碳层有助于注入电荷并降低残留电位，记忆并提高灵敏度。 因此，本发明的感光体具有优异的电荷传输性，灵敏度，电荷保持性和成像复印性。

公开(公告)号：US4701392A

公开(公告)日：1987-10-20

申请号：US719980

申请日：1985-04-04

申请人： Keishi Saitoh ,  Masahiro Kanai ,  Tetsuo Sueda ,  Teruo Misumi ,  Yoshio Tsuezuki ,  Kyosuke Ogawa

发明人： Keishi Saitoh ,  Masahiro Kanai ,  Tetsuo Sueda ,  Teruo Misumi ,  Yoshio Tsuezuki ,  Kyosuke Ogawa

IPC分类号： G03G5/08 ,  G03G5/082 ,  G03G5/10 ,  G03G5/14 ,  H01L31/0248 ,  G03G5/085

CPC分类号： G03G5/08 ,  G03G5/08214 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/10 ,  G03G5/102 ,  G03G5/144

摘要： A light receiving member comprises a substrate for light receiving member, a surface layer having reflection preventive function and a light receiving layer of a multi-layer structure having at least one photosensitive layer comprising an amorphous material containing silicon atoms on the substrate, said light receiving layer having at least one pair of non-parallel interfaces within a short range and said non-parallel interfaces being arranged in a large number in at least one direction within the plane perpendicular to the layer thickness direction.

摘要翻译： 光接收元件包括用于光接收元件的基底，具有反射防止功能的表面层和具有至少一个感光层的多层结构的光接收层，该感光层包含在基底上含有硅原子的非晶态材料，所述光接收 层，其在短范围内具有至少一对非平行界面，并且所述非平行界面在垂直于层厚度方向的平面内沿至少一个方向大量布置。

公开(公告)号：US4687724A

公开(公告)日：1987-08-18

申请号：US561349

申请日：1983-12-14

申请人： Shaw Ehara ,  Yoshimi Kojima ,  Eiji Imada ,  Takashi Hayakawa ,  Toshiro Matsuyama

发明人： Shaw Ehara ,  Yoshimi Kojima ,  Eiji Imada ,  Takashi Hayakawa ,  Toshiro Matsuyama

IPC分类号： G03G5/08 ,  G03G5/082

CPC分类号： G03G5/08214 ,  G03G5/08 ,  G03G5/08221

摘要： A photoreceptor for electrophotography utilizing a-Si:N:H:F, wherein a stable high-sensitive layer is provided and the time-lapse variation in characteristics is reduced in the use of an a-Si.sub.1-x N.sub.x layer as a sensitive layer.

摘要翻译： 使用a-Si：N：H：F的电子照相感光体，其中提供稳定的高敏感层，并且在使用a-Si1-xNx层作为敏感层时，特性的延时变化减小。