公开(公告)号：US08833855B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13521420

申请日：2011-01-14

申请人： Michael Dilsen ,  Jens Heinrich ,  Thomas Leneis

发明人： Michael Dilsen ,  Jens Heinrich ,  Thomas Leneis

IPC分类号： B60N2/20 ,  B60N2/30 ,  B60N2/36

CPC分类号： B60N2/3009 ,  B60N2/36 ,  B60N2205/35

摘要： The present invention relates to a vehicle seat having a seat part and having at least one backrest part which is pivotable about an axis of rotation relative to the seat part, and having a spring means which is effective between the seat part and the backrest part, wherein the backrest part comprises at least a backrest rear wall, backrest upholstery and a backrest cover. According to the invention, a spring means designed as a torsion spring is in each case arranged completely within the corresponding backrest part, is supported at the first end thereof on the backrest rear wall and acts at the second end thereof opposite the first end on an intermediate piece or on a stop of the intermediate piece, wherein the intermediate piece is arranged on the axis of rotation and is fastened to a bearing in a manner fixed relative to the frame.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有座椅部分并且具有至少一个靠背部分的车座，所述靠背部分可围绕座椅部分的旋转轴线枢转，并且具有在座椅部件和靠背部件之间有效的弹簧装置， 其中所述靠背部分至少包括靠背后壁，靠背内饰和靠背罩。 根据本发明，设计为扭转弹簧的弹簧装置在每种情况下都完全设置在相应的靠背部分内，在其第一端处被支撑在靠背后壁上，并且在与第一端相对的第二端处作用在 中间件或中间件的止挡件，其中中间件布置在旋转轴线上并且以相对于框架固定的方式紧固到轴承。

公开(公告)号：US20130140645A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13732859

申请日：2013-01-02

申请人： Jens Heinrich ,  Ralf Ritcher ,  Kai Frohberg

发明人： Jens Heinrich ,  Ralf Ritcher ,  Kai Frohberg

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L23/5256 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： In a replacement gate approach, the semiconductor material of the gate electrode structures may be efficiently removed during a wet chemical etch process, while this material may be substantially preserved in electronic fuses. Consequently, well-established semiconductor-based electronic fuses may be used instead of requiring sophisticated metal-based fuse structures. The etch selectivity of the semiconductor material may be modified on the basis of ion implantation or electron bombardment.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，可以在湿式化学蚀刻工艺期间有效地去除栅电极结构的半导体材料，而这种材料可以基本上保存在电子熔丝中。 因此，可以使用成熟的基于半导体的电子熔丝而不需要复杂的金属基熔丝结构。 可以在离子注入或电子轰击的基础上修改半导体材料的蚀刻选择性。

公开(公告)号：US20130102147A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13281105

申请日：2011-10-25

申请人： Torsten Huisinga ,  Jens Heinrich ,  Ronny Pfuetzner

发明人： Torsten Huisinga ,  Jens Heinrich ,  Ronny Pfuetzner

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058

摘要： One method disclosed herein includes the steps of forming a ULK material layer, forming a hard mask layer above the ULK material layer, forming a patterned photoresist layer above the hard mask layer, performing at least one etching process to define an opening in at least the ULK material layer for a conductive structure to be positioned in at least the ULK material layer, forming a fill material such that it overfills the opening, performing a process operation to remove the patterned photoresist layer and to remove the fill material positioned outside of the opening, removing the fill material from within the opening and, after removing the fill material from within the opening, forming a conductive structure in the opening.

摘要翻译： 本文公开的一种方法包括以下步骤：形成ULK材料层，在ULK材料层上形成硬掩模层，在硬掩模层之上形成图案化的光致抗蚀剂层，执行至少一个蚀刻工艺以在至少 用于导电结构的ULK材料层至少位于ULK材料层中，形成填充材料，使得其过度填充开口，执行处理操作以去除图案化的光致抗蚀剂层并移除位于开口外部的填充材料 从开口内取出填充材料，并且在从开口内取出填充材料之后，在开口中形成导电结构。

公开(公告)号：US08048726B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12914663

申请日：2010-10-28

申请人： Jens Heinrich ,  Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Kerstin Ruttloff

发明人： Jens Heinrich ,  Kai Frohberg ,  Sven Mueller ,  Kerstin Ruttloff

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/1207

摘要： In sophisticated SOI devices, circuit elements, such as substrate diodes, may be formed in the crystalline substrate material on the basis of a substrate window, wherein the pronounced surface topography may be compensated for or at least reduced by performing additional planarization processes, such as the deposition of a planarization material, and a subsequent etch process when forming the contact level of the semiconductor device.

摘要翻译： 在复杂的SOI器件中，可以在衬底窗口的基础上在晶体衬底材料中形成诸如衬底二极管之类的电路元件，其中可以通过执行附加的平坦化工艺来补偿或至少减少显着的表面形貌，例如 平坦化材料的沉积，以及当形成半导体器件的接触电平时的后续蚀刻工艺。

公开(公告)号：US20110104880A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12894985

申请日：2010-09-30

申请人： Jens Heinrich ,  Thomas Werner ,  Frank Seliger ,  Frank Richter

发明人： Jens Heinrich ,  Thomas Werner ,  Frank Seliger ,  Frank Richter

IPC分类号： H01L21/71

CPC分类号： H01L21/82385 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833

摘要： In a replacement gate approach, a top area of a gate opening has a superior cross-sectional shape which is accomplished on the basis of a plasma assisted etch process or an ion sputter process. During the process, a sacrificial fill material protects sensitive materials, such as a high-k dielectric material and a corresponding cap material. Consequently, the subsequent deposition of a work function adjusting material layer may not result in a surface topography which may result in a non-reliable filling-in of the electrode metal. In some illustrative embodiments, the sacrificial fill material may also be used as a deposition mask for avoiding the deposition of the work function adjusting metal in certain gate openings in which a different type of work function adjusting species is required.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，栅极开口的顶部区域具有优异的横截面形状，其基于等离子体辅助蚀刻工艺或离子溅射工艺来实现。 在该过程中，牺牲填充材料保护敏感材料，例如高k电介质材料和对应的帽材料。 因此，随后的功函调整材料层的沉积可能不会导致表面形貌，这可能导致不可靠地填充电极金属。 在一些说明性实施例中，牺牲填充材料也可以用作沉积掩模，以避免功能调节金属沉积在需要不同类型的功能调节物质的某些门开口中。

公开(公告)号：US20110076844A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12893102

申请日：2010-09-29

申请人： Jens Heinrich ,  Gerd Marxsen ,  Katja Steffen

发明人： Jens Heinrich ,  Gerd Marxsen ,  Katja Steffen

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

摘要： In a replacement gate approach, a top area of a gate opening may receive a superior cross-sectional shape after the deposition of a work function adjusting species on the basis of a polishing process, wherein a sacrificial material may protect the sensitive materials in the gate opening.

摘要翻译： 在替代浇口方法中，在沉积根据抛光工艺调节物质的功函数之后，栅极开口的顶部区域可以接收优异的横截面形状，其中牺牲材料可以保护栅极中的敏感材料 开放

公开(公告)号：US6002312A

公开(公告)日：1999-12-14

申请号：US142155

申请日：1998-09-02

申请人： Michael Dittmann ,  Jens Heinrich ,  Heinz Stadler

发明人： Michael Dittmann ,  Jens Heinrich ,  Heinz Stadler

IPC分类号： H01H50/02 ,  H01H50/04 ,  H01H50/14 ,  H01H51/22

CPC分类号： H01H50/02 ,  H01H51/2281 ,  H01H50/023 ,  H01H50/026 ,  H01H50/14

摘要： An electromagnetic relay has a base with a contact arrangement and a rocker armature mounted on the base. Above the base, a magnet system with a coil, a core and two yokes is provided, this system working together with the rocker armature. At least the coil with the core is embedded in the insulating material of a basic body which surrounds the base in box-type fashion with side walls that are integrally formed downwardly, and forms a sealed contact chamber. By means of the basic body surrounding the coil, a high insulation strength of the relay between the coil and the contact system is ensured, as is a high stability of the construction.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE97 / 00686 Sec。 371日期：1998年9月2日 102（e）1998年9月2日PCT 1997年4月3日PCT PCT。 WO97 / 39467 PCT公开号 日期1997年10月23日电磁继电器具有基座，触点布置和安装在基座上的摇臂电枢。 在基座之上，提供了具有线圈，铁芯和两个轭的磁体系统，该系统与摇臂电枢一起工作。 至少具有芯的线圈被嵌入在基本体的绝缘材料中，该基体以箱形方式围绕底部，侧壁一体形成，并形成密封的接触室。 通过围绕线圈的基体，确保线圈和接触系统之间的继电器的高绝缘强度，以及该结构的高稳定性。

公开(公告)号：US08778795B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13192164

申请日：2011-07-27

申请人： Ronny Pfuetzner ,  Jens Heinrich

发明人： Ronny Pfuetzner ,  Jens Heinrich

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53228 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated metallization systems of semiconductor devices, a sensitive core metal, such as copper, may be efficiently confined by a conductive barrier material comprising a copper/silicon compound, such as a copper silicide, which may provide superior electromigration behavior and higher electrical conductivity compared to conventionally used tantalum/tantalum nitride barrier systems.

摘要翻译： 在半导体器件的复杂金属化系统中，诸如铜的敏感芯子金属可以被包含诸如硅化铜的铜/硅化合物的导电阻挡材料有效地限制，这可以提供优异的电迁移行为和更高的电导率 适用于常规使用的钽/氮化钽屏障系统。

公开(公告)号：US08772154B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13163495

申请日：2011-06-17

申请人： Egon Ronny Pfützner ,  Carsten Peters ,  Jens Heinrich

发明人： Egon Ronny Pfützner ,  Carsten Peters ,  Jens Heinrich

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments of a method for fabricating integrated circuits are provided, as are embodiments of an integrated circuit. In one embodiment, the method includes the steps of depositing an interlayer dielectric (“ILD”) layer over a semiconductor device, depositing a barrier polish stop layer over the ILD layer, and patterning at least the barrier polish stop layer and the ILD layer to create a plurality of etch features therein. Copper is plated over the barrier polish stop layer and into the plurality of etch features to produce a copper overburden overlying the barrier polish stop layer and a plurality of conductive interconnect features in the ILD layer and barrier polish stop layer. The integrated circuit is polished to remove the copper overburden and expose the barrier polish stop layer.

摘要翻译： 与集成电路的实施例一样，提供了用于制造集成电路的方法的实施例。 在一个实施例中，该方法包括以下步骤：在半导体器件上沉积层间电介质（“ILD”）层，在ILD层上沉积阻挡抛光停止层，以及至少将阻挡抛光停止层和ILD层图案化成 在其中产生多个蚀刻特征。 将铜镀在阻挡抛光停止层上并进入多个蚀刻特征中以产生覆盖阻挡抛光停止层的铜覆盖层和ILD层和阻挡抛光停止层中的多个导电互连特征。 该集成电路被抛光以去除铜覆盖层并暴露阻挡抛光停止层。

公开(公告)号：US20120153405A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13195981

申请日：2011-08-02

申请人： Jens Heinrich ,  Kai Frohberg ,  Torsten Huisinga ,  Ronny Pfuetzner

发明人： Jens Heinrich ,  Kai Frohberg ,  Torsten Huisinga ,  Ronny Pfuetzner

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, at least a portion of the interlayer dielectric material of the contact level may be provided in the form of a low-k dielectric material which may, in some illustrative embodiments, be accomplished on the basis of a replacement gate approach. Hence, superior electrical performance, for instance with respect to the parasitic capacitance, may be accomplished.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，接触电平的层间电介质材料的至少一部分可以以低k电介质材料的形式提供，在一些说明性实施例中，可以基于替代栅极方法来实现。 因此，可以实现例如相对于寄生电容的优异的电性能。