公开(公告)号：US08860025B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13227206

申请日：2011-09-07

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans-Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Hans-Peter Felsl ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/02576 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor diode. The semiconductor diode includes a drift region and a first semiconductor region of a first conductivity type formed in or on the drift region. The first semiconductor region is electrically coupled to a first terminal via a first surface of a semiconductor body. The semiconductor diode includes a channel region of a second conductivity type electrically coupled to the first terminal, wherein a bottom of the channel region adjoins the first semiconductor region. A first side of the channel region adjoins the first semiconductor region.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体二极管。 半导体二极管包括形成在漂移区中或漂移区上的漂移区和第一导电类型的第一半导体区。 第一半导体区域经由半导体本体的第一表面电耦合到第一端子。 半导体二极管包括电耦合到第一端子的第二导电类型的沟道区，其中沟道区的底部与第一半导体区相邻。 沟道区的第一侧邻接第一半导体区。

公开(公告)号：US20120037955A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13197903

申请日：2011-08-04

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Thomas Raker ,  Hans-Joachim Schulze ,  Wolfgang Werner

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Thomas Raker ,  Hans-Joachim Schulze ,  Wolfgang Werner

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A transistor component includes in a semiconductor body a source zone and a drift zone of a first conduction type, and a body zone of a second conduction type complementary to the first conduction type, the body zone arranged between the drift zone and the source zone. The transistor component further includes a source electrode in contact with the source zone and the body zone, a gate electrode adjacent the body zone and dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer, and a diode structure connected between the drift zone and the source electrode. The diode structure includes a first emitter zone adjoining the drift zone in the semiconductor body, and a second emitter zone of the first conduction type adjoining the first emitter zone. The second emitter zone is connected to the source electrode and has an emitter efficiency γ of less than 0.7.

摘要翻译： 晶体管部件在半导体本体中包括源极区和第一导电类型的漂移区，以及与第一导电类型互补的第二导电类型的体区，布置在漂移区和源极区之间的体区。 所述晶体管部件还包括与所述源极区域和所述主体区域接触的源极电极，与所述主体区域相邻的栅极电极，并且通过栅极介电层与所述主体区域介电绝缘，以及连接在所述漂移区域 源电极。 二极管结构包括与半导体主体中的漂移区相邻的第一发射区和与第一发射区邻接的第一导电类型的第二发射极区。 第二发射极区域与源极连接，发射极效率γ小于0.7。

公开(公告)号：US07943987B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11874591

申请日：2007-10-18

申请人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Stefan Sedlmaier ,  Frank Pfirsch

发明人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Stefan Sedlmaier ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component has a drift zone and a drift control zone, a drift control zone dielectric, which is arranged in sections between the drift zone and the drift control zone, and has a first and a second connection zone, which are doped complementarily with respect to one another and which form a pn junction between the drift control zone and a section of the drift zone.

摘要翻译： 半导体部件具有漂移区和漂移控制区，漂移控制区电介质，其布置在漂移区和漂移控制区之间的部分中，并且具有第一和第二连接区，其相互掺杂互补 并且在漂移控制区域和漂移区段的一部分之间形成pn结。

公开(公告)号：US07825467B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12241808

申请日：2008-09-30

申请人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036

摘要： A description is given of a normally on semiconductor component having a drift zone, a drift control zone and a drift control zone dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone.

摘要翻译： 给出了具有漂移区，漂移控制区和布置在漂移区和漂移控制区之间的漂移控制区电介质的常规半导体元件的描述。

公开(公告)号：US20090218621A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

摘要翻译： 具有漂移区域和漂移控制区域的半导体部件。 一个实施例包括半导体本体中具有第一导电类型的漂移区的半导体本体。 由半导体材料组成的漂移控制区域至少部分地布置成与半导体本体中的漂移区域相邻。 在漂移区域和漂移控制区域之间布置积累电介质。

公开(公告)号：US20080265320A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12019271

申请日：2008-01-24

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Gerhard Noebauer

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7831 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/063 ,  H03K17/567

摘要： A component arrangement including a MOS transistor having a field electrode is disclosed. One embodiment includes a gate electrode, a drift zone and a field electrode, arranged adjacent to the drift zone and dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer a charging circuit, having a rectifier element connected between the gate electrode and the field electrode.

摘要翻译： 公开了一种包括具有场电极的MOS晶体管的部件布置。 一个实施例包括栅极，漂移区和场电极，其布置成与漂移区相邻并且通过介电层与漂移区介电绝缘，该充电电路具有连接在栅电极和场电极之间的整流元件。

公开(公告)号：US07436023B2

公开(公告)日：2008-10-14

申请号：US11464004

申请日：2006-08-11

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component having a drift path (2) which is formed in a semiconductor body (1), is composed of a semiconductor material of first conductance type. The drift path (2) is arranged between at least one first and one second electrode (3, 4) and has a trench structure in the form of at least one trench (18). A dielectric material which is referred to as a high-k material and has a relative dielectric constant εr where εr≧20 is arranged in the trench structure such that at least one high-k material region (5) and one semiconductor material region (6) of the first conductance type are arranged in the area of the drift path (2).

摘要翻译： 具有形成在半导体本体（1）中的漂移路径（2）的半导体部件由第一导电型半导体材料构成。 漂移路径（2）布置在至少一个第一和第二电极（3,4）之间，并具有至少一个沟槽（18）形式的沟槽结构。 被称为高k材料并且具有相对介电常数εε的电介质材料，其中ε= r / O 2 = 20布置在沟槽结构中，使得在 第一电导型的至少一个高k材料区域（5）和一个半导体材料区域（6）被布置在漂移路径（2）的区域中。

公开(公告)号：US20080197380A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11706860

申请日：2007-02-15

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Franz Hirler

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component is disclosed herein comprising a drift zone and a drift control zone. The drift control zone is arranged adjacent to the drift zone and is dielectrically insulated from the drift zone by a dielectric layer. The drift control zone includes at least one first semiconductor layer and one second semiconductor layer. The first semiconductor layer has a higher charge carrier mobility than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 本文公开了一种半导体元件，其包括漂移区和漂移控制区。 漂移控制区域布置成与漂移区相邻，并且通过介电层与漂移区介电绝缘。 漂移控制区包括至少一个第一半导体层和一个第二半导体层。 第一半导体层具有比第二半导体层更高的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US09553178B2

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：US12977755

申请日：2010-12-23

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236

摘要： A semiconductor component includes a first emitter zone of a first conductivity type, a second emitter zone of a second conductivity type, a first base zone arranged between the first and second emitter zones and a first control structure. The first control structure includes a control electrode arranged adjacent the first emitter zone, the control electrode being insulated from the first emitter zone by a first dielectric layer and extending in a current flow direction of the semiconductor component. The first control structure includes a first control connection and at least one first connection zone arranged between the first control connection and the control electrode and comprising a semiconductor material.

摘要翻译： 半导体部件包括第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域，布置在第一和第二发射极区域之间的第一基极区域和第一控制结构。 第一控制结构包括布置在第一发射区附近的控制电极，控制电极通过第一介电层与第一发射区绝缘，并沿着半导体部件的电流流动方向延伸。 第一控制结构包括第一控制连接和布置在第一控制连接和控制电极之间并且包括半导体材料的至少一个第一连接区域。

公开(公告)号：US09112053B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13537374

申请日：2012-06-29

申请人： Hans Weber ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Anton Mauder ,  Kurt Sorschag ,  Stefan Gamerith ,  Roman Knoefler

发明人： Hans Weber ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Anton Mauder ,  Kurt Sorschag ,  Stefan Gamerith ,  Roman Knoefler

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7828

摘要： A semiconductor device with a dielectric layer is produced by providing a semiconductor body with a first trench extending into the semiconductor body, the first trench having a bottom and a sidewall. A first dielectric layer is formed on the sidewall in a lower portion of the first trench and a first plug is formed in the lower portion of the first trench so as to cover the first dielectric layer. The first plug leaves an upper portion of the sidewall uncovered. A sacrificial layer is formed on the sidewall in the upper portion of the first trench and a second plug is formed in the upper portion of the first trench. The sacrificial layer is removed so as to form a second trench having sidewalls and a bottom. A second dielectric layer is formed in the second trench and extends to the first dielectric layer.

摘要翻译： 具有电介质层的半导体器件通过向半导体本体提供延伸到半导体本体中的第一沟槽，第一沟槽具有底部和侧壁来制造。 第一电介质层形成在第一沟槽的下部的侧壁上，第一插塞形成在第一沟槽的下部，以覆盖第一电介质层。 第一个塞子留下未覆盖的侧壁的上部。 牺牲层形成在第一沟槽的上部的侧壁上，第二插塞形成在第一沟槽的上部。 除去牺牲层以形成具有侧壁和底部的第二沟槽。 第二介电层形成在第二沟槽中并延伸到第一介电层。