公开(公告)号：US08410608B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13233312

申请日：2011-09-15

申请人： Makoto Wada ,  Yuichi Yamazaki

发明人： Makoto Wada ,  Yuichi Yamazaki

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53276 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： According to one embodiment, a device includes an insulating layer with a first trench, a first interconnect layer in the first trench, the first interconnect layer including copper and includes a concave portion, and a first graphene sheet on an inner surface of the concave portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种器件包括具有第一沟槽的绝缘层，第一沟槽中的第一互连层，包括铜的第一互连层，并包括凹部，以及在凹部的内表面上的第一石墨烯片 。

公开(公告)号：US20130075757A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13555430

申请日：2012-07-23

申请人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

发明人： Mariko Suzuki ,  Tadashi Sakai ,  Naoshi Sakuma ,  Masayuki Katagiri ,  Yuichi Yamazaki

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device according to the present embodiment includes a diamond substrate having a surface plane inclined from a (100) plane in a range of 10 degrees to 40 degrees in a direction of ±10 degrees, and an n-type diamond semiconductor layer containing phosphorus (P) and formed above the surface plane described above.

摘要翻译： 根据本实施例的半导体器件包括具有从（100）面倾斜的表面平面的金刚石基板在<011±10度的方向上在10度至40度的范围内，以及n型金刚石半导体 含有磷（P）的层并形成在上述表面上方。

公开(公告)号：US08378335B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13075591

申请日：2011-03-30

申请人： Yuichi Yamazaki ,  Makoto Wada ,  Tadashi Sakai

发明人： Yuichi Yamazaki ,  Makoto Wada ,  Tadashi Sakai

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/76

摘要： A semiconductor device according to an embodiment, includes a catalytic metal film, a graphene film, a contact plug, and an adjustment film. The catalytic metal film is formed above a substrate. The graphene film is formed on the catalytic metal film. The contact plug is connected to the graphene film. The adjustment film is formed in a region other than a region connected to the contact plug of a surface of the graphene film to adjust a Dirac point position in a same direction as the region connected to the contact plug with respect to a Fermi level.

摘要翻译： 根据实施例的半导体器件包括催化金属膜，石墨烯膜，接触插塞和调整膜。 催化金属膜形成在基板的上方。 在催化金属膜上形成石墨烯膜。 接触塞连接到石墨烯膜。 调整膜形成在与石墨烯膜的表面的接触插塞连接的区域以外的区域中，以相对于费米能级与连接到接触插塞的区域相同的方向调节狄拉克点位置。

公开(公告)号：US08198193B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US13041543

申请日：2011-03-07

申请人： Naoshi Sakuma ,  Tadashi Sakai ,  Yuichi Yamazaki ,  Masayuki Katagiri ,  Mariko Suzuki ,  Makoto Wada

发明人： Naoshi Sakuma ,  Tadashi Sakai ,  Yuichi Yamazaki ,  Masayuki Katagiri ,  Mariko Suzuki ,  Makoto Wada

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A manufacturing method of a semiconductor substrate includes the following steps: forming a first wiring layer on a substrate; forming an interlayer insulating film having a via hole on the wiring layer; forming carbon nanotubes in the via hole; performing a fluorination treatment entirely to the substrate; forming an embedded film in the via hole having the carbon nanotubes therein; and polishing the substrate to entirely flatten the substrate.

摘要翻译： 半导体衬底的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一布线层; 在所述布线层上形成具有通孔的层间绝缘膜; 在通孔中形成碳纳米管; 完全对基材进行氟化处理; 在其中具有碳纳米管的通孔中形成嵌入膜; 并抛光衬底以使衬底完全平坦化。

公开(公告)号：US08114209B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US11703708

申请日：2007-02-08

申请人： Hisaharu Aoki ,  Koji Togawa ,  Hirobumi Ohira ,  Masanao Kobayashi ,  Yuichi Yamazaki ,  Hiroaki Komatsubara ,  Toshiaki Shimizu ,  Ryusuke Izawa ,  Hideki Furukawa ,  Masayuki Harada ,  Mitsuyoshi Yokoi ,  Masayuki Kito ,  Keigo Yorioka ,  Akihiro Hayashi

发明人： Hisaharu Aoki ,  Koji Togawa ,  Hirobumi Ohira ,  Masanao Kobayashi ,  Yuichi Yamazaki ,  Hiroaki Komatsubara ,  Toshiaki Shimizu ,  Ryusuke Izawa ,  Hideki Furukawa ,  Masayuki Harada ,  Mitsuyoshi Yokoi ,  Masayuki Kito ,  Keigo Yorioka ,  Akihiro Hayashi

IPC分类号： B28B7/38 ,  B28B7/36 ,  C04B35/66 ,  C10M105/36 ,  C10M131/10

CPC分类号： C10M169/04 ,  B22D17/2007 ,  C10M2203/1006 ,  C10M2205/16 ,  C10M2205/18 ,  C10M2207/026 ,  C10M2207/289 ,  C10M2207/40 ,  C10M2207/401 ,  C10M2209/084 ,  C10M2215/064 ,  C10M2229/025 ,  C10M2229/0415 ,  C10M2229/0425 ,  C10N2210/06 ,  C10N2220/02 ,  C10N2220/022 ,  C10N2230/02 ,  C10N2230/06 ,  C10N2240/58 ,  C10N2250/04

摘要： The invention provides an oil type release agent die casting containing 70 to 98 parts by weight of a solvent having a specified flash point, 1 to 10 parts by weight of mineral oils and/or synthetic oils having a high viscosity, 15 parts by weight or less of a silicone oil, and 1 to 5 parts by weight of additives having a lubricating function, wherein the flash point of the agent is in the range of 70 to 170° C., and dynamic viscosity of the agent is 2 to 30 mm2/s or higher at 40° C., and a method for setting a mixing ratio of the solvent, a casting method, and a spraying unit for the case of using the release agent.

摘要翻译： 本发明提供一种油型脱模剂压铸件，其包含70至98重量份的具有特定闪点的溶剂，1至10重量份的具有高粘度的矿物油和/或合成油，15重量份或 较少的硅油和1〜5重量份的具有润滑功能的添加剂，其中试剂的闪点在70〜170℃的范围内，试剂的动态粘度为2〜30mm 2 / s以上，在使用脱模剂的情况下设定溶剂，流延法，喷雾装置的混合比例的方法。

公开(公告)号：US20110240111A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12879785

申请日：2010-09-10

申请人： Yuichi Yamazaki ,  Tadashi Sakai ,  Koji Asakawa

发明人： Yuichi Yamazaki ,  Tadashi Sakai ,  Koji Asakawa

IPC分类号： H01L31/0216 ,  G02B6/42 ,  B32B5/16 ,  H01L31/04 ,  B32B3/30 ,  B82Y20/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/1213 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/268

摘要： According to one embodiment, a carbon nanotube assembly includes a plurality of carbon nanotubes having a length of 10 μm or less in a major axis direction assembled with a space filling rate of 30% or more.

摘要翻译： 根据一个实施方案，碳纳米管组件包括多个长度方向为10μm或更小的碳纳米管，长度方向以30％或更多的空间填充率组装。

公开(公告)号：USD631808S1

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：US29319910

申请日：2008-06-17

申请人： Yuichi Yamazaki

设计人： Yuichi Yamazaki

公开(公告)号：USD512672S1

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US29219860

申请日：2004-12-23

申请人： Yuichi Yamazaki ,  Jamie Klopp

设计人： Yuichi Yamazaki ,  Jamie Klopp

公开(公告)号：USD511729S1

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US29219866

申请日：2004-12-23

申请人： Yuichi Yamazaki ,  Jamie Klopp

设计人： Yuichi Yamazaki ,  Jamie Klopp

公开(公告)号：USD453078S1

公开(公告)日：2002-01-29

申请号：US29131440

申请日：2000-12-07

申请人： Yuichi Yamazaki ,  Yuichi Komuro

设计人： Yuichi Yamazaki ,  Yuichi Komuro