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    CAPACITIVE MONITORS FOR DETECTING METAL EXTRUSION DURING ELECTROMIGRATION
    31.
    发明申请
    CAPACITIVE MONITORS FOR DETECTING METAL EXTRUSION DURING ELECTROMIGRATION 失效
    用于检测电解过程中金属挤压的电容监测器

    公开(公告)号：US20060066314A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：US10711641

    申请日：2004-09-29

    申请人： Ishtiaq Ahsan ,  Ronald Filippi ,  Roy Iggulden ,  Edward Kiewra ,  Ping-Chuan Wang

    发明人： Ishtiaq Ahsan ,  Ronald Filippi ,  Roy Iggulden ,  Edward Kiewra ,  Ping-Chuan Wang

    IPC分类号： G01R31/08

    CPC分类号： H01L22/34 ,  G01R31/2858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method and apparatus for detecting metal extrusion associated with electromigration (EM) under high current density situations within an EM test line by measuring changes in capacitance associated with metal extrusion that occurs in the vicinity of the charge carrying surfaces of one or more capacitors situated in locations of close physical proximity to anticipated sites of metal extrusion on an EM test line are provided. The capacitance of each of the one or more capacitors is measured prior to and then during or after operation of the EM test line so as to detect capacitance changes indicating metal extrusion.

    摘要翻译： 一种用于在EM测试线中的高电流密度情况下检测与电迁移（EM）有关的金属挤出的方法和装置，其通过测量在位于一个或多个电容器中的一个或多个电容器的电荷承载表面附近的与金属挤出相关的电容的变化 提供了在EM测试线上与金属挤压的预期位置紧密物理接近的位置。 一个或多个电容器中的每一个的电容在EM测试线之前和之后测量，以便检测指示金属挤压的电容变化。

    INTERCONNECT STRUCTURE WITH ENHANCED RELIABILITY
    32.
    发明申请
    INTERCONNECT STRUCTURE WITH ENHANCED RELIABILITY 有权
    具有增强可靠性的互连结构

    公开(公告)号：US20120104610A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US12915510

    申请日：2010-10-29

    申请人： Ronald Filippi ,  Ping-Chuan Wang ,  Griselda Bonilla ,  Kaushik Chanda ,  Robert D. Edwards ,  Andrew H. Simon

    发明人： Ronald Filippi ,  Ping-Chuan Wang ,  Griselda Bonilla ,  Kaushik Chanda ,  Robert D. Edwards ,  Andrew H. Simon

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An improved interconnect structure including a dielectric layer having a conductive feature embedded therein, the conductive feature having a first top surface that is substantially coplanar with a second top surface of the dielectric layer; a metal cap layer located directly on the first top surface, wherein the metal cap layer does not substantially extend onto the second top surface; a first dielectric cap layer located directly on the second top surface, wherein the first dielectric cap layer does not substantially extend onto the first top surface and the first dielectric cap layer is thicker than the metal cap layer; and a second dielectric cap layer on the metal cap layer and the first dielectric cap layer. A method of forming the interconnect structure is also provided.

    摘要翻译： 一种改进的互连结构，其包括具有嵌入其中的导电特征的介电层，所述导电特征具有与介电层的第二顶表面基本共面的第一顶表面; 金属盖层直接位于第一顶表面上，其中金属盖层基本上不延伸到第二顶表面上; 位于所述第二顶表面上的第一电介质盖层，其中所述第一电介质盖层基本上不延伸到所述第一顶表面上，并且所述第一电介质盖层比所述金属盖层厚; 以及金属盖层和第一电介质盖层上的第二电介质盖层。 还提供了形成互连结构的方法。

    DETECTION OF RESIDUAL LINER MATERIALS AFTER POLISHING IN DAMASCENE PROCESS
    33.
    发明申请
    DETECTION OF RESIDUAL LINER MATERIALS AFTER POLISHING IN DAMASCENE PROCESS 审中-公开
    在破碎过程中抛光后残留衬里材料的检测

    公开(公告)号：US20070120259A1

    公开(公告)日：2007-05-31

    申请号：US11669180

    申请日：2007-01-31

    申请人： Ronald Filippi ,  Roy Iggulden ,  Edward Kiewra ,  Stephen Loh ,  Ping-Chuan Wang

    发明人： Ronald Filippi ,  Roy Iggulden ,  Edward Kiewra ,  Stephen Loh ,  Ping-Chuan Wang

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7688 ,  H01L22/24 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method and structure for the detection of residual liner materials after polishing in a damascene processes includes an integrated circuit comprising a substrate; a dielectric layer over the substrate; a marker layer over the dielectric layer; a liner over the marker layer and dielectric layer; and a metal layer over the liner, wherein the marker layer comprises ultraviolet detectable material, which upon excitation by an ultraviolet ray signals an absence of the metal layer and the liner over the marker layer. Moreover, the marker layer comprises a separate layer from the dielectric layer. Additionally, the ultraviolet detectable material comprises fluorescent material or phosphorescent material.

    摘要翻译： 用于在镶嵌工艺中抛光之后检测残留衬垫材料的方法和结构包括：包括衬底的集成电路; 介电层; 电介质层上的标记层; 标记层和电介质层上的衬垫; 以及在所述衬里上的金属层，其中所述标记层包括紫外线可检测材料，其在通过紫外线激发时表示在所述标记层上不存在所述金属层和所述衬垫。 此外，标记层包括与电介质层分离的层。 另外，紫外线可检测材料包括荧光材料或磷光材料。

    Test structure for determination of TSV depth
    34.
    发明授权
    Test structure for determination of TSV depth 有权
    用于测定TSV深度的测试结构

    公开(公告)号：US08853693B2

    公开(公告)日：2014-10-07

    申请号：US13423823

    申请日：2012-03-19

    申请人： Hanyi Ding ,  Kai D. Feng ,  Ping-Chuan Wang ,  Zhijian Yang

    发明人： Hanyi Ding ,  Kai D. Feng ,  Ping-Chuan Wang ,  Zhijian Yang

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66

    CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L21/76898

    摘要： A test structure for a through-silicon-via (TSV) in a semiconductor chip includes a first contact, the first contact being electrically connected to a first TSV; and a second contact, wherein the first contact, second contact, and the first TSV form a first channel, and a depth of the first TSV is determined based on a resistance of the first channel.

    摘要翻译： 半导体芯片中的贯穿硅通孔（TSV）的测试结构包括：第一触点，第一触点电连接到第一TSV; 以及第二触点，其中所述第一触点，所述第二触点和所述第一TSV形成第一通道，并且基于所述第一通道的电阻来确定所述第一TSV的深度。

    Electrically programmable fuse and fabrication method
    37.
    发明授权
    Electrically programmable fuse and fabrication method 有权
    电可编程保险丝和制造方法

    公开(公告)号：US08378447B2

    公开(公告)日：2013-02-19

    申请号：US13085632

    申请日：2011-04-13

    申请人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

    发明人： Kaushik Chanda ,  Ronald G. Filippi ,  Joseph M. Lukaitis ,  Ping-Chuan Wang

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrically programmable fuse includes an anode, a cathode, and a fuse link conductively connecting the cathode with the anode, which is programmable by applying a programming current. The anode and the fuse link each include a polysilicon layer and a silicide layer formed on the polysilicon layer, and the cathode includes the polysilicon layer and a partial silicide layer formed on a predetermined portion of the polysilicon layer of the cathode located adjacent to a cathode junction where the cathode and the fuse link meet.

    摘要翻译： 电可编程保险丝包括阳极，阴极和导电地连接阴极与阳极的熔断体，其可通过施加编程电流来编程。 阳极和熔丝链路各自包括形成在多晶硅层上的多晶硅层和硅化物层，并且阴极包括多晶硅层和形成在阴极的多晶硅层的预定部分上的部分硅化物层，其位于阴极附近 阴极和熔断体连接处的连接处。

    Structure and method of reducing electromigration cracking and extrusion effects in semiconductor devices
    40.
    发明授权
    Structure and method of reducing electromigration cracking and extrusion effects in semiconductor devices 失效
    减少半导体器件中电迁移破裂和挤出效应的结构和方法

    公开(公告)号：US08237283B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US11758206

    申请日：2007-06-05

    申请人： Kaushik Chandra ,  Ronald G. Filippi ,  Wai-Lin Li ,  Ping-Chuan Wang ,  Chih-Chao Yang

    发明人： Kaushik Chandra ,  Ronald G. Filippi ,  Wai-Lin Li ,  Ping-Chuan Wang ,  Chih-Chao Yang

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A structure for reducing electromigration cracking and extrusion effects in semiconductor devices includes a first metal line formed in a first dielectric layer; a cap layer formed over the first metal line and first dielectric layer; a second dielectric layer formed over the cap layer; and a void formed in the second dielectric layer, stopping on the cap layer, wherein the void is located in a manner so as to isolate structural damage due to electromigration effects of the first metal line, the effects including one or more of extrusions of metal material from the first metal line and cracks from delamination of the cap layer with respect to the first dielectric layer.

    摘要翻译： 用于减少半导体器件中的电迁移破裂和挤出效应的结构包括形成在第一介电层中的第一金属线; 形成在第一金属线和第一介电层上的盖层; 形成在所述盖层上的第二电介质层; 以及形成在第二介电层中的空隙，停止在盖层上，其中，空隙以如下方式定位，以便隔离由于第一金属线的电迁移效应引起的结构损坏，包括一种或多种金属挤压的效果 来自第一金属线的材料和帽层相对于第一介电层分层的裂纹。