利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

310 条记录 (耗时 0.045 秒)

    PHOTODIODE ARRAYS AND METHODS OF FABRICATION
    31.
    发明申请
    PHOTODIODE ARRAYS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
    光电子阵列和制造方法

    公开(公告)号：US20130168796A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13343146

    申请日：2012-01-04

    申请人： Abdelaziz Ikhlef ,  Wen Li

    发明人： Abdelaziz Ikhlef ,  Wen Li

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14658 ,  A61B6/032 ,  A61B6/037 ,  A61B6/4233 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

    摘要： Photodiode arrays and methods of fabrication are provided. One photodiode array includes a silicon wafer having a first surface and an opposite second surface. The photodiode array also includes a plurality of refilled conductive vias through the silicon wafer, wherein the refilled conductive vias have a doping type different than the doping type of the substrate, and an interface between the refilled conductive vias and the substrate form diode junctions. The photodiode array further includes a patterned doped layer on the first surface overlapping the refilled conductive vias, wherein the patterned doped layer defines an array of photodiodes.

    摘要翻译： 提供了光电二极管阵列和制造方法。 一个光电二极管阵列包括具有第一表面和相对的第二表面的硅晶片。 光电二极管阵列还包括通过硅晶片的多个重新填充的导电通孔，其中重新填充的导电通孔具有不同于衬底的掺杂类型的掺杂类型，并且再填充的导电通孔和衬底之间的界面形成二极管结。 光电二极管阵列还包括在重新填充的导电通孔上的第一表面上的图案化掺杂层，其中图案化掺杂层限定光电二极管阵列。

    Method and apparatus for inspecting defects of semiconductor device
    33.
    发明授权
    Method and apparatus for inspecting defects of semiconductor device 失效
    用于检查半导体器件缺陷的方法和装置

    公开(公告)号：US08385627B2

    公开(公告)日：2013-02-26

    申请号：US11500979

    申请日：2006-08-09

    申请人： Tadanobu Toba ,  Shuji Kikuchi ,  Yuichi Sakurai ,  Wen Li

    发明人： Tadanobu Toba ,  Shuji Kikuchi ,  Yuichi Sakurai ,  Wen Li

    IPC分类号： G06K9/00 ,  G06K7/10 ,  G01B5/28 ,  G06F11/30 ,  H04N3/14 ,  G01N21/00

    CPC分类号： G06T7/0004 ,  G06T2207/30148

    摘要： When an inspection apparatus of a semiconductor device repeatedly executes computation of prescribed area data, such as image processing for detecting defects, procedures for commanding, data load, computation, and data store need to be repeated the number of times of the computation. This may impose a limitation on the speeding up of the operation. In addition, when performing parallel computation by a high-capacity image processing system for handling minute images, a lot of processors are needed, resulting in an increase in cost. In order to solve the above-mentioned problems, in the invention, an inspection apparatus of a semiconductor device includes a data memory including an access section which is capable of reading and writing simultaneously, a plurality of numerical computation units, a connector for connecting the data memory and the numerical computation units, a controller for collectively controlling the contents of processing by the plurality of numerical computation units, another connector for connecting the numerical computation units and the controller, and a data transfer controller for controlling data transfer between the numerical computation units.

    摘要翻译： 当半导体装置的检查装置重复执行规定区域数据的计算时，例如用于检测缺陷的图像处理，命令，数据加载，计算和数据存储的过程需要重复计算次数。 这可能对操作的加速施加限制。 此外，当通过大容量图像处理系统执行并行计算以处理微小图像时，需要许多处理器，导致成本增加。 为了解决上述问题，在本发明中，半导体装置的检查装置包括数据存储器，该数据存储器包括能够同时读写的访问部分，多个数值计算单元，连接器 数据存储器和数值计算单元，用于共同控制多个数值计算单元的处理内容的控制器，用于连接数值计算单元和控制器的另一连接器，以及用于控制数值计算之间的数据传送的数据传输控制器 单位。

    CHARGE LOSS CORRECTION
    34.
    发明申请
    CHARGE LOSS CORRECTION 有权
    充电损失校正

    公开(公告)号：US20110297838A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US12794525

    申请日：2010-06-04

    申请人： Kristen Ann Wangerin ,  Wen Li ,  Yanfeng Du ,  Floribertus Heukensfeldt Jansen

    发明人： Kristen Ann Wangerin ,  Wen Li ,  Yanfeng Du ,  Floribertus Heukensfeldt Jansen

    IPC分类号： G01T1/24

    CPC分类号： G01T1/2928 ,  A61B6/037

    摘要： The present disclosure relates to the correction of charge loss in a radiation detector. In one embodiment, correction factors for charge loss may be determined based on depth of interaction and lateral position within a radiation detector of a charge creating event. The correction factors may be applied to subsequently measured signals to correct for the occurrence of charge loss in the measured signals.

    摘要翻译： 本公开涉及对辐射检测器中的电荷损失的校正。 在一个实施例中，可以基于电荷产生事件的辐射检测器内的相互作用深度和横向位置确定电荷损失的校正因子。 校正因子可以应用于随后测量的信号，以校正测量信号中电荷损失的发生。

    Intelligent pluggable transceiver stick capable of diagnostic monitoring and optical network management
    35.
    发明授权
    Intelligent pluggable transceiver stick capable of diagnostic monitoring and optical network management 有权
    智能可插拔收发棒，能够进行诊断监控和光网络管理

    公开(公告)号：US07974537B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US12133581

    申请日：2008-06-05

    申请人： Wen Li

    发明人： Wen Li

    IPC分类号： H04B10/00

    CPC分类号： H04Q11/0067 ,  H04B10/40 ,  H04J14/0227 ,  H04J14/0254 ,  H04J14/0267 ,  H04J14/0279 ,  H04J14/0282 ,  H04Q2011/0079

    摘要： An integrated optical transceiver includes an optical subassembly that produces a first electrical signal in response to a first optical signal comprising reception signal data and to emit a second optical signal comprising transmission signal data in response to a second electrical signal. A data processing unit can extract the reception signal data from the first electrical signal and produce the second electrical signal in response to a third electrical signal comprising the transmission signal data. The data processing unit can perform system-layer functions. A data path interface can send the reception data to a host device and receive the third electrical signal comprising the transmission data from the host device. A management unit can control the data processing unit to perform the system-layer functions. A control path interface communicates with the management unit and the host device.

    摘要翻译： 集成光收发器包括光子组件，其响应于包括接收信号数据的第一光信号产生第一电信号，并响应于第二电信号发射包括传输信号数据的第二光信号。 数据处理单元可以从第一电信号提取接收信号数据，并且响应于包括传输信号数据的第三电信号产生第二电信号。 数据处理单元可以执行系统层功能。 数据路径接口可以将接收数据发送到主机设备，并从主机设备接收包括传输数据的第三电信号。 管理单元可以控制数据处理单元执行系统层功能。 控制路径接口与管理单元和主机设备进行通信。

    Battery with molten salt electrolyte and phosphorus-containing cathode
    36.
    发明授权
    Battery with molten salt electrolyte and phosphorus-containing cathode 有权
    电池用熔盐电解液和含磷阴极

    公开(公告)号：US07960057B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11130467

    申请日：2005-05-16

    申请人： Wen Li ,  Keiichi Kohama ,  Michel B. Armand ,  Gerald Perron

    发明人： Wen Li ,  Keiichi Kohama ,  Michel B. Armand ,  Gerald Perron

    IPC分类号： H01M4/58

    CPC分类号： H01M10/0525 ,  H01M4/131 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/0563 ,  H01M2004/028 ,  H01M2300/0022

    摘要： A lithium-ion battery comprises a negative electrode, a positive electrode, and an electrolyte including a molten salt. The positive electrode comprises an electroactive compound including phosphorus, oxygen, lithium, and at least one other metal or semi-metal. The combination of such electrode compositions and a molten salt electrolyte provides a battery with very high thermal stability. Other ions, such as alkal metal ions, may be used in place of lithium ions for applications in other battery technologies.

    摘要翻译： 锂离子电池包括负极，正极和包含熔融盐的电解质。 正电极包括包含磷，氧，锂和至少一种其它金属或半金属的电活性化合物。 这种电极组合物和熔融盐电解质的组合提供了具有非常高的热稳定性的电池。 可以使用其它离子，例如碱金属离子代替锂离子，用于其它电池技术中。

    METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING SYMMETRICAL OUTPUT DATA FOR A DOUBLE DATA RATE DRAM
    37.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING SYMMETRICAL OUTPUT DATA FOR A DOUBLE DATA RATE DRAM 失效
    用于为双向数据速率DRAM提供对称输出数据的方法和装置

    公开(公告)号：US20110119519A1

    公开(公告)日：2011-05-19

    申请号：US13011191

    申请日：2011-01-21

    申请人： Wen Li ,  Aaron Schoenfeld ,  R. Jacob Baker

    发明人： Wen Li ,  Aaron Schoenfeld ,  R. Jacob Baker

    IPC分类号： G06F1/12

    CPC分类号： G11C7/1066 ,  G06F1/10 ,  G06F1/12 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/106 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  H03L7/0814

    摘要： An apparatus and method is disclosed to compensate for skew and asymmetry of a locally processed system clock used to synchronize an output signal, e.g., a data signal or a timing signal, from a logic circuit, for example a memory device. A first phase detector, array of delay lock loop (DLL) delay elements and accompanying circuitry are disclosed to phase-lock the rising edge of the output signal with the rising edge of the system clock XCLK signal. Additionally, a comparator circuit, a register delay, an array of DLL delay elements and accompanying circuitry are disclosed to add or subtract delay from the falling edge of the DQ signal in order to produce a symmetrical output of the DQ signal.

    摘要翻译： 公开了一种用于补偿来自逻辑电路（例如存储器件）的用于同步输出信号（例如数据信号或定时信号）的本地处理的系统时钟的偏斜和不对称性的装置和方法。 公开了第一相位检测器，延迟锁定环（DLL）延迟元件和伴随电路的阵列，以与系统时钟XCLK信号的上升沿相位锁定输出信号的上升沿。 此外，公开了比较器电路，寄存器延迟，DLL延迟元件阵列和伴随电路，以从DQ信号的下降沿增加或减去延迟，以产生DQ信号的对称输出。

    Hydrogen storage compositions
    39.
    发明授权
    Hydrogen storage compositions 有权
    储氢组合物

    公开(公告)号：US07927507B1

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US12404201

    申请日：2009-03-13

    申请人： Wen Li ,  John J. Vajo ,  Robert W. Cumberland ,  Ping Liu

    发明人： Wen Li ,  John J. Vajo ,  Robert W. Cumberland ,  Ping Liu

    IPC分类号： C09K3/00 ,  C02F5/08

    CPC分类号： C01B3/0042 ,  C01B3/0026 ,  C01B3/0031 ,  C01B3/0078 ,  Y02E60/327

    摘要： Compositions for hydrogen storage and methods of making such compositions employ an alloy that exhibits reversible formation/deformation of BH4− anions. The composition includes a ternary alloy including magnesium, boron and a metal and a metal hydride. The ternary alloy and the metal hydride are present in an amount sufficient to render the composition capable of hydrogen storage. The molar ratio of the metal to magnesium and boron in the alloy is such that the alloy exhibits reversible formation/deformation of BH4− anions. The hydrogen storage composition is prepared by combining magnesium, boron and a metal to prepare a ternary alloy and combining the ternary alloy with a metal hydride to form the hydrogen storage composition.

    摘要翻译： 用于氢存储的组合物和制备这种组合物的方法使用显示BH4-阴离子的可逆形成/变形的合金。 该组合物包括含镁，硼和金属的三元合金和金属氢化物。 三元合金和金属氢化物以足以使组合物能够储氢的量存在。 合金中金属与镁和硼的摩尔比使得合金显示BH4-阴离子的可逆形成/变形。 通过组合镁，硼和金属制备储氢组合物，以制备三元合金并将三元合金与金属氢化物结合以形成储氢组合物。