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    PRAMS having phase-change layer pattern with electrode contact area and methods of forming the same
    44.
    发明申请
    PRAMS having phase-change layer pattern with electrode contact area and methods of forming the same 有权
    具有具有电极接触面积的相变层图案的PRAMS及其形成方法

    公开(公告)号：US20060043355A1

    公开(公告)日：2006-03-02

    申请号：US11217943

    申请日：2005-09-01

    申请人： Kyung-Chang Ryoo ,  Su-Youn Lee ,  Young-Nam Hwang ,  Se-Ho Lee

    发明人： Kyung-Chang Ryoo ,  Su-Youn Lee ,  Young-Nam Hwang ,  Se-Ho Lee

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    摘要： According to some embodiments of the present invention, there are provided PRAMS having a phase-change layer pattern interposed between a molding layer and a forming layer pattern, and methods of forming the same that include a node conductive layer pattern, a molding layer, a forming layer pattern and a protecting layer. The molding layer, the forming layer pattern and the protecting layer are formed to cover the planarized interlayer insulating layer and the node conductive layer pattern. A lower electrode is interposed between the molding layer and the planarized interlayer insulating layer. A phase-change layer pattern is formed on the planarized interlayer insulating layer. A spacer pattern is disposed between the phase-change layer pattern and the molding layer.

    摘要翻译： 根据本发明的一些实施例，提供了一种在成型层和成形层图案之间具有相变层图案的PRAMS及其形成方法，其包括节点导电层图案，成型层， 形成层图案和保护层。 成形层，成形层图案和保护层形成为覆盖平坦化层间绝缘层和节点导电层图案。 在模制层和平坦化层间绝缘层之间插入下电极。 在平坦化层间绝缘层上形成相变层图案。 间隔图案设置在相变层图案和成型层之间。

    Multi-bit phase change memory devices
    47.
    发明申请
    Multi-bit phase change memory devices 有权
    多位相变存储器件

    公开(公告)号：US20100220520A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12656716

    申请日：2010-02-16

    申请人： Young-nam Hwang ,  Soon-oh Park ,  Hong-sik Jeong ,  Gi-tae Jeong

    发明人： Young-nam Hwang ,  Soon-oh Park ,  Hong-sik Jeong ,  Gi-tae Jeong

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/065 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    摘要： A multi-bit phase change memory device including a phase change material having a plurality of crystalline phases. A non-volatile multi-bit phase change memory device may include a phase change material in a storage node, wherein the phase change material includes a binary or ternary compound sequentially having at least three crystalline phases having different resistance values according to an increase of temperature of the phase change material.

    摘要翻译： 一种多位相变存储器件，包括具有多个结晶相的相变材料。 非易失性多位相变存储器件可以包括存储节点中的相变材料，其中相变材料包括依次具有至少三个根据温度升高的不同电阻值的晶相的二元或三元化合物 的相变材料。

    Phase changeable memory cells and methods of fabricating the same
    49.
    发明授权
    Phase changeable memory cells and methods of fabricating the same 失效
    相变存储单元及其制造方法

    公开(公告)号：US07105396B2

    公开(公告)日：2006-09-12

    申请号：US10651877

    申请日：2003-08-29

    申请人： Young-nam Hwang ,  Se-ho Lee

    发明人： Young-nam Hwang ,  Se-ho Lee

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L47/00 ,  H01L29/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    摘要： A phase changeable memory cell that includes a substrate, a bottom electrode, a phase changeable material layer pattern, and a top electrode. The bottom electrode is on the substrate. The phase changeable material layer pattern is on the bottom electrode. The top electrode is on the phase changeable material layer pattern, and has a tip that extends toward the bottom electrode.

    摘要翻译： 一种相变存储单元，包括基板，底部电极，相变材料层图案和顶部电极。 底部电极位于基板上。 相变材料层图案位于底部电极上。 顶部电极位于可相变材料层图案上，并且具有朝向底部电极延伸的尖端。

    Phase-change memory and method having restore function
    50.
    发明授权
    Phase-change memory and method having restore function 失效
    相变存储器和方法具有恢复功能

    公开(公告)号：US07042760B2

    公开(公告)日：2006-05-09

    申请号：US10788407

    申请日：2004-03-01

    申请人： Young-nam Hwang ,  Ki-nam Kim ,  Su-jin Ahn

    发明人： Young-nam Hwang ,  Ki-nam Kim ,  Su-jin Ahn

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79

    摘要： A phase-change memory device includes a phase-change memory cell having a volume of material which is programmable between amorphous and crystalline states. A write current source selectively applies a first write current pulse to program the phase-change memory cell into the amorphous state and a second write current pulse to program the phase-change memory cell into the crystalline state. The phase-change memory device further includes a restore circuit which selectively applies the first current pulse to the phase-change memory cell to restore at least an amorphous state of the phase-change memory cell.

    摘要翻译： 相变存储器件包括具有在非晶态和晶态之间可编程的材料体积的相变存储单元。 写入电流源选择性地施加第一写入电流脉冲以将相变存储器单元编程为非晶态，以及第二写入电流脉冲以将相变存储器单元编程为结晶状态。 相变存储器件还包括还原电路，其选择性地将第一电流脉冲施加到相变存储器单元以恢复相变存储单元的至少非晶状态。