公开(公告)号：US09250619B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13311601

申请日：2011-12-06

申请人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Wei Hsu ,  Mei-Jen Wu ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G06F19/00 ,  G05B19/18 ,  H01L21/66

CPC分类号： G05B19/18 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/20

摘要： A system and method of automatically calculating boundaries for a semiconductor fabrication process. The method includes selecting a first parameter for monitoring during a semiconductor fabrication process. A first set of values for the first parameter are received and a group value of the first set is determined. Each value in the first set of values is normalized. A first weighting factor is selected based on a number of values in the first set. The embodiment also includes generating a first and a second boundary value as a function of the weighting factor, the first set normalized values and the group value of the first set and applying the first and second boundary values to control the semiconductor fabrication process.

摘要翻译： 一种自动计算半导体制造工艺边界的系统和方法。 该方法包括在半导体制造过程中选择用于监测的第一参数。 接收第一参数的第一组值，并确定第一组的组值。 第一组值中的每个值都被归一化。 基于第一组中的值的数量来选择第一加权因子。 该实施例还包括根据加权因子，第一集合归一化值和第一组的组值产生第一和第二边界值，并施加第一和第二边界值以控制半导体制造过程。

公开(公告)号：US09102033B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US12953584

申请日：2010-11-24

申请人： Keung Hui ,  Jin-Ning Sung ,  Huang Soon Kang ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

发明人： Keung Hui ,  Jin-Ning Sung ,  Huang Soon Kang ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B51/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B49/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/107 ,  B24B49/02 ,  B24B49/04 ,  B24B49/16 ,  B24B51/00 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus and method for providing target thickness and surface profile uniformity control of a multi-head chemical mechanical polishing (CMP) process is disclosed. An exemplary method includes providing at least two wafers; determining a surface profile of each of the at least two wafers; determining an operation mode for a chemical mechanical polishing (CMP) process based on the surface profiles of the at least two wafers; determining a CMP polishing recipe for each of the at least two wafers based on the operation mode; and performing the CMP process on the at least two wafers based on the determined CMP polishing recipes.

摘要翻译： 公开了一种用于提供多头化学机械抛光（CMP）工艺的目标厚度和表面轮廓均匀性控制的装置和方法。 一种示例性方法包括提供至少两个晶片; 确定所述至少两个晶片中的每一个的表面轮廓; 基于所述至少两个晶片的表面轮廓确定用于化学机械抛光（CMP）工艺的操作模式; 基于所述操作模式确定所述至少两个晶片中的每一个的CMP抛光配方; 以及基于所确定的CMP抛光配方在所述至少两个晶片上执行CMP处理。

公开(公告)号：US08406912B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12823351

申请日：2010-06-25

申请人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

发明人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32191 ,  G05B2219/35082 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/265

摘要： System and method for data mining and feature tracking for fab-wide prediction and control are described. One embodiment is a system comprising a database for storing raw wafer manufacturing data; a data mining module for processing the raw wafer manufacturing data to select the best data therefrom in accordance with at least one of a plurality of knowledge-, statistic-, and effect-based processes; and a feature tracking module associated with the data mining module and comprising a self-learning model wherein a sensitivity of the self-learning model is dynamically tuned to meet real-time production circumstances, the feature tracking module receiving the selected data from the data mining module and generating prediction and control data therefrom; wherein the prediction and control data are used to control future processes in the wafer fabrication facility.

摘要翻译： 描述了用于晶圆厂预测和控制的数据挖掘和特征跟踪的系统和方法。 一个实施例是包括用于存储原始晶片制造数据的数据库的系统; 数据挖掘模块，用于根据多个基于知识，统计和效果的过程中的至少一个来处理原始晶片制造数据以从其中选择最佳数据; 以及与所述数据挖掘模块相关联并且包括自学习模型的特征跟踪模块，其中自学习模型的灵敏度被动态调整以满足实时生产环境，所述特征跟踪模块从所述数据挖掘接收所选择的数据 模块并从其生成预测和控制数据; 其中预测和控制数据用于控制晶片制造设备中的未来工艺。

公开(公告)号：US08404572B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12370746

申请日：2009-02-13

申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体导管，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

公开(公告)号：US20120215337A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13033413

申请日：2011-02-23

申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32135 ,  G05B2219/32267 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure provides a method. The method includes gathering advanced process control (APC) data from a subset of available wafers and a subset of available processing chambers. The method includes establishing a matrix that contains a plurality of cells. The cells each correspond to one of the available wafers and one of the available processing chambers. The matrix is partially filled by populating cells for which the APC data has been gathered. The method includes determining a plurality of chamber-coverage-rate (CCR) parameters associated with the matrix. The method includes optimizing the CCR parameters through an iteration process to obtain optimized CCR parameters. The method includes predicting an APC data value for a designated cell of the matrix based on the optimized CCR parameters. The designated cell is an empty cell before the predicting and is populated by the predicting.

摘要翻译： 本公开提供了一种方法。 该方法包括从可用晶片的子集和可用处理室的子集中收集先进的过程控制（APC）数据。 该方法包括建立包含多个单元的矩阵。 每个单元对应于可用晶片之一和可用处理室之一。 通过填充已经收集了APC数据的单元格来部分填充矩阵。 该方法包括确定与矩阵相关联的多个腔室覆盖率（CCR）参数。 该方法包括通过迭代过程优化CCR参数以获得优化的CCR参数。 该方法包括基于优化的CCR参数预测矩阵的指定小区的APC数据值。 指定的单元格是在预测之前的空单元格，并由预测填充。

公开(公告)号：US20140067324A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13603079

申请日：2012-09-04

申请人： Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Jung-Chang Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Jung-Chang Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： G05B19/4065 ,  G05B2219/37252 ,  G05B2219/45031

摘要： The present disclosure provides various methods for tool condition monitoring, including systems for implementing such monitoring. An exemplary method includes receiving data associated with a process performed on wafers by an integrated circuit manufacturing process tool; and monitoring a condition of the integrated circuit manufacturing process tool using the data. The monitoring includes evaluating the data based on an abnormality identification criterion, an abnormality filtering criterion, and an abnormality threshold to determine whether the data meets an alarm threshold. The method may further include issuing an alarm when the data meets the alarm threshold.

摘要翻译： 本公开提供了用于工具状态监测的各种方法，包括用于实现这种监视的系统。 一种示例性方法包括：通过集成电路制造工艺工具接收与在晶片上执行的处理相关联的数据; 以及使用该数据来监视集成电路制造工艺工具的状态。 监视包括基于异常识别标准，异常过滤标准和异常阈值来评估数据，以确定数据是否满足报警阈值。 该方法还可以包括当数据满足报警阈值时发出报警。

公开(公告)号：US20140033159A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13559081

申请日：2012-07-26

申请人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Keuing Hui ,  Yen-Wei Cheng ,  Yen-Di Tsen ,  Jong-I Mou ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： The present disclosure describes a method of optimizing a design for manufacture (DFM) simulation. The method includes receiving an integrated circuit (IC) design data having a feature, receiving a process data having a parameter or a plurality of parameters, performing the DFM simulation, and optimizing the DFM simulation. The performing the DFM simulation includes generating a simulation output data using the IC design data and the process data. The optimizing the DFM simulation includes generating a performance index of the parameter or the plurality of parameters by the DFM simulation. The optimizing the DFM simulation includes adjusting the parameter or the plurality of parameters at outer loop, middle loop, and the inner loop. The optimizing the DFM simulation also includes locating a nadir of the performance index of the parameter or the plurality of parameters over a range of the parameter or the plurality of parameters.

摘要翻译： 本公开描述了优化用于制造（DFM）仿真的设计的方法。 该方法包括接收具有特征的集成电路（IC）设计数据，接收具有参数或多个参数的处理数据，执行DFM仿真和优化DFM仿真。 执行DFM模拟包括使用IC设计数据和过程数据生成模拟输出数据。 优化DFM模拟包括通过DFM仿真生成参数或多个参数的性能指标。 优化DFM模拟包括调整外循环，中间循环和内循环的参数或多个参数。 优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围内定位参数或多个参数的性能指标的最低点。

公开(公告)号：US08309444B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12831699

申请日：2010-07-07

申请人： Keung Hui ,  Chun-Lin Chang ,  Jong-I Mou

发明人： Keung Hui ,  Chun-Lin Chang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/265 ,  H01L22/14

摘要： A system and method for controlling a dosage profile is disclosed. An embodiment comprises separating a wafer into components of a grid array and assigning each of the grid components a desired dosage profile based upon a test to compensate for topology differences between different regions of the wafer. The desired dosages are decomposed into directional dosage components and the directional dosage components are translated into scanning velocities of the ion beam for an ion implanter. The velocities may be fed into an ion implanter to control the wafer-to-beam velocities and, thereby, control the implantation.

摘要翻译： 公开了一种用于控制剂量分布的系统和方法。 一个实施例包括将晶片分离成网格阵列的组件，并且基于测试来分配每个网格组件所需的剂量分布，以补偿晶片的不同区域之间的拓扑差异。 期望的剂量被分解为定向剂量组分，并且定向剂量组分转化成用于离子注入机的离子束的扫描速度。 速度可以被馈送到离子注入机中以控制晶片到光束的速度，从而控制注入。

公开(公告)号：US20110320026A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12823351

申请日：2010-06-25

申请人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

发明人： Jui-Long Chen ,  Chia-Tong Ho ,  Po-Feng Tsai ,  Hui-Yun Chao ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32191 ,  G05B2219/35082 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/265

摘要： System and method for data mining and feature tracking for fab-wide prediction and control are described. One embodiment is a system comprising a database for storing raw wafer manufacturing data; a data mining module for processing the raw wafer manufacturing data to select the best data therefrom in accordance with at least one of a plurality of knowledge-, statistic-, and effect-based processes; and a feature tracking module associated with the data mining module and comprising a self-learning model wherein a sensitivity of the self-learning model is dynamically tuned to meet real-time production circumstances, the feature tracking module receiving the selected data from the data mining module and generating prediction and control data therefrom; wherein the prediction and control data are used to control future processes in the wafer fabrication facility.

摘要翻译： 描述了用于晶圆厂预测和控制的数据挖掘和特征跟踪的系统和方法。 一个实施例是包括用于存储原始晶片制造数据的数据库的系统; 数据挖掘模块，用于根据多个基于知识，统计和效果的过程中的至少一个来处理原始晶片制造数据以从其中选择最佳数据; 以及与数据挖掘模块相关联并包括自学习模型的特征跟踪模块，其中自学习模型的灵敏度被动态调整以满足实时生产环境，特征跟踪模块从数据挖掘接收所选数据 模块并从其生成预测和控制数据; 其中预测和控制数据用于控制晶片制造设备中的未来工艺。

公开(公告)号：US20110282885A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12778855

申请日：2010-05-12

申请人： Po-Feng Tsai ,  Jin-Ning Sung ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Po-Feng Tsai ,  Jin-Ning Sung ,  Yen-Di Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F7/00 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/31352 ,  G05B2219/33303 ,  G06F17/30

摘要： In accordance with an embodiment, a method for exception handling comprises accessing an exception type for an exception, filtering historical data based on at least one defined criterion to provide a data train comprising data sets, assigning a weight to each data set, and providing a current control parameter. The data sets each comprise a historical condition and a historical control parameter, and the weight assigned to each data set is based on each historical condition. The current control parameter is provided using the weight and the historical control parameter for each data set.

摘要翻译： 根据实施例，用于异常处理的方法包括访问异常的异常类型，基于至少一个定义的标准过滤历史数据，以提供包括数据集的数据队列，为每个数据集分配权重，以及提供 电流控制参数。 数据集各自包含历史条件和历史控制参数，并且分配给每个数据集的权重基于每个历史条件。 使用每个数据集的权重和历史控制参数提供当前的控制参数。