公开(公告)号：US07989790B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11656246

申请日：2007-01-18

申请人： Erh-Kun Lai ,  Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Erh-Kun Lai ,  Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C16/0475 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/51

摘要： A memory comprises a number of word lines in a first direction, a number of bit lines in a second direction, each coupled to at least one of the word lines, and a number of memory elements, each coupled to one of the word lines and one of the bit lines. Each memory element comprises a top electrode for connecting to a corresponding word line, a bottom electrode for connecting to a corresponding bit line, a resistive layer on the bottom electrode, and at least two separate liners, each liner having resistive materials on both ends of the liner and each liner coupled between the top electrode and the resistive layer.

摘要翻译： 存储器包括在第一方向上的多个字线，第二方向上的多个位线，每个字线连接到至少一个字线，以及多个存储器元件，每个存储器元件耦合到字线之一， 其中一个位线。 每个存储元件包括用于连接到对应的字线的顶部电极，用于连接到对应的位线的底部电极，底部电极上的电阻层，以及至少两个分离的衬垫，每个衬垫在两端具有电阻材料 衬垫和每个衬垫耦合在顶部电极和电阻层之间。

公开(公告)号：US07981742B2

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：US12166430

申请日：2008-07-02

申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L21/8248

CPC分类号： H01L27/11206 ,  H01L27/101 ,  H01L27/112

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method comprises: (a) providing a first and a second conductor; (b) providing a conductive layer; (c) forming a part of the conductive layer into a data storage layer by a plasma oxidation process, wherein the data storage layer is positioned between the first and the second conductor.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括：（a）提供第一和第二导体; （b）提供导电层; （c）通过等离子体氧化工艺将导电层的一部分形成数据存储层，其中数据存储层位于第一和第二导体之间。

公开(公告)号：US07960224B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12388655

申请日：2009-02-19

申请人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Wei-Chih Chien ,  Kuo-Pin Chang ,  Yi-Chou Chen ,  Erh-Kun Lai ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

摘要： A method for operating a memory device includes applying a sequence of bias arrangements across a selected metal-oxide memory element to change among resistance states. The sequence of bias arrangements includes a first set of one or more pulses to change the resistance state of the selected metal-oxide memory element from the first resistance state to a third resistance state, and a second set of one or more pulses to change the resistance state of the selected metal-oxide memory element from the third resistance state to the second resistance state.

摘要翻译： 一种用于操作存储器件的方法包括在所选择的金属氧化物存储器元件之间施加一系列偏置布置以在电阻状态之间改变。 偏置装置的顺序包括将所选择的金属氧化物存储元件的电阻状态从第一电阻状态改变为第三电阻状态的第一组一个或多个脉冲，以及第二组一个或多个脉冲以改变 所选择的金属氧化物存储元件从第三电阻状态到第二电阻状态的电阻状态。

公开(公告)号：US20080173982A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11656246

申请日：2007-01-18

申请人： Erh-Kun Lai ,  Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Erh-Kun Lai ,  Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C16/0475 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/51

摘要： A memory comprises a number of word lines in a first direction, a number of bit lines in a second direction, each coupled to at least one of the word lines, and a number of memory elements, each coupled to one of the word lines and one of the bit lines. Each memory element comprises a top electrode for connecting to a corresponding word line, a bottom electrode for connecting to a corresponding bit line, a resistive layer on the bottom electrode, and at least two separate liners, each liner having resistive materials on both ends of the liner and each liner coupled between the top electrode and the resistive layer.

摘要翻译： 存储器包括在第一方向上的多个字线，第二方向上的多个位线，每个字线连接到至少一个字线，以及多个存储器元件，每个存储器元件耦合到字线之一， 其中一个位线。 每个存储元件包括用于连接到对应的字线的顶部电极，用于连接到对应的位线的底部电极，底部电极上的电阻层，以及至少两个分离的衬垫，每个衬垫在两端具有电阻材料 衬垫和每个衬垫耦合在顶部电极和电阻层之间。

公开(公告)号：US07688615B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11949814

申请日：2007-12-04

申请人： Chia-Hua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Chia-Hua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) and a manufacturing method and a programming method thereof are provided. The magnetic random access memory comprises a first magnetic tunnel junction structure and a second magnetic tunnel junction structure. The second magnetic tunnel junction structure is electrically connected with the first magnetic tunnel junction structure, and the volume of the second magnetic tunnel junction structure is smaller than that of the first magnetic tunnel junction structure.

摘要翻译： 提供磁性随机存取存储器（MRAM）及其制造方法及其编程方法。 磁性随机存取存储器包括第一磁性隧道结结构和第二磁性隧道结结构。 第二磁性隧道结结构与第一磁性隧道结结构电连接，并且第二磁性隧道结结构的体积小于第一磁性隧道结结构的体积。

公开(公告)号：US20090141543A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11949814

申请日：2007-12-04

申请人： Chia-Hua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Chia-Hua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) and a manufacturing method and a programming method thereof are provided. The magnetic random access memory comprises a first magnetic tunnel junction structure and a second magnetic tunnel junction structure The second magnetic tunnel junction structure is electrically connected with the first magnetic tunnel junction structure, and the volume of the second magnetic tunnel junction structure is smaller than that of the first magnetic tunnel junction structure.

摘要翻译： 提供磁性随机存取存储器（MRAM）及其制造方法及其编程方法。 磁性随机存取存储器包括第一磁性隧道结结构和第二磁性隧道结结构。第二磁性隧道结结构与第一磁性隧道结结构电连接，并且第二磁性隧道结结构的体积小于 的第一磁隧道结结构。

公开(公告)号：US09048341B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13451428

申请日：2012-04-19

申请人： Shih-Hung Chen ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Shih-Hung Chen ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L28/91

摘要： An example of a capacitor includes a series of ridges and trenches and an interconnect region on the integrated circuit substrate. The series of ridges and trenches and the interconnect region have a capacitor foundation surface with a serpentine cross-sectional shape on the series of ridges and trenches. Electrical conductors are electrically connected to the electrode layers from the interconnect region for access to the electrode layers of the capacitor assembly.

摘要翻译： 电容器的示例包括集成电路基板上的一系列脊和沟槽和互连区域。 一系列脊和沟槽和互连区域具有在一系列脊和沟槽上具有蛇形横截面形状的电容器基座表面。 电导体从互连区域电连接到电极层，用于进入电容器组件的电极层。

公开(公告)号：US07684234B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US12252263

申请日：2008-10-15

申请人： Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1675

摘要： A magnetic memory device comprises a magnetic memory cell that includes a pinned layer and a free layer separated from the pinned layer by an insulating layer. The magnetic memory device also comprises a thermal plate in contact with the free layer. The magnetic memory device can be configured so that a first current flows through the thermal plate heating the thermal plate. The magnetic behavior of the free layer can be altered due to the heating caused by the first current, making it easier to switch the orientation and magnetization of the free layer. A second current can then flow through a bit line near the free layer generating a magnetic field sufficient to switch the orientation of magnetization of the free layer.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁存储单元，其包括被钉扎层和通过绝缘层与被钉扎层分离的自由层。 磁存储装置还包括与自由层接触的热板。 磁存储器件可以被配置成使得第一电流流过加热板的加热板。 由于由第一电流引起的加热，自由层的磁性能可以改变，从而更容易切换自由层的取向和磁化。 然后，第二电流可以流过自由层附近的位线，产生足以切换自由层的磁化取向的磁场。

公开(公告)号：US20090034326A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12252263

申请日：2008-10-15

申请人： Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

发明人： Chiahua Ho ,  Kuang-Yeu Hsieh

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1675

摘要： A magnetic memory device comprises a magnetic memory cell that includes a pinned layer and a free layer separated from the pinned layer by an insulating layer. The magnetic memory device also comprises a thermal plate in contact with the free layer. The magnetic memory device can be configured so that a first current flows through the thermal plate heating the thermal plate. The magnetic behavior of the free layer can be altered due to the heating caused by the first current, making it easier to switch the orientation and magnetization of the free layer. A second current can then flow through a bit line near the free layer generating a magnetic field sufficient to switch the orientation of magnetization of the free layer.

摘要翻译： 磁存储器件包括磁存储单元，其包括被钉扎层和通过绝缘层与被钉扎层分离的自由层。 磁存储装置还包括与自由层接触的热板。 磁存储器件可以被配置成使得第一电流流过加热板的加热板。 由于由第一电流引起的加热，自由层的磁性能可以改变，从而更容易切换自由层的取向和磁化。 然后，第二电流可以流过自由层附近的位线，产生足以切换自由层的磁化取向的磁场。

公开(公告)号：US20050045943A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10604884

申请日：2003-08-25

申请人： Hsiang-Lan Lung ,  Kuang-Yeu Hsieh ,  Ruichen Liu ,  Tai-Bor Wu ,  Jiun-Yi Tseng

发明人： Hsiang-Lan Lung ,  Kuang-Yeu Hsieh ,  Ruichen Liu ,  Tai-Bor Wu ,  Jiun-Yi Tseng

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C16/0458 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887

摘要： A non-volatile memory cell is described. The non-volatile memory cell comprises a substrate, a charge-trapping layer, a gate and a source/drain. The charge-trapping layer comprises an insulating layer and metal nano-particles contained therein, wherein the metal nano-particles are formed with thermal dissociation of an oxide of the same metal. The gate is disposed on the charge-trapping layer, and the source/drain is located in the substrate beside the gate.

摘要翻译： 描述非易失性存储单元。 非易失性存储单元包括衬底，电荷俘获层，栅极和源极/漏极。 电荷捕获层包括绝缘层和其中所含的金属纳米颗粒，其中金属纳米颗粒由相同金属的氧化物的热解离形成。 栅极设置在电荷捕获层上，源极/漏极位于栅极旁边的衬底中。