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    Silicon containing TARC/barrier layer
    41.
    发明授权
    Silicon containing TARC/barrier layer 有权
    含硅的TARC /阻挡层

    公开(公告)号：US07320855B2

    公开(公告)日：2008-01-22

    申请号：US10980365

    申请日：2004-11-03

    申请人： Wu-Song S. Huang ,  Sean D. Burns ,  Pushkara Rao Varanasi

    发明人： Wu-Song S. Huang ,  Sean D. Burns ,  Pushkara Rao Varanasi

    IPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/20 ,  G03F7/09 ,  G03C1/825

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/2041

    摘要： A top anti-reflective coating material (TARC) and barrier layer, and the use thereof in lithography processes, is disclosed. The TARC/barrier layer may be especially useful for immersion lithography using water as the imaging medium. The TARC/barrier layer comprises a polymer which comprises at least one silicon-containing moiety and at least one aqueous base soluble moiety. Suitable polymers include polymers having a silsesquioxane (ladder or network) structure, such as polymers containing monomers having the structure: where R1 comprises an aqueous base soluble moiety, and x is from about 1 to about 1.95, more preferably from about 1 to about 1.75.

    摘要翻译： 公开了一种顶部抗反射涂层材料（TARC）和阻挡层，以及其在光刻工艺中的用途。 TARC /阻挡层可能特别适用于使用水作为成像介质的浸没式光刻技术。 TARC /阻挡层包含含有至少一个含硅部分和至少一个水溶性碱可溶部分的聚合物。 合适的聚合物包括具有倍半硅氧烷（梯形或网络）结构的聚合物，例如含有具有以下结构的单体的聚合物：其中R 1包含碱水溶性部分，x为约1至约1.95， 更优选约1至约1.75。

    SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS WITH MULTIPLE CRITICAL DIMENSIONS
    42.
    发明申请
    SIDEWALL IMAGE TRANSFER PROCESS WITH MULTIPLE CRITICAL DIMENSIONS 有权
    具有多重关键尺寸的边框图像传输过程

    公开(公告)号：US20130089984A1

    公开(公告)日：2013-04-11

    申请号：US13267198

    申请日：2011-10-06

    申请人： Sudharshanan Raghunathan ,  Sivananda Kanakasabapathy ,  Ryan O. Jung ,  Allen H. Gabor ,  Sean D. Burns ,  Erin Catherine Mclellan

    发明人： Sudharshanan Raghunathan ,  Sivananda Kanakasabapathy ,  Ryan O. Jung ,  Allen H. Gabor ,  Sean D. Burns ,  Erin Catherine Mclellan

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0337

    摘要： Embodiment of the present invention provides a method of forming a semiconductor device in a sidewall image transfer process with multiple critical dimensions. The method includes forming a multi-level dielectric layer over a plurality of mandrels, the multi-level dielectric layer having a plurality of regions covering the plurality of mandrels, the plurality of regions of the multi-level dielectric layer having different thicknesses; etching the plurality of regions of the multi-level dielectric layer into spacers by applying a directional etching process, the spacers being formed next to sidewalls of the plurality of mandrels and having different widths corresponding to the different thicknesses of the plurality of regions of the multi-level dielectric layer; removing the plurality of mandrels in-between the spacers; and transferring bottom images of the spacers into one or more layers underneath the spacers.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种在具有多个关键尺寸的侧壁图像转印工艺中形成半导体器件的方法。 该方法包括在多个心轴上形成多层介质层，多层介质层具有覆盖多个心轴的多个区域，多层介质层的多个区域具有不同的厚度; 通过施加定向蚀刻工艺将多层电介质层的多个区域蚀刻成间隔物，间隔物形成在多个心轴的侧壁旁边，并且具有对应于多个区域的多个区域的不同厚度的不同宽度 电介质层; 去除间隔件之间的多个心轴; 并将间隔物的底部图像转移到间隔物下面的一个或多个层中。

    Performing optical proximity correction by incorporating critical dimension correction
    43.
    发明授权
    Performing optical proximity correction by incorporating critical dimension correction 有权
    通过引入关键尺寸校正来执行光学邻近校正

    公开(公告)号：US08302034B2

    公开(公告)日：2012-10-30

    申请号：US12697556

    申请日：2010-02-01

    申请人： Ryan L. Burns ,  Sean D. Burns

    发明人： Ryan L. Burns ,  Sean D. Burns

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/705 ,  G06F2217/12

    摘要： A solution for performing an optical proximity correction (OPC) process on a layout by incorporating a critical dimension (CD) correction is provided. A method may include separating the layout into a first portion and a second portion corresponding to the two exposures; creating a model for calculating a CD correction for a site on the first portion, the model corresponding to a topography change on the site due to the double exposures; implementing an OPC iteration for the fragment based on the model to generate an OPC solution for the first portion; and combining the OPC solution for the first portion with an OPC solution for the second portion to generate an OPC solution for the layout to generate a mask for fabricating a structure using the layout.

    摘要翻译： 提供了通过结合临界尺寸（CD）校正在布局上执行光学邻近校正（OPC）处理的解决方案。 方法可以包括将布局分离成对应于两次曝光的第一部分和第二部分; 创建用于计算第一部分上的站点的CD校正的模型，该模型对应于由于双重曝光而在现场的地形变化; 基于模型实现片段的OPC迭代，以生成第一部分的OPC解决方案; 并将第一部分的OPC解决方案与用于第二部分的OPC解决方案组合，以生成用于布局的OPC解决方案，以生成用于使用布局制造结构的掩模。

    Multiple exposure lithography method incorporating intermediate layer patterning
    45.
    发明授权
    Multiple exposure lithography method incorporating intermediate layer patterning 失效
    结合中间层图案的多次曝光光刻方法

    公开(公告)号：US07914975B2

    公开(公告)日：2011-03-29

    申请号：US11733412

    申请日：2007-04-10

    申请人： Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Dirk Pfeiffer

    发明人： Sean D. Burns ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Dirk Pfeiffer

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

    摘要： A method of patterning a semiconductor substrate includes creating a first set of patterned features in a first inorganic layer; creating a second set of patterned features in one of the first inorganic layer and a second inorganic layer; and transferring, into an organic underlayer, both the first and second sets of patterned features, wherein the first and second sets of patterned features are combined into a composite set of patterned features that are transferable into the substrate by using the organic underlayer as a mask.

    摘要翻译： 图案化半导体衬底的方法包括在第一无机层中形成第一组图案化特征; 在所述第一无机层和第二无机层之一中产生第二组图案特征; 以及将第一组和第二组图案特征转移到有机底层中，其中第一组和第二组图案化特征被组合成通过使用有机底层作为掩模可转移到衬底中的图案化特征的复合组合 。

    CHARACTERIZING FILMS USING OPTICAL FILTER PSEUDO SUBSTRATE
    46.
    发明申请
    CHARACTERIZING FILMS USING OPTICAL FILTER PSEUDO SUBSTRATE 有权
    使用光学过滤芯片表征膜

    公开(公告)号：US20090186427A1

    公开(公告)日：2009-07-23

    申请号：US12015795

    申请日：2008-01-17

    申请人： Shahin Zangooie ,  Lin Zhou ,  Sean D. Burns

    发明人： Shahin Zangooie ,  Lin Zhou ,  Sean D. Burns

    IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N21/00

    CPC分类号： G01N21/8422 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0641 ,  G01B11/0683

    摘要： A system and method of characterizing a parameter of an ultra thin film, such as a gate oxide layer. A system is disclosed that includes a structure having a pseudo substrate positioned below an ultra thin film, wherein the pseudo substrate includes an optical mirror for enhancing an optical response; and a system for characterizing the ultra thin film by applying a light source to the ultra thin film and analyzing the optical response.

    摘要翻译： 表征超薄膜（例如栅极氧化物层）的参数的系统和方法。 公开了一种包括具有位于超薄膜下方的伪衬底的结构的系统，其中所述伪衬底包括用于增强光学响应的​​光学镜; 以及通过将光源施加到超薄膜并分析光学响应来表征超薄膜的系统。