公开(公告)号：US20110124146A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12790078

申请日：2010-05-28

申请人： Arthur J. Pitera ,  Eugene A. Fitzgerald ,  Steven A. Ringel

发明人： Arthur J. Pitera ,  Eugene A. Fitzgerald ,  Steven A. Ringel

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In various embodiments, solar cells include a junction including SiGe, a junction including at least one III-V material, and may be formed on silicon substrates and/or with silicon-based capping layers thereover.

摘要翻译： 在各种实施例中，太阳能电池包括包括SiGe的结，包括至少一种III-V材料的结，并且可以形成在硅衬底和/或其上的硅基覆盖层上。

公开(公告)号：US07791107B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US10869463

申请日：2004-06-16

申请人： Saurabh Gupta ,  Minjoo Larry Lee ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Saurabh Gupta ,  Minjoo Larry Lee ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966

摘要： A semiconductor-based structure includes a substrate layer, a compressively strained semiconductor layer adjacent to the substrate layer to provide a channel for a component, and a tensilely strained semiconductor layer disposed between the substrate layer and the compressively strained semiconductor layer. A method for making an electronic device includes providing, on a strain-inducing substrate, a first tensilely strained layer, forming a compressively strained layer on the first tensilely strained layer, and forming a second tensilely strained layer on the compressively strained layer. The first and second tensilely strained layers can be formed of silicon, and the compressively strained layer can be formed of silicon and germanium.

摘要翻译： 基于半导体的结构包括衬底层，与衬底层相邻的压缩应变半导体层以提供用于部件的沟道，以及布置在衬底层和压缩应变半导体层之间的拉伸应变半导体层。 一种制造电子器件的方法包括在应变诱导基片上提供第一拉伸应变层，在第一拉伸应变层上形成压缩应变层，以及在压缩应变层上形成第二拉伸应变层。 第一和第二拉伸应变层可以由硅形成，并且压缩应变层可以由硅和锗形成。

公开(公告)号：US07465619B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11130575

申请日：2005-05-17

申请人： Eugene A. Fitzgerald

发明人： Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

摘要： A semiconductor-based device includes a channel layer, which includes a distal layer and a proximal layer in contact with the distal layer. The distal layer supports at least a portion of hole conduction for at least one p-channel component, and the proximal layer supports at least a portion of electron conduction for at least one n-channel component. The proximal layer has a thickness that permits a hole wave function to effectively extend from the proximal layer into the distal layer to facilitate hole conduction by the distal layer. A method for fabricating a semiconductor-based device includes providing a distal portion of a channel layer and providing a proximal portion of the channel layer.

摘要翻译： 基于半导体的器件包括沟道层，其包括远端层和与远端层接触的近端层。 远端层支撑至少一个p沟道分量的至少一部分空穴传导，并且近端支撑至少一个n沟道分量的至少一部分电子传导。 近端层具有允许空穴波函数从近端层有效地延伸到远侧层中的厚度，以便于远端层的空穴传导。 一种用于制造基于半导体的器件的方法包括提供沟道层的远端部分并提供沟道层的近端部分。

公开(公告)号：US20080128751A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11943188

申请日：2007-11-20

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US20080128747A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11877186

申请日：2007-10-23

申请人： Minjoo L. Lee ,  Christopher W. Leitz ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Minjoo L. Lee ,  Christopher W. Leitz ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78684

摘要： The invention provides semiconductor structure comprising a strained Ge channel layer, and a gate dielectric disposed over the strained Ge channel layer. In one aspect of the invention, a strained Ge channel MOSFET is provided. The strained Ge channel MOSFET includes a relaxed SiGe virtual substrate with a Ge content between 50-95%, and a strained Ge channel formed on the virtual substrate. A gate structure is formed upon the strained Ge channel, whereupon a MOSFET is formed with increased performance over bulk Si. In another embodiment of the invention, a semiconductor structure comprising a relaxed Ge channel layer and a virtual substrate, wherein the relaxed Ge channel layer is disposed above the virtual substrate. In a further aspect of the invention, a relaxed Ge channel MOSFET is provided. The method includes providing a relaxed virtual substrate with a Ge composition of approximately 100% and a relaxed Ge channel formed on the virtual substrate.

摘要翻译： 本发明提供包括应变Ge沟道层的半导体结构和设置在应变Ge沟道层上的栅极电介质。 在本发明的一个方面，提供了应变的Ge沟道MOSFET。 应变Ge沟道MOSFET包括Ge含量在50-95％之间的弛豫SiGe虚拟衬底和形成在虚拟衬底上的应变Ge沟道。 在应变Ge通道上形成栅极结构，于是形成具有在体积Si上增加的性能的MOSFET。 在本发明的另一实施例中，包括松弛的Ge沟道层和虚拟衬底的半导体结构，其中放宽的Ge沟道层设置在虚拟衬底之上。 在本发明的另一方面，提供了一种放宽的Ge沟道MOSFET。 该方法包括提供具有约100％的Ge组成的松弛虚拟衬底和形成在虚拟衬底上的松弛Ge沟道。

公开(公告)号：US07297612B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US11127508

申请日：2005-05-12

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体硅法相结合。

公开(公告)号：US07256142B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10967998

申请日：2004-10-19

申请人： Eugene A. Fitzgerald

发明人： Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/802 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66893 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7838

摘要： Structures and methods for fabricating high speed digital, analog, and combined digital/analog systems using planarized relaxed SiGe as the materials platform. The relaxed SiGe allows for a plethora of strained Si layers that possess enhanced electronic properties. By allowing the MOSFET channel to be either at the surface or buried, one can create high-speed digital and/or analog circuits. The planarization before the device epitaxial layers are deposited ensures a flat surface for state-of-the-art lithography.

摘要翻译： 使用平面弛豫SiGe作为材料平台制造高速数字，模拟和组合数字/模拟系统的结构和方法。 松弛的SiGe允许具有增强的电子特性的大量应变Si层。 通过允许MOSFET通道处于表面或掩埋，可以创建高速数字和/或模拟电路。 在沉积器件外延层之前的平坦化确保了用于最先进光刻的平坦表面。

公开(公告)号：US07109516B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US11211933

申请日：2005-08-25

申请人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Glyn Braithwaite ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Thomas A. Langdo ,  Matthew T. Currie ,  Glyn Braithwaite ,  Richard Hammond ,  Anthony J. Lochtefeld ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L29/745 ,  H01L27/148 ,  H01L29/80 ,  H01L21/332 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66916 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

摘要： The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要翻译： 应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

公开(公告)号：US07041170B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10392338

申请日：2003-03-19

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B29/05

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1-xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1-xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度的Si 1-x N x N x层的最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge的气氛中提供衬底 前体，其中所述Ge前体具有大于锗烷的分解温度，以及沉积具有大于约0.15的最终Ge含量的分级的Si 1-x N x Ge x层;以及 衬底上的颗粒密度小于约0.3颗粒/ cm 2。

公开(公告)号：US07005668B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10603712

申请日：2003-06-25

申请人： Minjoo L. Lee ,  Eugene A. Fitzgerald

发明人： Minjoo L. Lee ,  Eugene A. Fitzgerald

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/165

摘要： A method of forming a MOSFET device is provided. The method includes providing a substrate. The method includes forming on the substrate a relaxed SiGe layer having a Ge content between 0.51 and 0.80. Furthermore, the method includes depositing on the relaxed SiGe layer a ε-Si layer.

摘要翻译： 提供了一种形成MOSFET器件的方法。 该方法包括提供基板。 该方法包括在衬底上形成Ge含量在0.51和0.80之间的松弛的SiGe层。 此外，该方法包括在松弛的SiGe层上沉积ε-Si层。