公开(公告)号：US20100248210A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12382733

申请日：2009-03-23

申请人： Masayoshi Takahashi ,  Michie Hashimoto ,  Keiko Ito ,  Keiko Kizu ,  Shunji Mishiro ,  Kazuaki Takahashi ,  Kazunori Miyazaki ,  Koji Hashimoto ,  Nobuhiro Gemma

发明人： Masayoshi Takahashi ,  Michie Hashimoto ,  Keiko Ito ,  Keiko Kizu ,  Shunji Mishiro ,  Kazuaki Takahashi ,  Kazunori Miyazaki ,  Koji Hashimoto ,  Nobuhiro Gemma

IPC分类号： C12Q1/70

CPC分类号： C12Q1/706

摘要： The invention provides a method of detecting a drug-resistant strain of hepatitis B virus, including amplifying a hepatitis B virus nucleic acid in a sample solution by LAMP with a primer set to yield an amplification product, and hybridizing the amplification product with a probe containing a polynucleotide derived from a drug-resistant strain and/or a probe containing a polynucleotide derived from a drug-nonresistant strain, to detect a drug-resistant strain of hepatitis B virus.

摘要翻译： 本发明提供一种检测乙型肝炎病毒的耐药性菌株的方法，包括通过具有引物组的LAMP扩增样品溶液中的乙型肝炎病毒核酸以产生扩增产物，并将扩增产物与含有 衍生自耐药菌株的多核苷酸和/或含有衍生自药物不耐药菌株的多核苷酸的探针，以检测乙型肝炎病毒的耐药菌株。

公开(公告)号：US07749343B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US12185402

申请日：2008-08-04

申请人： Naoki Yoshinaga ,  Nobuhiro Fujita ,  Manabu Takahashi ,  Koji Hashimoto ,  Shinya Sakamoto ,  Kaoru Kawasaki ,  Yasuhiro Shinohara ,  Takehide Senuma

发明人： Naoki Yoshinaga ,  Nobuhiro Fujita ,  Manabu Takahashi ,  Koji Hashimoto ,  Shinya Sakamoto ,  Kaoru Kawasaki ,  Yasuhiro Shinohara ,  Takehide Senuma

IPC分类号： C21D8/02 ,  C21D8/04

CPC分类号： C22C38/02 ,  C21D8/0226 ,  C21D8/0236 ,  C21D8/04 ,  C21D9/48 ,  C21D2211/002 ,  C21D2211/008 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C23C2/02 ,  C25D5/34

摘要： The present invention provides a steel sheet excellent in workability, which may be used for components of an automobile or the like, and a method for producing the same. More specifically, according to one exemplary embodiment of the present invention, a steel sheet excellent in workability, including in mass, 0.08 to 0.25% C, 0.001 to 1.5% Si, 0.01 to 2.0% Mn, 0.001 to 0.06% P, at most 0.05% S, 0.001 to 0.007% N, 0.008 to 0.2% Al, at least 0.01% Fe. The steel sheet having an average r-value of at least 1.2, an r-value in the rolling direction of at least 1.3, an r-value in the direction of 45 degrees to the rolling direction of at least 0.9, and an r-value in the direction of a right angle to the rolling direction of at least 1.2.

摘要翻译： 本发明提供可以用于汽车等的部件的加工性优异的钢板及其制造方法。 更具体地说，根据本发明的一个示例性实施方案，可加工性优异的钢板，包括：0.08〜0.25％的C，0.001〜1.5％的Si，0.01〜2.0％的Mn，0.001〜0.06％的P， 0.05％S，0.001至0.007％N，0.008至0.2％Al，至少0.01％Fe。 钢板的平均r值为1.2以上，轧制方向的r值为1.3以上，轧制方向为45度的r值为0.9以上，r- 在与滚动方向成直角的方向上的值至少为1.2。

公开(公告)号：US20100159709A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12717914

申请日：2010-03-04

申请人： Toshiya KOTANI ,  Satoshi Tanaka ,  Shigeki Nojima ,  Koji Hashimoto ,  Soichi Inoue

发明人： Toshiya KOTANI ,  Satoshi Tanaka ,  Shigeki Nojima ,  Koji Hashimoto ,  Soichi Inoue

IPC分类号： H01L21/302 ,  G03F1/00

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/36

摘要： A pattern correcting method for correcting a design pattern to form a desired pattern on a wafer is disclosed, which comprises defining an allowable dimensional change quantity of each of design patterns, defining a pattern correction condition for the each design pattern based on the allowable dimensional change quantity defined for the each design pattern, and correcting the each design pattern based on the pattern correction condition defined for the each design pattern.

摘要翻译： 公开了一种用于校正在晶片上形成期望图案的设计图案的图案校正方法，其包括限定每个设计图案的允许尺寸变化量，基于允许的尺寸变化来定义每个设计图案的图案校正条件 并且基于为每个设计图案定义的图案校正条件来校正每个设计图案。

公开(公告)号：US20100149007A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12508252

申请日：2009-07-23

申请人： Yuji ZUSHI ,  Shinsuke Suzuki ,  Koji Hashimoto

发明人： Yuji ZUSHI ,  Shinsuke Suzuki ,  Koji Hashimoto

IPC分类号： H03M1/10

CPC分类号： H03M1/1028 ,  H03M1/1042 ,  H03M1/109 ,  H03M1/122

摘要： An analog input signal obtained from an analog sensor group 104A and first and second calibration voltages obtained by high-precision voltage-dividing resistors are successively selected by a multiplexer, digitally converted through an AD converter and then input to a microprocessor. The microprocessor calculates a collinear approximate coefficient based on the first and second calibration voltages in cooperation with a program memory, and corrects the digital conversion value to the analog input signal by using the approximate coefficient, thereby correcting a linear error of the conversion characteristic of the AD converter. In the calculation of the approximate coefficient, upper and lower limit check is executed on measurement values and calculation coefficients, and also plural calculation results are averaged to enhance the precision.

摘要翻译： 从模拟传感器组104A获得的模拟输入信号和由高精度分压电阻获得的第一和第二校准电压由多路复用器连续选择，多路复用器通过AD转换器进行数字转换，然后输入到微处理器。 微处理器根据与程序存储器协作的第一校准电压和第二校准电压计算共线近似系数，并通过使用近似系数校正模拟输入信号的数字转换值，从而校正该转换特性的线性误差 AD转换器。 在近似系数的计算中，对测量值和计算系数执行上限和下限检查，并且还对多个计算结果进行平均以提高精度。

公开(公告)号：US07675161B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11317028

申请日：2005-12-27

申请人： Koji Hashimoto ,  Eiji Ito ,  Tetsuya Kamigaki ,  Hideyuki Kinoshita

发明人： Koji Hashimoto ,  Eiji Ito ,  Tetsuya Kamigaki ,  Hideyuki Kinoshita

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/4763 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device comprising a plurality of first wirings provided in a predetermined layer on a substrate with being lined up, and formed to extend longer or contract shorter from one side toward the other side along a direction in which the first wirings are lined up, adjacent one-end portions of the first wirings being arranged in positions displaced from one another in a direction crossing at right angles the direction in which the first wirings are lined up.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括设置在衬底上的预定层中的多个第一布线，其被排成一列，并且形成为沿着第一布线排列的方向从一侧向另一侧延伸较长或缩短，相邻 第一布线的一端部布置在与第一布线排列方向成直角交叉的方向上彼此偏移的位置。

公开(公告)号：US20100003671A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12014592

申请日：2008-01-15

申请人： Naoko Nakamura ,  Keiko Ito ,  Koji Hashimoto ,  Nobuhiro Gemma

发明人： Naoko Nakamura ,  Keiko Ito ,  Koji Hashimoto ,  Nobuhiro Gemma

IPC分类号： C12Q1/68 ,  C07H21/00

CPC分类号： C12Q1/6883 ,  C12Q2600/156

摘要： There is provided a nucleotide primer set for LAMP amplification, used for detecting genotypes of single-nucleotide polymorphisms G590A, G857A and T341C of a NAT2 gene. There is also provided a nucleotide probe for detection of an amplification product amplified with the primer set according to the present invention. There is also provided a method of detecting the genotypes of NAT2 gene single-nucleotide polymorphisms G590A, G857A and T341C by using the primer set according to the present invention.

摘要翻译： 提供了LAMP扩增的核苷酸引物组，用于检测NAT2基因的单核苷酸多态性G590A，G857A和T341C的基因型。 还提供了用于检测根据本发明的引物组扩增的扩增产物的核苷酸探针。 还提供了通过使用本发明的引物组来检测NAT2基因单核苷酸多态性G590A，G857A和T341C的基因型的方法。

公开(公告)号：US07604926B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11346237

申请日：2006-02-03

申请人： Tetsuya Kamigaki ,  Eiji Ito ,  Koji Hashimoto ,  Hideyuki Kinoshita

发明人： Tetsuya Kamigaki ,  Eiji Ito ,  Koji Hashimoto ,  Hideyuki Kinoshita

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, comprises forming a first mask pattern on an under-layer region, forming a plurality of dummy-line patterns on the under-layer region, the dummy-line patterns being arranged at a first pitch, forming second mask patterns having mask parts provided on long sides of the dummy-line patterns, removing the dummy-line patterns, and etching the under-layer region by using the first mask pattern and the mask parts as a mask.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括在下层区域上形成第一掩模图案，在下层区域上形成多个伪线图案，虚设图案以第一间距排列，形成第二掩模图案 掩模图案具有设置在虚拟线图案的长边上的掩模部分，去除伪线图案，并且通过使用第一掩模图案和掩模部分作为掩模来蚀刻底层区域。

公开(公告)号：US20090235654A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12406373

申请日：2009-03-18

申请人： Takashi KOBAYASHI ,  Osamu Shimane ,  Koji Hashimoto

发明人： Takashi KOBAYASHI ,  Osamu Shimane ,  Koji Hashimoto

IPC分类号： F01N7/00 ,  F01N5/02

CPC分类号： F02M26/32 ,  F02M26/26 ,  F02M26/30 ,  F28F27/02

摘要： A partition wall partitioning a cooler inlet port and a cooler outlet port extends from a cooler connecting surface of a connecting portion to a vicinity of a shaft supporting a four-way butterfly valve. An EGR gas leakage around a first valve plate can be restricted. Thus, an increase in temperature of EGR gas flowing through an EGR gas outlet port can be restricted at a cooled mode. A deterioration of emission reducing performance can be avoided.

摘要翻译： 分隔冷却器入口和冷却器出口的分隔壁从连接部分的冷却器连接表面延伸到支撑四通蝶阀的轴附近。 可以限制围绕第一阀板的EGR气体泄漏。 因此，流过EGR气体出口的EGR气体的温度的升高可以被限制在冷却模式。 可以避免降低排放性能的恶化。

公开(公告)号：US20090089753A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12194987

申请日：2008-08-20

申请人： Kentaro Yoshimura ,  Fumio Narisawa ,  Koji Hashimoto ,  Yuichiro Morita ,  Hideaki Suzuki

发明人： Kentaro Yoshimura ,  Fumio Narisawa ,  Koji Hashimoto ,  Yuichiro Morita ,  Hideaki Suzuki

IPC分类号： G06F9/44

CPC分类号： G06F8/75 ,  G06F8/71

摘要： A software-product line analyzer including change history data, a change-history processing unit, a factor analysis unit, a variability analysis unit, and configuration information data, i.e., output data, wherein the change-history processing unit converts the change history data into numerical values, the factor analysis unit performing a factor analysis using inter-products change information as observation data, and, based on each factor and each factor score determined, the variability analysis unit determining variabilities in the software-product line and software components corresponding thereto, and outputting the configuration information data.

摘要翻译： 包括变更历史数据，变更历史处理单元，因子分析单元，变异性分析单元和配置信息数据（即，输出数据）的软件产品线分析器，其中变更历史处理单元将变更历史数据 所述因素分析单元使用产品间变化信息进行因子分析作为观察数据，并且基于确定的每个因子和每个因子得分，所述变异性分析单元确定所述软件产品线中的变量和相应的软件组件 并输出配置信息数据。

公开(公告)号：US07498630B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11559785

申请日：2006-11-14

申请人： Masayuki Ichige ,  Koji Hashimoto ,  Tatsuaki Kuji ,  Seiichi Mori ,  Riichiro Shirota ,  Yuji Takeuchi ,  Koji Sakui

发明人： Masayuki Ichige ,  Koji Hashimoto ,  Tatsuaki Kuji ,  Seiichi Mori ,  Riichiro Shirota ,  Yuji Takeuchi ,  Koji Sakui

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

摘要： A nonvolatile semiconductor memory which is configured to include a plurality of word lines disposed in a row direction; a plurality of bit lines disposed in a column direction perpendicular to the word lines; memory cell transistors having a charge storage layer, provided in the column direction and an electronic storage condition of the memory cell transistor configured to be controlled by one of the plurality of the word lines connected to the memory cell; a plurality of first select transistors, each including a gate electrode, selecting the memory cell transistors provided in the column direction, arranged in the column direction and adjacent to the memory cell transistors at a first end of the memory cell transistors; and a first select gate line connected to each of the gate electrodes of the first select transistors.

摘要翻译： 一种非易失性半导体存储器，被配置为包括沿行方向布置的多个字线; 沿垂直于字线的列方向布置的多个位线; 具有沿列方向设置的电荷存储层的存储单元晶体管和存储单元晶体管的电子存储状态，其被配置为由连接到存储单元的多条字线之一控制; 多个第一选择晶体管，每个包括栅极，选择沿列方向设置的存储单元晶体管，其布置在存储单元晶体管的第一端处并与存储单元晶体管相邻; 以及连接到第一选择晶体管的每个栅电极的第一选择栅极线。