公开(公告)号：US20050074706A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10679816

申请日：2003-10-06

申请人： Robert Bristol ,  Heidi Cao ,  Manish Chandhok ,  Robert Meagley ,  Vijayakumar Ramachandrarao

发明人： Robert Bristol ,  Heidi Cao ,  Manish Chandhok ,  Robert Meagley ,  Vijayakumar Ramachandrarao

IPC分类号： G03F1/14 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F7/093 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/3007 ,  G03F7/38

摘要： Electric fields may be advantageously used in various steps of photolithographic processes. For example, prior to the pre-exposure bake, photoresists that have been spun-on the wafer may be exposed to an electric field to orient aggregates or other components within the unexposed photoresist. By aligning these aggregates or other components with the electric field, line edge roughness may be reduced, for example in connection with 193 nanometer photoresist. Likewise, during exposure, electric fields may be applied through uniquely situated electrodes or using a radio frequency coil. In addition, electric fields may be applied at virtually any point in the photolithography process by depositing a conductive electrode, which is subsequently removed during development. Finally, electric fields may be applied during the developing process to improve line edge roughness.

摘要翻译： 电场可以有利地用于光刻工艺的各个步骤。 例如，在预曝光烘烤之前，已经旋涂在晶片上的光致抗蚀剂可以暴露于电场以取向未曝光的光致抗蚀剂内的聚集体或其它组分。 通过将这些聚集体或其它组分与电场对准，可以减少线边缘粗糙度，例如与193纳米光致抗蚀剂结合。 同样地，在曝光期间，可以通过独特的电极或使用射频线圈施加电场。 此外，可以通过沉积导电电极在光刻工艺中的几乎任何点处施加电场，导电电极随后在显影期间被去除。 最后，可以在显影过程中施加电场以改善线边缘粗糙度。

公开(公告)号：US20050069818A1

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：US10676411

申请日：2003-09-30

申请人： Robert Bristol ,  Heidi Cao ,  Robert Meagley

发明人： Robert Bristol ,  Heidi Cao ,  Robert Meagley

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0046

摘要： An embodiment of the present invention includes a technique to provide a highly absorptive resist. A resist is formed using a highly absorbing material. The resist is thinned to a pre-determined thickness used as an imaging layer. The efficiency of a photoactive acid generator (PAG) is improved to capture secondary electrons produced by an ionizing radiation in the resist.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案包括提供高吸收性抗蚀剂的技术。 使用高吸收性材料形成抗蚀剂。 将抗蚀剂变薄到用作成像层的预定厚度。 改善光活性酸发生剂（PAG）的效率以捕获由抗蚀剂中的电离辐射产生的二次电子。

公开(公告)号：US20050058931A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10663583

申请日：2003-09-16

申请人： Heidi Cao ,  Robert Meagley

发明人： Heidi Cao ,  Robert Meagley

IPC分类号： G03C1/492 ,  G03C1/76 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/111 ,  Y10S522/914

摘要： By using a branched long chained chain scission polymer as a photoresist for EUV and 157 nanometer applications, a relatively higher molecular weight polymer with good mechanical properties may be achieved. In addition, by using chain scission technology, line edge roughness and resolution may be improved at the same time.

摘要翻译： 通过使用支链长链断裂聚合物作为EUV和157纳米应用的光致抗蚀剂，可以实现具有良好机械性能的相对较高分子量的聚合物。 另外，通过使用断链技术，线边缘粗糙度和分辨率可以同时提高。

公开(公告)号：US20050042874A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10953744

申请日：2004-09-29

申请人： Robert Meagley ,  Peter Moon ,  Kevin O'Brien

发明人： Robert Meagley ,  Peter Moon ,  Kevin O'Brien

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76808

摘要： A thermally decomposable sacrificial material is deposited in a void or opening in a dielectric layer on a semiconductor substrate. The thermally decomposable sacrificial material may be removed without damaging or removing the dielectric layer. The thermally decomposable sacrificial material may be a combination of organic and inorganic materials, such as a hydrocarbon-siloxane polymer hybrid.

摘要翻译： 将可热分解的牺牲材料沉积在半导体衬底上的电介质层的空隙或开口中。 可以除去可热分解的牺牲材料而不损坏或去除介电层。 可热分解的牺牲材料可以是有机和无机材料的组合，例如烃 - 硅氧烷聚合物杂化物。

公开(公告)号：US20050014096A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10917679

申请日：2004-08-12

申请人： Robert Meagley

发明人： Robert Meagley

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/085 ,  G03F7/095 ,  G03C1/76

CPC分类号： G03F7/085 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/095

摘要： An adhesion promoter to help reduce semiconductor process effects, such as undesired line edge roughness, insufficient lithographical resolution, and limited depth of focus problems associated with the removal of a photoresist layer. A photoactive adhesion promoter (PAG) is described which helps reduce these and other undesired effects associated with the removal of photoresist in a semiconductor manufacturing process.

摘要翻译： 有助于减少半导体工艺效应的粘合促进剂，例如不期望的线边缘粗糙度，光刻分辨率不足以及与去除光致抗蚀剂层相关的有限的焦深问题。 描述了光敏粘合促进剂（PAG），其有助于减少在半导体制造过程中与去除光致抗蚀剂相关的这些和其它不期望的影响。