公开(公告)号：US06933562B1

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10609191

申请日：2003-06-27

申请人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Andy Strachan

发明人： Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko ,  Andy Strachan

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L29/46 ,  H01L31/62

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L23/4824 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A power transistor structure uses metal drain and source strips with non-uniform widths to reduce variations in current density across the power transistor structure. The reductions in current density, in turn, reduce the source-to-drain turn on resistance and maximize the overall current carrying capacity of power transistor structure.

摘要翻译： 功率晶体管结构使用具有不均匀宽度的金属漏极和源极条来减小跨越功率晶体管结构的电流密度的变化。 电流密度的降低又降低了源极到漏极导通电阻，并使功率晶体管结构的总载流能力最大化。

公开(公告)号：US06911679B1

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10339202

申请日：2003-01-09

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Marcel ter Beek ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Ann Concannon ,  Marcel ter Beek ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L27/0262

摘要： In an ESD protection device making use of a LVTSCR, at least one contacted drain and at least one emitter are formed, and are arranged laterally next to each other to be substantially equidistant from the gate of the LVTSCR, to improve holding voltage and decrease size. The ratio of emitter width to contacted drain width is adjusted to achieve the desired characteristics.

摘要翻译： 在使用LVTSCR的ESD保护装置中，形成至少一个接触漏极和至少一个发射极，并且彼此横向地布置成与LVTSCR的栅极基本等距，以提高保持电压并减小尺寸 。 调节发射极宽度与接触漏极宽度的比率以达到所需的特性。

公开(公告)号：US06797555B1

公开(公告)日：2004-09-28

申请号：US10659422

申请日：2003-09-10

申请人： Peter J. Hopper ,  Prasad Chaparala ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J. Hopper ,  Prasad Chaparala ,  Philipp Lindorfer ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1033

摘要： Fluorine is implanted directly into the channel region of a PMOS transistor structure, thereby improving the noise and VT drift margin of device performance by introducing Si—F complexes at the substrate-gate oxide interface.

摘要翻译： 氟直接注入PMOS晶体管结构的沟道区，从而通过在衬底 - 栅极氧化物界面引入Si-F络合物来改善器件性能的噪声和VT漂移裕度。

公开(公告)号：US06707117B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US10285235

申请日：2002-10-31

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Andy Strachon ,  Peter Johnson

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper ,  Philipp Lindorfer ,  Andy Strachon ,  Peter Johnson

IPC分类号： H01C2976

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a semiconductor structure, interconnects between regions of a single device or different devices are achieved by forming metal plugs that span across the regions to be interconnected, wherein the plugs are formed from the metal used in forming a silicide layer on the structure. The metal is masked off in desired areas prior to etching, to leave the metal plugs.

摘要翻译： 在半导体结构中，单个器件或不同器件的区域之间的互连通过形成跨越要互连的区域的金属插塞来实现，其中插塞由在结构上形成硅化物层所用的金属形成。 在蚀刻之前，将金属掩盖在所需区域中，以留下金属塞。

公开(公告)号：US06667867B2

公开(公告)日：2003-12-23

申请号：US09767934

申请日：2001-01-23

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H02H900

CPC分类号： H02H9/046

摘要： In an ESD protection circuit for an analog bipolar circuit, the avalanche breakdown voltage of a BJT acting as an avalanche diode is reduced by injecting current into the base of the BJT. This is achieved through the use of a capacitor connected between Vdd and the base of the avalanche BJT to speed up the switching of the protection circuit.

公开(公告)号：US06560081B1

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US09690558

申请日：2000-10-17

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H02H900

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/0259 ,  H01L2924/0002 ,  H02H3/006 ,  H01L2924/00

摘要： An ESD protection circuit that can be easily configured to provide ESD event protection against a range of ESD event voltages. The circuit is also compatible with high frequency ICs. The ESD protection circuit includes an input terminal configured to receive an ESD event signal and a diode sub-circuit. The diode sub-circuit includes at least one diode (e.g., either a single diode or a plurality of diodes connected in series or parallel configuration), a diode input node and a diode output node. The diode sub-circuit is configured to receive an ESD event signal from the input terminal and to operate under forward bias conditions to provide a diode output signal at the diode output node. The circuit also includes a bipolar junction transistor (e.g., a Si—Ge bipolar junction transistor) with a base, a collector and an emitter. The emitter is configured to receive the ESD event signal from the input terminal, while the base is configured to receive the diode output signal from the diode output node. A resistor, with a resistor input node, a resistor output node and an output terminal, is also included in the circuit. The resistor input node is electrically connected to the diode output node and the output terminal is connected to the resistor output node, the emitter and ground. By predetermining the electrical characteristics (e.g., forward bias voltage) and number of diodes in the diode sub-circuit, the circuit can be adapted to provide ESD protection against a range of ESD event voltages.

摘要翻译： ESD保护电路可以轻松配置，以提供ESD事件保护，防止一系列ESD事件电压。 该电路还兼容高频IC。 ESD保护电路包括被配置为接收ESD事件信号的输入端子和二极管子电路。 二极管子电路包括至少一个二极管（例如，串联或并联配置连接的单个二极管或多个二极管），二极管输入节点和二极管输出节点。 二极管子电路被配置为从输入端子接收ESD事件信号并且在正向偏置条件下操作以在二极管输出节点处提供二极管输出信号。 该电路还包括具有基极，集电极和发射极的双极结型晶体管（例如，Si-Ge双极结型晶体管）。 发射极被配置为从输入端子接收ESD事件信号，而基极配置为从二极管输出节点接收二极管输出信号。 电路中还包括一个带有电阻输入节点的电阻，一个电阻输出节点和一个输出端子。 电阻输入节点电连接到二极管输出节点，输出端子连接到电阻输出节点，发射极和地。 通过预先确定二极管子电路中的电特性（例如，正向偏置电压）和二极管的数量，该电路可适用于针对一系列ESD事件电压提供ESD保护。

公开(公告)号：US06541801B1

公开(公告)日：2003-04-01

申请号：US09782389

申请日：2001-02-12

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L2974

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/87

摘要： The holding voltage (the minimum voltage required for operation) of a triac is increased to a value that is greater than a dc bias on to-be-protected nodes. The holding voltage is increased by inserting a voltage drop between each p+ region and a to-be-protected node. As a result, the triac can be utilized to provide ESD protection to power supply pins.

摘要翻译： 三端双向可控硅开关元件的保持电压（操作所需的最小电压）增加到大于被保护节点上的直流偏置的值。 通过在每个p +区域和被保护节点之间插入电压降来增加保持电压。 因此，三端双向可控硅开关可用于为电源引脚提供ESD保护。

公开(公告)号：US08524548B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13094645

申请日：2011-04-26

申请人： William French ,  Vladislav Vashchenko ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Alexei Sadovnikov ,  Punit Bhola ,  Peter J. Hopper

发明人： William French ,  Vladislav Vashchenko ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Alexei Sadovnikov ,  Punit Bhola ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7824 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78603

摘要： A lateral DMOS transistor formed on a silicon-on-insulator (SOI) structure has a higher breakdown voltage that results from a cavity that is formed in the bulk region of the SOI structure. The cavity exposes a portion of the bottom surface of the insulator layer of the SOI structure that lies directly vertically below the drift region of the DMOS transistor.

摘要翻译： 形成在绝缘体上硅（SOI）结构上的横向DMOS晶体具有较高的击穿电压，该击穿电压是由在SOI结构的体区形成的空穴产生的。 空腔暴露SOI结构的绝缘体层的底部表面的一部分，其直接位于DMOS晶体管的漂移区的垂直下方。

公开(公告)号：US08098121B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12852743

申请日：2010-08-09

申请人： Peter J Hopper ,  Trevor Niblock ,  Peter Johnson ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J Hopper ,  Trevor Niblock ,  Peter Johnson ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01H51/22 ,  H01H51/34

CPC分类号： H02M3/34

摘要： A MEMS magnetic flux switch is fabricated as a ferromagnetic core. The core includes a center cantilever that is fabricated as a free beam that can oscillate at a resonant frequency that is determined by its mechanical and material properties. The center cantilever is moved by impulses applied by an associated motion oscillator, which can be magnetic or electric actuators.

摘要翻译： MEMS磁通开关被制造为铁磁芯。 芯包括中心悬臂，其被制造为可以以其机械和材料性质确定的共振频率振荡的自由梁。 中心悬臂由相关运动振荡器施加的脉冲移动，运动振荡器可以是磁性或电动执行器。

公开(公告)号：US07795047B1

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11016010

申请日：2004-12-17

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L31/072

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0813

摘要： In a method and structure for current balancing the emitter current in a multi-finger n-emitter of a BJT or BSCR, back-end or polysilicon resistors are applied between the emitter fingers and the power rail, with the resistors chosen to be larger the closer the emitter fingers are to the collector.

摘要翻译： 在用于电流平衡BJT或BSCR的多指n发射极中的发射极电流的方法和结构中，后端或多晶硅电阻器被施加在发射极和电源轨之间，其中电阻器选择为大于 发射器手指靠近收集器。