公开(公告)号：US20100091516A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12306923

申请日：2007-06-15

申请人： Volker Härle ,  Alfred Lell ,  Hubert Ott ,  Norbert Stath ,  Uwe Strauss

发明人： Volker Härle ,  Alfred Lell ,  Hubert Ott ,  Norbert Stath ,  Uwe Strauss

IPC分类号： G02B6/04 ,  G01N21/88 ,  G02B6/02 ,  G01N27/04

CPC分类号： G01M11/088 ,  B60Q1/0011 ,  B60Q11/005 ,  F21S8/06 ,  F21S41/13 ,  F21S41/141 ,  F21S41/16 ,  F21S41/24 ,  F21S45/46 ,  F21S45/47 ,  F21V3/061 ,  F21V3/062 ,  F21V3/10 ,  F21V7/005 ,  F21V7/045 ,  F21V7/22 ,  F21V9/30 ,  F21Y2103/00 ,  G01M11/30

摘要： An arrangement comprising a fiber-optic waveguide (10) and a detection device (25), wherein the fiber-optic waveguide (10) comprises a core region (10E) and a cladding region (10C) surrounding the core region (10E), wherein the core region has a higher refractive index than the cladding region, and wherein the detection device (25) can detect damage to the fiber-optic waveguide (10).

摘要翻译： 一种包括光纤波导（10）和检测装置（25）的装置，其中光纤波导（10）包括芯区（10E）和围绕芯区（10E）的包层区（10C） 其中所述芯区域具有比所述包层区域更高的折射率，并且其中所述检测装置（25）可以检测对所述光纤波导（10）的损坏。

公开(公告)号：US20080089374A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11906410

申请日：2007-10-01

申请人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Christian Rumbolz

发明人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Christian Rumbolz

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/2232 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/166 ,  H01S2304/12

摘要： A semiconductor laser comprising a semiconductor layer sequence (2) comprising an active zone (3) for generating electromagnetic radiation, and an absorber zone for attenuating higher modes. The absorber zone is arranged within the semiconductor layer sequence (2) or adjoins the semiconductor layer sequence (2).

摘要翻译： 一种包括半导体层序列（2）的半导体激光器，包括用于产生电磁辐射的有源区（3）和用于衰减更高模式的吸收区。 吸收区设置在半导体层序列（2）内或毗邻半导体层序列（2）。

公开(公告)号：US20080054252A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11780516

申请日：2007-07-20

申请人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

发明人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L33/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

摘要： The semiconductor layer structure includes an active layer (6) and a superlattice (9) composed of stacked layers (9a, 9b) of III-V compound semiconductors of a first (a) and at least one second type (b). Adjacent layers of different types in the superlattice (9) differ in composition with respect to at least one element. The layers (9a, 9b) have predefined layer thicknesses, such that the layer thicknesses of layers (9a) of the first type (a) and of the layers (9b) of the second type (b) increase from layer to layer with increasing distance from an active layer (6). An increasing layer thickness within the layers of the first and the second type (a, b) is suitable for adapting the electrical, optical and epitaxial properties of the superlattice (9) to given requirements in the best possible manner.

摘要翻译： 半导体层结构包括由第一（a）和至少一个第二类型（b）的III-V族化合物半导体的堆叠层（9a，9b）组成的有源层（6）和超晶格（9）。 超晶格（9）中不同类型的相邻层相对于至少一个元素的组成不同。 层（9a，9b）具有预定的层厚度，使得第一类型（a）的层（9a）和第二类型（b）的层（9b）的层的厚度从层 以增加距离有源层（6）的距离。 在第一和第二类型（a，b）的层内增加的层厚度适合于以最佳可能方式使超晶格（9）的电，光学和外延特性适应给定的要求。

公开(公告)号：US07005681B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10488489

申请日：2002-08-30

申请人： Stefan Bader ,  Viorel Dumitru ,  Volker Härle ,  Bertram Kuhn ,  Alfred Lell ,  Jürgen Off ,  Ferdinand Scholz ,  Heinz Schweizer

发明人： Stefan Bader ,  Viorel Dumitru ,  Volker Härle ,  Bertram Kuhn ,  Alfred Lell ,  Jürgen Off ,  Ferdinand Scholz ,  Heinz Schweizer

IPC分类号： H10L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a semiconductor body (1), which has a radiation-generating active layer (9) and a p-conducting contact layer (2), which contains InGaN or AlInGaN and to which a contact metalization (3) is applied.

摘要翻译： 一种具有半导体主体（1）的辐射发射半导体部件，其具有含有InGaN或AlInGaN的发射有机层（9）和p导电接触层（2），并且接触金属化（3） 被申请;被应用。

公开(公告)号：US06339233B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US08940600

申请日：1997-09-30

申请人： Alfred Lell

发明人： Alfred Lell

IPC分类号： H01L310328

CPC分类号： H01S5/0422 ,  H01L21/7605 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0646 ,  H01L33/0016 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/305

摘要： A semiconductor device comprises an electrically conductive III-V semiconductor substrate which has mutually opposite first and second main surfaces. At least one pn junction, reverse biased during operation of the semiconductor device, is disposed above the first main surface. At least one functional semiconductor structure is disposed above the at least one pn junction. The functional semiconductor structure is electrically insulated from the second main surface of the III-V semiconductor substrate.

摘要翻译： 半导体器件包括具有相互相对的第一和第二主表面的导电III-V半导体衬底。 在半导体器件的操作期间被反向偏置的至少一个pn结设置在第一主表面之上。 至少一个功能性半导体结构设置在至少一个pn结上方。 功能半导体结构与III-V半导体衬底的第二主表面电绝缘。

公开(公告)号：US6081000A

公开(公告)日：2000-06-27

申请号：US68573

申请日：1998-09-14

申请人： Alfred Lell

发明人： Alfred Lell

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/0605

摘要： An optoelectronic semiconductor device, whereby at least one functional semiconductor structure is arranged on a II-V semiconductor substrate. Inventively, an electrically conductive III-V semiconductor substrate is provided that exhibits a charge carrier concentration of more than 1*10.sup.15 cm.sup.-3. At least one electrically insulating oxide layer is provided between the functional semiconductor structure and the III-V semiconductor substrate.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE97 / 02038 Sec。 371日期：1998年9月14日 102（e）1998年9月14日PCT PCT 1997年9月11日PCT公布。 公开号WO98 / 13864 日期：1998年4月2日在II-V半导体基板上配置有至少一个功能半导体结构的光电子半导体装置。 本发明提供一种导电III-V族半导体衬底，其表现出大于1×1015cm-3的电荷载流子浓度。 在功能半导体结构和III-V半导体衬底之间设置至少一个电绝缘氧化物层。