公开(公告)号：US08183136B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12950592

申请日：2010-11-19

申请人： Seong-Hoon Jeong ,  Dong-Chan Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  Soo-Jin Hong ,  Deok-Hyung Lee

发明人： Seong-Hoon Jeong ,  Dong-Chan Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  Soo-Jin Hong ,  Deok-Hyung Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/51

摘要： Provided are a method of forming an insulating layer and a method of manufacturing a transistor using the method. The method of forming the insulating layer includes forming a preliminary insulating layer including silicon oxide (SiO2) on a silicon (Si)-containing substrate. A reactive gas containing ammonia (NH3) gas is supplied to the preliminary insulating layer. Nitrogen radicals (N*) and hydrogen radicals (H*) are generated from the ammonia gas using plasma. The hydrogen radicals combine with oxygen of the preliminary insulating layer, and the nitrogen radicals combine with the silicon oxide so that an insulating layer including hydroxides (OH) and silicon oxynitride (SiON) can be formed.

摘要翻译： 提供一种形成绝缘层的方法和使用该方法制造晶体管的方法。 形成绝缘层的方法包括在含硅（Si）的衬底上形成包括氧化硅（SiO 2）的预备绝缘层。 含有氨（NH 3）气体的反应性气体被供给到初级绝缘层。 使用等离子体从氨气产生氮自由基（N *）和氢自由基（H *）。 氢原子与初级绝缘层的氧结合，氮自由基与氧化硅结合，从而可以形成包含氢氧化物（OH）和氧氮化硅（SiON）的绝缘层。

公开(公告)号：US20110237037A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13151494

申请日：2011-06-02

申请人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7851

摘要： In methods of manufacturing a recessed channel array transistor, a recess may be formed in an active region of a substrate. A plasma oxidation process may be performed on the substrate to form a preliminary gate oxide layer on an inner surface of the recess and an upper surface of the substrate. Moistures may be absorbed in a surface of the preliminary gate oxide layer to form a gate oxide layer. A gate electrode may be formed on the gate oxide layer to fill up the recess. Source/drain regions may be formed in an upper surface of the substrate at both sides of the gate electrode. Thus, the oxide layer may have a uniform thickness distribution and a dense structure.

摘要翻译： 在制造凹陷通道阵列晶体管的方法中，可以在衬底的有源区中形成凹部。 可以在衬底上进行等离子体氧化处理，以在凹槽的内表面和衬底的上表面上形成预备栅氧化层。 可以在预选择栅极氧化物层的表面吸收水分以形成栅极氧化物层。 可以在栅极氧化物层上形成栅电极以填充凹部。 源极/漏极区域可以形成在栅电极的两侧的衬底的上表面中。 因此，氧化物层可以具有均匀的厚度分布和致密结构。

公开(公告)号：US07998851B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12715599

申请日：2010-03-02

申请人： Yong-Hoon Son ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Sun-Ghil Lee ,  In-Soo Jung ,  Young-Eun Lee ,  Deok-Hyung Lee

发明人： Yong-Hoon Son ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Sun-Ghil Lee ,  In-Soo Jung ,  Young-Eun Lee ,  Deok-Hyung Lee

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0688

摘要： A semiconductor device includes an inorganic insulating layer on a semiconductor substrate, a contact plug that extends through the inorganic insulating layer to contact the semiconductor substrate and a stress buffer spacer disposed between the node contact plug and the inorganic insulating layer. The device further includes a thin-film transistor (TFT) disposed on the inorganic insulating layer and having a source/drain region extending along the inorganic insulating layer to contact the contact plug. The device may further include an etch stop layer interposed between the inorganic insulating layer and the semiconductor substrate.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底上的无机绝缘层，延伸穿过无机绝缘层以接触半导体衬底的接触插塞和设置在节点接触插塞和无机绝缘层之间的应力缓冲间隔件。 该器件还包括设置在无机绝缘层上并具有沿着无机绝缘层延伸以接触接触插塞的源极/漏极区域的薄膜晶体管（TFT）。 该器件还可以包括插入无机绝缘层和半导体衬底之间的蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20100035425A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12536865

申请日：2009-08-06

申请人： Jeong Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming an electrically conductive layer containing silicon on a substrate and forming a mask pattern on the electrically conductive layer. The electrically conductive layer is selectively etched to define a first sidewall thereon, using the mask pattern as an etching mask. The first sidewall of the electrically conductive layer may be exposed to a nitrogen plasma to thereby form a first silicon nitride layer on the first sidewall. The electrically conductive layer is then selectively etched again to expose a second sidewall thereon that is free of the first silicon nitride layer. The mask pattern may be used again as an etching mask during this second step of selectively etching the electrically conductive layer.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在衬底上形成含硅的导电层，并在导电层上形成掩模图案。 使用掩模图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻导电层以限定其上的第一侧壁。 可以将导电层的第一侧壁暴露于氮等离子体，从而在第一侧壁上形成第一氮化硅层。 然后再次选择性地蚀刻导电层以暴露其上没有第一氮化硅层的第二侧壁。 在选择性蚀刻导电层的第二步骤期间，掩模图案可以再次用作蚀刻掩模。

公开(公告)号：US20100025749A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12534422

申请日：2009-08-03

申请人： Jong-Ryeol Yoo ,  Tai-Su Park ,  Jong-Hoon Kang ,  Dong-Chan Kim ,  Jeong-Do Ryu ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Jong-Ryeol Yoo ,  Tai-Su Park ,  Jong-Hoon Kang ,  Dong-Chan Kim ,  Jeong-Do Ryu ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

摘要： A semiconductor device may include an isolation layer, gate electrodes, an insulating interlayer, an impurity region, a capping layer and a plug. The isolation layer may be formed in the substrate. The gate electrodes may be formed on the substrate. The insulating interlayer may be formed on the gate electrodes. The insulating interlayer may have a contact hole between the gate electrodes. The impurity region may be in the substrate exposed through the contact hole. The capping layer may be on the impurity region. The plug may be on the capping layer. Thus, the impurities may not be lost from the impurity region. As a result, the device may have improved electrical characteristics and reliability because depletion may not be generated in the electrode layer

摘要翻译： 半导体器件可以包括隔离层，栅电极，绝缘中间层，杂质区，封盖层和插塞。 隔离层可以形成在衬底中。 栅电极可以形成在衬底上。 绝缘中间层可以形成在栅电极上。 绝缘中间层可以在栅电极之间具有接触孔。 杂质区域可能在通过接触孔暴露的衬底中。 覆盖层可以在杂质区上。 插头可能在封盖层上。 因此，杂质可能不会从杂质区域中流失。 结果，由于在电极层中可能不产生耗尽，所以器件可能具有改善的电特性和可靠性

公开(公告)号：US07494859B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11400243

申请日：2006-04-10

申请人： Hag-Ju Cho ,  Taek-Soo Jeon ,  Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Hag-Ju Cho ,  Taek-Soo Jeon ,  Hye-Lan Lee ,  Sang-Bom Kang ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device comprising a semiconductor substrate having a first impurity region and a second impurity region, a first gate pattern formed on the first impurity region, and a second gate pattern formed on the second impurity region is disclosed. The first gate pattern comprises a first gate insulation layer pattern, a metal layer pattern having a first thickness, and a first polysilicon layer pattern. The second gate pattern comprises a second gate insulation layer pattern, a metal silicide layer pattern having a second thickness smaller than the first thickness, and a second polysilicon layer pattern. The metal silicide layer pattern is formed from a material substantially the same as the material from which the metal layer pattern is formed. A method for manufacturing the semiconductor device is also disclosed.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括具有第一杂质区和第二杂质区的半导体衬底，形成在第一杂质区上的第一栅极图案和形成在第二杂质区上的第二栅极图案。 第一栅极图案包括第一栅极绝缘层图案，具有第一厚度的金属层图案和第一多晶硅层图案。 第二栅极图案包括第二栅极绝缘层图案，具有小于第一厚度的第二厚度的金属硅化物层图案和第二多晶硅层图案。 金属硅化物层图案由与形成金属层图案的材料基本相同的材料形成。 还公开了一种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：US20070231976A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11730262

申请日：2007-03-30

申请人： Sung-Kwan Kang ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Yong-Hoon Son

发明人： Sung-Kwan Kang ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Yong-Hoon Son

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes forming an insulation layer structure on a single-crystalline silicon substrate, forming a first insulation layer structure pattern comprising a first opening by etching a portion of the insulation layer structure, filling the first opening with a non-single-crystalline silicon layer, and forming a single-crystalline silicon pattern by irradiating a first laser beam onto the non-single-crystalline silicon layer. The method also includes forming a second insulation layer structure pattern comprising a second opening by etching a portion of the first insulation layer structure, filling the second opening with a non-single-crystalline silicon-germanium layer, and forming a single-crystalline silicon-germanium pattern by irradiating a second laser beam onto the non-single-crystalline silicon-germanium layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在单晶硅衬底上形成绝缘层结构，通过蚀刻绝缘层结构的一部分形成包括第一开口的第一绝缘层结构图案， 单晶硅层，并且通过将第一激光束照射到非单晶硅层上而形成单晶硅图案。 该方法还包括通过蚀刻第一绝缘层结构的一部分来形成包括第二开口的第二绝缘层结构图案，用非单晶硅锗层填充第二开口，以及形成单晶硅 - 锗图案，通过将第二激光束照射到非单晶硅 - 锗层上。

公开(公告)号：US20070215959A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11713877

申请日：2007-03-05

申请人： Jin-Wook Lee ,  Chang-Woo Ryoo ,  Tai-Su Park ,  U-In Chung ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Jin-Wook Lee ,  Chang-Woo Ryoo ,  Tai-Su Park ,  U-In Chung ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061

摘要： A semiconductor device may include a semiconductor substrate, first and second source/drain regions on a surface of the semiconductor substrate, and a channel region on the surface of the semiconductor substrate with the channel region between the first and second source/drain regions. An insulating layer pattern may be on the channel region, a first conductive layer pattern may be on the insulating layer, and a second conductive layer pattern may be on the first conductive layer pattern. The insulating layer pattern may be between the first conductive layer pattern and the channel region, and the first conductive layer pattern may include boron doped polysilicon with a surface portion having an accumulation of silicon boronide. The first conductive layer pattern may be between the second conductive layer pattern and the insulating layer pattern, and the second conductive layer pattern may include tungsten. Related methods are also discussed.

摘要翻译： 半导体器件可以包括半导体衬底，半导体衬底的表面上的第一和第二源极/漏极区域以及在第一和第二源极/漏极区域之间具有沟道区域的半导体衬底的表面上的沟道区域。 绝缘层图案可以在沟道区上，第一导电层图案可以在绝缘层上，并且第二导电层图案可以在第一导电层图案上。 绝缘层图案可以在第一导电层图案和沟道区之间，并且第一导电层图案可以包括硼掺杂多晶硅，表面部分具有硅化硼的积累。 第一导电层图案可以在第二导电层图案和绝缘层图案之间，并且第二导电层图案可以包括钨。 还讨论了相关方法。

公开(公告)号：US20070132022A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11301029

申请日：2005-12-13

申请人： Yong-Hoon Son ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee

发明人： Yong-Hoon Son ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： First and second preliminary epitaxial layers are grown from single-crystalline seeds in openings in an insulation layer until the first and second epitaxial layers are connected to each other. While the first and second preliminary epitaxial layers are being grown, a connection structure of a material having an amorphous state is formed on a portion of the insulation layer located between the first and second preliminary epitaxial layers. The material having an amorphous state is then changed into material having a single-crystalline state. Thus, portions of the first and second epitaxial layers are connected to each other through the connection structure so that the epitaxial layers and the connection structure constitute a single-crystalline structure layer that is free of voids for use as a channel layer or the like of a semiconductor device.

摘要翻译： 第一和第二初步外延层从绝缘层的开口中的单晶种子生长直到第一和第二外延层彼此连接。 当正在生长第一和第二初步外延层时，在位于第一和第二初步外延层之间的绝缘层的一部分上形成具有非晶状态的材料的连接结构。 然后将具有非晶状态的材料变成具有单晶态的材料。 因此，第一外延层和第二外延层的部分通过连接结构彼此连接，使得外延层和连接结构构成无空隙的单晶结构层，用作沟道层等 半导体器件。

公开(公告)号：US20070032008A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11494100

申请日：2006-07-27

申请人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

发明人： Hye-Min Kim ,  Yu-Gyun Shin ,  In-Sang Jeon ,  Sang-Bom Kang ,  Hong-Bae Park ,  Beom-Jun Jin

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device includes a substrate divided into an NMOS region and a PMOS region, a first gate pattern formed on the PMOS region, and a second gate pattern formed on the NMOS region. The first gate pattern includes a first gate oxide layer pattern, a metal oxide layer pattern, a silicon nitride layer pattern and a first polysilicon layer pattern that are sequentially stacked. The second gate pattern includes a second oxide layer pattern and a second polysilicon layer pattern. Related methods are also provided.

摘要翻译： 半导体器件包括分为NMOS区和PMOS区的衬底，形成在PMOS区上的第一栅极图案，以及形成在NMOS区上的第二栅极图案。 第一栅极图案包括依次层叠的第一栅极氧化物层图案，金属氧化物层图案，氮化硅层图案和第一多晶硅层图案。 第二栅极图案包括第二氧化物层图案和第二多晶硅层图案。 还提供了相关方法。