公开(公告)号：US20090107520A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12260358

申请日：2008-10-29

申请人： Wai Mun Lee ,  Mark A. Scialdone ,  Albert G. Anderson

发明人： Wai Mun Lee ,  Mark A. Scialdone ,  Albert G. Anderson

IPC分类号： C23G1/00 ,  C11D1/66

CPC分类号： G03F7/422 ,  C01B21/1445 ,  C11D3/32 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041

摘要： The present invention is a composition and cleaning method for use in semiconductor processes wherein the compositions comprises at least one amidoxime compound.

摘要翻译： 本发明是用于半导体工艺的组合物和清洁方法，其中组合物包含至少一种偕胺肟化合物。

公开(公告)号：US06417112B1

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：US09343532

申请日：1999-06-30

申请人： Catherine M. Peyne ,  David J. Maloney ,  Shihying Lee ,  Wai Mun Lee ,  Leslie W. Arkless

发明人： Catherine M. Peyne ,  David J. Maloney ,  Shihying Lee ,  Wai Mun Lee ,  Leslie W. Arkless

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： C09K13/00 ,  C23G1/061 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  Y10S438/963

摘要： A new cleaning chemistry based on a choline compound, such as choline hydroxide, is provided in order to address the problem of dual damascene fabrication. An etch stop inorganic layer at the bottom of a dual damascene structure protects the underlying interconnect of copper and allows a better cleaning. A two step etch process utilizing the etch stop layer is used to achieve the requirements of UISI manufacturing in a dual damascene structure.

摘要翻译： 提供了基于胆碱化合物（例如氢氧化胆碱）的新的清洁化学品，以解决双镶嵌制造的问题。 双镶嵌结构底部的刻蚀终止无机层保护铜的底层互连，并允许更好的清洁。 使用利用蚀刻停止层的两步蚀刻工艺来实现双镶嵌结构中UISI制造的要求。

公开(公告)号：US06367486B1

公开(公告)日：2002-04-09

申请号：US09635650

申请日：2000-08-10

申请人： Wai Mun Lee ,  Zhefei Jessie Chen

发明人： Wai Mun Lee ,  Zhefei Jessie Chen

IPC分类号： B08B304

CPC分类号： B24B37/042 ,  B08B3/08 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76885

摘要： An ethylenediaminetetraacetic acid or a mono-, di-, tri- or tetraammonium salt thereof residue cleaning composition removes photoresist and other residue from integrated circuit substrates. The balance of the composition is desirably made up of water, preferably high purity deionized water, or another suitable polar solvent. A process for removing photoresist or other residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, comprises contacting the substrate with the composition for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist or other residue from the substrate. Use of the ethylenediaminetetraacetic acid or a mono-, di-, tri- or tetraammonium salt thereof in the composition and process provides superior residue removal without attacking titanium or other metallurgy, oxide or nitride layers on the substrate.

摘要翻译： 乙二胺四乙酸或其一，二，三或四铵盐残留物清洗组合物从集成电路基底中去除光致抗蚀剂和其它残留物。 组合物的余量理想地由水，优选高纯度去离子水或其它合适的极性溶剂组成。 用于从衬底（例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片）去除光致抗蚀剂或其它残留物的方法包括使衬底与组合物接触足以从衬底去除光致抗蚀剂或其它残余物的时间和温度。 在组合物和方法中使用乙二胺四乙酸或其单 - ，二 - ，三 - 或四 - 铵盐提供优异的残余物去除而不侵蚀基材上的钛或其它冶金，氧化物或氮化物层。

公开(公告)号：US06276372B1

公开(公告)日：2001-08-21

申请号：US09696032

申请日：2000-10-26

申请人： Wai Mun Lee

发明人： Wai Mun Lee

IPC分类号： B08B304

CPC分类号： B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76885

摘要： A hydroxylamine-gallic compound composition comprises a hydroxylamine compound, at least one alcohol amine compound which is miscible with the hydroxylamine compound and a gallic compound. A process for removing photoresist or other polymeric material or a residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, in accordance with this invention comprises contacting the substrate with a hydroxylamine compound, an alcohol amine compound which is miscible with the hydroxylamine compound and a gallic compound for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist, other polymeric material or residue from the substrate. Use of a gallic compound in place of catechol in the composition and process reduces attack on titanium metallurgy by, e.g., about three times.

摘要翻译： 羟胺 - 没食子的化合物组合物包含羟胺化合物，至少一种醇羟胺化合物和羟胺化合物可混溶的醇胺化合物。 根据本发明的用于从衬底（例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片）去除光致抗蚀剂或其它聚合材料或残余物的方法包括使基底与羟胺化合物，可与 羟胺化合物和一种没食子子化合物，其时间和温度足以从基材除去光致抗蚀剂，其它聚合材料或残余物。 在组合物和方法中使用没食子子化合物代替儿茶酚减少对钛冶金的侵蚀，例如约三次。

公开(公告)号：US06187730B1

公开(公告)日：2001-02-13

申请号：US08628060

申请日：1996-04-17

申请人： Wai Mun Lee

发明人： Wai Mun Lee

IPC分类号： C11D732

CPC分类号： B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76885

摘要： A hydroxylamine-gallic compound composition comprises a hydroxylamine compound, at least one alcohol amine compound which is miscible with the hydroxylamine compound and a gallic compound. A process for removing photoresist or other polymeric material or a residue from a substrate, such as an integrated circuit semiconductor wafer including titanium metallurgy, in accordance with this invention comprises contacting the substrate with a hydroxylamine compound, an alcohol amine compound which is miscible with the hydroxylamine compound and a gallic compound for a time and at a temperature sufficient to remove the photoresist, other polymeric material or residue from the substrate. Use of a gallic compound in place of catechol in the composition and process reduces attack on titanium metallurgy by, e.g., about three times.

摘要翻译： 羟胺 - 没食子的化合物组合物包含羟胺化合物，至少一种醇羟胺化合物和羟胺化合物可混溶的醇胺化合物。 根据本发明的用于从衬底（例如包括钛冶金的集成电路半导体晶片）去除光致抗蚀剂或其它聚合材料或残余物的方法包括使基底与羟胺化合物，可与 羟胺化合物和一种没食子子化合物，其时间和温度足以从基材除去光致抗蚀剂，其它聚合材料或残余物。 在组合物和方法中使用没食子子化合物代替儿茶酚减少对钛冶金的侵蚀，例如约三次。

公开(公告)号：US6140287A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US133698

申请日：1998-08-13

申请人： Wai Mun Lee

发明人： Wai Mun Lee

IPC分类号： B24B37/04 ,  C09D9/00 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D3/34 ,  C11D3/43 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C23G1/10 ,  C23G1/20 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02071 ,  B24B37/042 ,  C09D9/00 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0052 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3427 ,  C11D3/3472 ,  C11D3/43 ,  C11D7/261 ,  C11D7/262 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3227 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3272 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C23G1/103 ,  C23G1/205 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/02052

摘要： An etching residue remover for cleaning etching residue from a substrate, derived from a mixture of at least hydroxylamine, an alkanolamine which is miscible with said hydroxylamine, water, and, optionally, a chelating agent, wherein the hydroxylamine and the alkanolamine are present in amounts sufficient to clean etching residue from the substrate.

摘要翻译： 一种蚀刻残渣去除剂，用于清洗从底物蚀刻残留物，其衍生自至少羟胺，可与所述羟胺混合的链烷醇胺，水和任选的螯合剂的混合物，其中羟胺和链烷醇胺的量以 足以清除基板上的蚀刻残留物。