公开(公告)号：US20100055621A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12458884

申请日：2009-07-27

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337

摘要： There is disclosed a patterning process including steps of at least: forming a photoresist film on a substrate; exposing the photoresist film to a high energy beam; developing by using a developer; forming a photoresist pattern; and then forming a spacer on the photoresist pattern sidewall, thereby forming a pattern on the substrate, a patterning process, wherein at least the photoresist pattern having the hardness of 0.4 GPa or more or the Young's modulus of 9.2 GPa or more as a film strength is formed, and a pattern is formed on the substrate by forming a silicon oxide film as the spacer on the photoresist pattern sidewall. There can be provided a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR at the time of forming a silicon oxide film on a photoresist pattern.

摘要翻译： 公开了一种图案化工艺，其包括至少在衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤; 将光致抗蚀剂膜暴露于高能量束; 使用开发商开发; 形成光致抗蚀剂图案; 然后在光致抗蚀剂图案侧壁上形成间隔物，从而在基板上形成图案，图案化工艺，其中至少具有0.4GPa或更高的硬度的光刻胶图案或9.2GPa或更大的杨氏模量作为膜强度 并且通过在光致抗蚀剂图案侧壁上形成作为间隔物的氧化硅膜在衬底上形成图案。 可以提供图案化工艺，而不会在抗蚀剂图案上形成氧化硅膜时引起抗蚀剂图案的变形和增加的LWR。

公开(公告)号：US06623909B2

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09870745

申请日：2001-06-01

申请人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Toshiaki Takahashi ,  Toshinobu Ishihara ,  Jun Watanabe ,  Tohru Kubota ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： C08G77/24 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： Polymers comprising recurring units of formula (1) are provided wherein R1 is a straight, branched or cyclic divalent C1-20 hydrocarbon group or a bridged cyclic hydrocarbon group, R is hydrogen atom or an acid labile group, 0≦m≦3, 0≦n≦3 and 0≦m+n≦6. Using the polymers, chemical amplification positive resist compositions featuring low absorption of F2 excimer laser light are obtained.

摘要翻译： 提供了包含式（1）的重复单元的聚合物，其中R 1是直链，支链或环状二价C 1-20烃基或桥连环烃基，R是氢原子或酸不稳定基团，0≤m <= 3,0 <= n <= 3，0 <= m + n <= 6。使用聚合物，获得具有F2受激准分子激光的低吸收性的化学放大阳性抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：US07741015B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12029940

申请日：2008-02-12

申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： A pattern is formed by applying a positive resist composition comprising a polymer comprising 7-oxanorbornane ring-bearing recurring units and acid labile group-bearing recurring units and an acid generator onto a substrate to form a resist film, heat treating and exposing the resist film to radiation, heat treating and developing the resist film with a developer, and causing the resist film to crosslink and cure with the aid of acid and/or heat. A second resist pattern is then formed in the space area of the first resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

摘要翻译： 通过在基材上涂布含有包含含有7-氧代降冰片烷环的重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的聚合物和酸产生剂的正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行热处理和曝光来形成图案 用显影剂进行辐射，热处理和显影抗蚀剂膜，并使抗蚀剂膜在酸和/或热的帮助下交联和固化。 然后在第一抗蚀剂图案的空间区域中形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

公开(公告)号：US08617800B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12458884

申请日：2009-07-27

申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337

摘要： There is disclosed a patterning process including steps of at least: forming a photoresist film on a substrate; exposing the photoresist film to a high energy beam; developing by using a developer; forming a photoresist pattern; and then forming a spacer on the photoresist pattern sidewall, thereby forming a pattern on the substrate, a patterning process, wherein at least the photoresist pattern having the hardness of 0.4 GPa or more or the Young's modulus of 9.2 GPa or more as a film strength is formed, and a pattern is formed on the substrate by forming a silicon oxide film as the spacer on the photoresist pattern sidewall. There can be provided a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR at the time of forming a silicon oxide film on a photoresist pattern.

摘要翻译： 公开了一种图案化工艺，其包括至少在衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤; 将光致抗蚀剂膜暴露于高能量束; 使用开发商开发; 形成光致抗蚀剂图案; 然后在光致抗蚀剂图案侧壁上形成间隔物，从而在基板上形成图案，图案化工艺，其中至少具有0.4GPa或更高的硬度的光刻胶图案或9.2GPa或更大的杨氏模量作为膜强度 并且通过在光致抗蚀剂图案侧壁上形成作为间隔物的氧化硅膜在衬底上形成图案。 可以提供图案化工艺，而不会在抗蚀剂图案上形成氧化硅膜时引起抗蚀剂图案的变形和增加的LWR。

公开(公告)号：US08367310B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12708196

申请日：2010-02-18

申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。

公开(公告)号：US08361703B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12628705

申请日：2009-12-01

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： C09D127/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C08L33/16 ,  C09D125/18 ,  C09D133/16 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  C08L2666/04 ,  C08F212/14 ,  C08F232/08 ,  C08F212/32

摘要： A protective coating composition comprising a polymer of acyl-protected hexafluoroalcohol structure as a base polymer, optionally in admixture with a second polymer containing sulfonic acid amine salt in recurring units is applied onto a resist film. The protective coating is transparent to radiation of wavelength up to 200 nm.

摘要翻译： 包含酰基保护的六氟醇结构的聚合物作为基础聚合物的保护性涂料组合物，任选地与含有重复单元的磺酸胺盐的第二聚合物的混合物施加到抗蚀剂膜上。 保护涂层对波长高达200nm的辐射是透明的。

公开(公告)号：US08101335B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12463751

申请日：2009-05-11

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Kazunori Maeda ,  Koji Hasegawa ,  Satoshi Shinachi

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Kazunori Maeda ,  Koji Hasegawa ,  Satoshi Shinachi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0395 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A copolymer of an alkali-soluble (α-trifluoromethyl)-acrylate and a norbornene derivative is useful as an additive to a resist composition. When processed by immersion lithography, the resist composition exhibits excellent water repellency and water slip and forms a pattern with few development defects.

摘要翻译： 碱溶性（α-三氟甲基）丙烯酸酯和降冰片烯衍生物的共聚物可用作抗蚀剂组合物的添加剂。 当通过浸渍光刻处理时，抗蚀剂组合物表现出优异的防水性和水滑动性并且形成几乎没有显影缺陷的图案。

公开(公告)号：US08088537B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12320183

申请日：2009-01-21

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/11 ,  C08L33/02

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： The present invention relates to a resist top coat composition and a patterning process adopting such a material, which resist top coat composition is provided for forming a top coat on a photoresist film so as to protect the photoresist film, in liguid immersion photolithography. The present invention provides a resist top coat composition for forming a top coat on a photoresist film, wherein the resist top coat composition comprises, at least: a polymer I including a repeating unit a represented by the following general formula (1); and a polymer II including repeating unit having a sulfonic acid or an amine salt of a sulfonic acid:

摘要翻译： 本发明涉及一种抗蚀剂面漆组合物和采用这种材料的图案化方法，其抗蚀面漆组合物用于在光致抗蚀剂膜上形成顶涂层以保护光致抗蚀剂膜，在液体浸渍光刻中。 本发明提供了一种用于在光致抗蚀剂膜上形成顶涂层的抗蚀剂面漆组合物，其中抗蚀剂面漆组合物至少包含：包含由以下通式（1）表示的重复单元的聚合物I; 和包含具有磺酸或磺酸胺盐的重复单元的聚合物II：

公开(公告)号：US20100136482A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12628794

申请日：2009-12-01

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa ,  Kazunori Maeda ,  Tomohiro Kobayashi

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa ,  Kazunori Maeda ,  Tomohiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： A resist composition is provided comprising (A) an additive polymer of acyl-protected hexafluoroalcohol structure, (B) a base polymer having a structure derived from lactone ring, hydroxyl group and/or maleic anhydride, the base polymer becoming soluble in alkaline developer under the action of acid, (C) a photoacid generator, and (D) an organic solvent. The additive polymer is transparent to radiation of wavelength up to 200 nm, and its properties can be tailored by a choice of the polymer structure.

摘要翻译： 提供了抗蚀剂组合物，其包含（A）酰基保护的六氟醇结构的添加剂聚合物，（B）具有衍生自内酯环，羟基和/或马来酸酐的结构的基础聚合物，所述基础聚合物在碱性显影剂中变得可溶 酸的作用，（C）光致酸发生剂，和（D）有机溶剂。 添加剂聚合物对波长高达200nm的辐射是透明的，并且其性质可以通过选择聚合物结构来定制。

公开(公告)号：US07592407B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11259179

申请日：2005-10-27

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： C07C69/52

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C07D309/10 ,  C08F220/24 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  Y02P20/55

摘要： A polymerizable fluorinated compound having formula (2a) or (2b) wherein R1 and R2 are H or C1-C20 alkyl or fluoroalkyl, R3 is H, F or C1-C4 alkyl or fluoroalkyl, and R is H or a protective group is polymerized into a fluorinated polymer which is used as a base polymer to formulate a resist composition having transparency to laser light of wavelength≦300 nm, alkali development amenability, and dry etch resistance.

摘要翻译： 具有式（2a）或（2b）的可聚合氟化化合物，其中R 1和R 2是H或C 1 -C 20烷基或氟代烷基，R 3是H，F或C 1 -C 4烷基或氟代烷基，R是H或保护基团是聚合的 转化成氟化聚合物，其用作基础聚合物以配制对波长<= 300nm的激光具有透明度的抗蚀剂组合物，碱显影易化性和耐干蚀刻性。