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    Patterning process and resist composition
    1.
    发明授权
    Patterning process and resist composition 有权
    图案化过程和抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US07741015B2

    公开(公告)日：2010-06-22

    申请号：US12029940

    申请日：2008-02-12

    申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

    发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Yoshio Kawai ,  Katsuya Takemura

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

    摘要： A pattern is formed by applying a positive resist composition comprising a polymer comprising 7-oxanorbornane ring-bearing recurring units and acid labile group-bearing recurring units and an acid generator onto a substrate to form a resist film, heat treating and exposing the resist film to radiation, heat treating and developing the resist film with a developer, and causing the resist film to crosslink and cure with the aid of acid and/or heat. A second resist pattern is then formed in the space area of the first resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

    摘要翻译： 通过在基材上涂布含有包含含有7-氧代降冰片烷环的重复单元和含酸不稳定基团的重复单元的聚合物和酸产生剂的正性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行热处理和曝光来形成图案 用显影剂进行辐射，热处理和显影抗蚀剂膜，并使抗蚀剂膜在酸和/或热的帮助下交联和固化。 然后在第一抗蚀剂图案的空间区域中形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

    Patterning process
    2.
    发明授权
    Patterning process 有权
    图案化过程

    公开(公告)号：US08741548B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US12194129

    申请日：2008-08-19

    申请人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Katsuya Takemura ,  Yoshio Kawai

    发明人： Jun Hatakeyama ,  Takao Yoshihara ,  Katsuya Takemura ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38 ,  G03F7/039

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

    摘要： A pattern is formed by applying a first positive resist composition onto a substrate, heat treatment, exposure, heat treatment and development to form a first resist pattern; causing the first resist pattern to crosslink and cure by irradiation of high-energy radiation of up to 180 nm wavelength or EB; further applying a second positive resist composition onto the substrate, heat treatment, exposure, heat treatment and development to form a second resist pattern. The double patterning process reduces the pitch between patterns to one half.

    摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂组合物施加到基材上，热处理，曝光，热处理和显影以形成第一抗蚀剂图案而形成图案; 使得第一抗蚀剂图案通过辐射高达180nm波长或EB的高能量辐射而交联和固化; 进一步将第二正性抗蚀剂组合物施加到基材上，进行热处理，曝光，热处理和显影以形成第二抗蚀剂图案。 双重图案化工艺将图案之间的间距缩小到一半。

    Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
    3.
    发明授权
    Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions 失效
    锍盐和化学增幅阳性抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US5880169A

    公开(公告)日：1999-03-09

    申请号：US742324

    申请日：1996-11-01

    申请人： Yoichi Osawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai

    发明人： Yoichi Osawa ,  Satoshi Watanabe ,  Katsuya Takemura ,  Shigehiro Nagura ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/0045

    摘要： The invention provides a novel sulfonium salt having at least one acid labile group attached to a phenyl group in a molecule and a normal, branched or cyclic C.sub.1 -C.sub.20 alkylsulfonate anion. The novel sulfonium salt is effective for increasing the dissolution contrast between exposed and unexposed areas. Upon exposure, it generates an alkylsulfonic acid which is a weak acid, minimizing the influence of side reaction and deactivation during PEB step. The sulfonium salt is useful in a chemically amplified positive resist composition which lends itself to fine patterning and features high resolution.

    摘要翻译： 本发明提供了一种新的锍盐，其具有至少一个与分子中的苯基连接的酸不稳定基团以及正，支链或环状的C 1 -C 20烷基磺酸根阴离子。 新型锍盐对于增加曝光和未曝光区域之间的溶解度对比是有效的。 暴露后，产生弱酸的烷基磺酸，使PEB步骤中副反应和失活的影响最小化。 锍盐可用于化学放大的正性抗蚀剂组合物，其具有精细的图案化并具有高分辨率。

    Positive resist composition
    5.
    发明授权
    Positive resist composition 失效
    正抗蚀剂组成

    公开(公告)号：US5612170A

    公开(公告)日：1997-03-18

    申请号：US569659

    申请日：1995-12-08

    申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

    发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Akinobu Tanaka ,  Yoshio Kawai ,  Jiro Nakamura

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03C1/73

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

    摘要： A positive resist composition based on a silicone polymer contains a photo acid generator which will decompose to generate an acid upon exposure to radiation. The silicone polymer includes hydroxybenzyl units wherein some OH groups are replaced by t-butoxycarbonyl, t-butoxycarbonylmethyl, trimethylsilyl or tetrahydropyranyl groups. In a first form, the photo acid generator is a specific onium salt having at least one phenyl group with a t-alkoxy, t-butoxycarbonyloxy or t-butoxycarbonylmethoxy substituent. In a second form, the composition further contains a nitrogenous compound. In a third form, the composition further contains a dissolution inhibitor in the form of a specific silicone compound. The composition is sensitive to high energy radiation and has high sensitivity and resolution.

    摘要翻译： 基于有机硅聚合物的正型抗蚀剂组合物含有光致酸产生剂，其将在暴露于辐射时分解产生酸。 有机硅聚合物包括其中一些OH基被叔丁氧基羰基，叔丁氧基羰基甲基，三甲基甲硅烷基或四氢吡喃基代替的羟基苄基单元。 在第一种形式中，光酸产生剂是具有至少一个具有叔烷氧基，叔丁氧基羰基氧基或叔丁氧基羰基甲氧基取代基的苯基的特定鎓盐。 在第二种形式中，组合物还含有含氮化合物。 在第三种形式中，组合物还含有特定硅氧烷化合物形式的溶解抑制剂。 该成分对高能辐射敏感，灵敏度高，分辨率高。

    Patterning process
    9.
    发明授权
    Patterning process 有权
    图案化过程

    公开(公告)号：US08617800B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US12458884

    申请日：2009-07-27

    申请人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

    发明人： Jun Hatakeyama ,  Kazuhiro Katayama ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0337

    摘要： There is disclosed a patterning process including steps of at least: forming a photoresist film on a substrate; exposing the photoresist film to a high energy beam; developing by using a developer; forming a photoresist pattern; and then forming a spacer on the photoresist pattern sidewall, thereby forming a pattern on the substrate, a patterning process, wherein at least the photoresist pattern having the hardness of 0.4 GPa or more or the Young's modulus of 9.2 GPa or more as a film strength is formed, and a pattern is formed on the substrate by forming a silicon oxide film as the spacer on the photoresist pattern sidewall. There can be provided a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR at the time of forming a silicon oxide film on a photoresist pattern.

    摘要翻译： 公开了一种图案化工艺，其包括至少在衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤; 将光致抗蚀剂膜暴露于高能量束; 使用开发商开发; 形成光致抗蚀剂图案; 然后在光致抗蚀剂图案侧壁上形成间隔物，从而在基板上形成图案，图案化工艺，其中至少具有0.4GPa或更高的硬度的光刻胶图案或9.2GPa或更大的杨氏模量作为膜强度 并且通过在光致抗蚀剂图案侧壁上形成作为间隔物的氧化硅膜在衬底上形成图案。 可以提供图案化工艺，而不会在抗蚀剂图案上形成氧化硅膜时引起抗蚀剂图案的变形和增加的LWR。

    Pattern forming process and resist-modifying composition
    10.
    发明授权
    Pattern forming process and resist-modifying composition 有权
    图案形成工艺和抗蚀剂改性组合物

    公开(公告)号：US08367310B2

    公开(公告)日：2013-02-05

    申请号：US12708196

    申请日：2010-02-18

    申请人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

    发明人： Takeru Watanabe ,  Masashi Iio ,  Jun Hatakeyama ,  Tsunehiro Nishi ,  Yoshio Kawai

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40

    摘要： A patterning process includes (1) coating and baking a first positive resist composition to form a first resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a first resist pattern, (2) applying a resist-modifying composition to the first resist pattern and heating to modify the first resist pattern, (3) coating and baking a second positive resist composition to form a second resist film, exposing, post-exposure baking, and alkali developing to form a second resist pattern. The modified first resist film has a contact angle with pure water of 50°-85°.

    摘要翻译： 图案化工艺包括（1）涂覆和烘烤第一正性抗蚀剂组合物以形成第一抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第一抗蚀剂图案，（2）将抗蚀剂改性组合物施加到 第一抗蚀剂图案和加热以修饰第一抗蚀剂图案，（3）涂覆和烘烤第二正性抗蚀剂组合物以形成第二抗蚀剂膜，曝光，曝光后烘烤和碱显影以形成第二抗蚀剂图案。 改性的第一抗蚀剂膜与纯水的接触角为50°-85°。