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    Methods for forming line patterns in semiconductor substrates
    63.
    发明授权
    Methods for forming line patterns in semiconductor substrates 失效
    在半导体衬底中形成线图案的方法

    公开(公告)号：US06803176B2

    公开(公告)日：2004-10-12

    申请号：US10227067

    申请日：2002-08-23

    申请人： Sang-jun Choi ,  Yool Kang ,  Joo-tae Moon ,  Jeong-hee Chung ,  Sang-gyun Woo

    发明人： Sang-jun Choi ,  Yool Kang ,  Joo-tae Moon ,  Jeong-hee Chung ,  Sang-gyun Woo

    IPC分类号： G03F740

    CPC分类号： G03F7/40

    摘要： A method for forming a fine pattern in a semiconductor substrate, by coating a target layer to be etched on a semiconductor substrate with a resist composition including at least one compound capable of forming a photoresist pattern by a photolithography process, and a free radical initiator. The free radical initiator is capable of being decomposed by a thermal process at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound. A lithography process is performed on the resist compound layer to form a photoresist pattern. The resist compound layer having the photoresist pattern formed therein is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound, and wherein a partial cross-linking reaction in the resist composition occurs.

    摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成精细图案的方法，其中通过用光刻工艺将包含至少一种能形成光致抗蚀剂图案的化合物的抗蚀剂组合物涂覆在半导体衬底上的待蚀刻靶材层和自由基引发剂。 自由基引发剂能够在等于或高于至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度下被热处理分解。 在抗蚀剂化合物层上进行光刻工艺以形成光致抗蚀剂图案。 将其中形成有光致抗蚀剂图案的抗蚀剂化合物层加热到等于或高于至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度，并且其中发生抗蚀剂组合物中的部分交联反应。

    Photosensitive polymers and resist compositions comprising the photosensitive polymers
    64.
    发明授权
    Photosensitive polymers and resist compositions comprising the photosensitive polymers 失效
    包含光敏聚合物的光敏聚合物和抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US06787287B2

    公开(公告)日：2004-09-07

    申请号：US10103756

    申请日：2002-03-25

    申请人： Hyun-woo Kim ,  Sang-gyun Woo ,  Yool Kang

    发明人： Hyun-woo Kim ,  Sang-gyun Woo ,  Yool Kang

    IPC分类号： G03F7075

    CPC分类号： G03F7/0758 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

    摘要： A photosensitive polymer of a resist composition includes a copolymer of alkyl vinyl ether containing silicon and maleic anhydride, represented by the following formula: where R1 is —H, —OSi(CH3)2C(CH3)3 or —OSi(CH3)3; R2 is —H, —OH, —OCOCH3, —OSi(CH3)2C(CH3)3 or —OSi(CH(CH3)2)3; R3 is —H, —OH or —OCOCH3; R4 is —H, —OSi(CH3)2C(CH3)3, —CH2OSi(CH3)2C(CH3)3 or —CH2OSi(CH(CH3)2)3; and at least one of R1, R2, R3 and R4 is a Si-containing group.

    摘要翻译： 抗蚀剂组合物的光敏聚合物包括由下式表示的含硅烷基乙烯基醚和马来酸酐的共聚物：其中R1是-H，-OSi（CH3）2C（CH3）3或-OSi（CH3）3; R2是-H，-OH，-OCOCH3，-OSi（CH3）2C（CH3）3或-OSi（CH（CH3）2）3; R3是-H，-OH或-OCOCH3; R4是-H，-OSi（CH3）2C（CH3）3，-CH2OSi（CH3）2C（CH3）3或-CH2OSi（CH（CH3）2）3; R 1，R 2，R 3和R 4中的至少一个为含Si基团。

    Methods of correcting optical parameters in photomasks
    66.
    发明授权
    Methods of correcting optical parameters in photomasks 有权
    修改光掩模光学参数的方法

    公开(公告)号：US08435705B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US13072993

    申请日：2011-03-28

    申请人： Haek-seung Han ,  Dong-seok Nam ,  Sang-gyun Woo

    发明人： Haek-seung Han ,  Dong-seok Nam ,  Sang-gyun Woo

    IPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/72

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/36 ,  G03F1/74

    摘要： A method of correcting an optical parameter in a photomask is provided. The method includes providing a photomask, exposing the photomask, detecting an aerial image to estimate the photomask, and irradiating gas cluster ion beams to the photomask based on an estimation result to correct the optical parameter in the photomask in relation to the aerial image. The gas cluster ion beams may be irradiated to a front surface of the photomask on which a mask pattern is formed or a rear surface of the photomask on which the mask pattern is not formed.

    摘要翻译： 提供了一种校正光掩模中的光学参数的方法。 该方法包括提供光掩模，曝光光掩模，检测空中图像以估计光掩模，以及基于估计结果将气体簇离子束照射到光掩模，以校正相对于空中图像的光掩模中的光学参数。 可以将气体簇离子束照射到其上形成有掩模图案的光掩模的前表面或其上未形成掩模图案的光掩模的后表面。

    Method of forming pattern using fine pitch hard mask
    67.
    发明授权
    Method of forming pattern using fine pitch hard mask 有权
    使用细间距硬掩模形成图案的方法

    公开(公告)号：US08062981B2

    公开(公告)日：2011-11-22

    申请号：US12327006

    申请日：2008-12-03

    申请人： Ji-young Lee ,  Sang-gyun Woo ,  Joon-soo Park

    发明人： Ji-young Lee ,  Sang-gyun Woo ,  Joon-soo Park

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： A method of forming a fine pattern of a semiconductor device using a fine pitch hard mask is provided. A first hard mask pattern including first line patterns formed on an etch target layer of a substrate with a first pitch is formed. A first layer including a top surface where a recess is formed between adjacent first line patterns is formed. A second hard mask pattern including second line patterns within the recess is formed. An anisotropic etching process is performed on the first layer using the first and the second line patterns as an etch mask. Another anisotropic etching process is performed on the etch target layer using the first and the second hard mask patterns as an etch mask.

    摘要翻译： 提供了使用细间距硬掩模形成半导体器件的精细图案的方法。 形成包括形成在具有第一间距的基板的蚀刻目标层上的第一线图案的第一硬掩模图案。 形成包括在相邻的第一线图案之间形成有凹部的顶面的第一层。 形成包括凹部内的第二线图案的第二硬掩模图案。 使用第一和第二线图案作为蚀刻掩模在第一层上进行各向异性蚀刻处理。 使用第一和第二硬掩模图案作为蚀刻掩模在蚀刻目标层上执行另一种各向异性蚀刻工艺。

    Methods of Fabricating Halftone Phase Shift Blank Photomasks and Halftone Phase Shift Photomasks
    68.
    发明申请
    Methods of Fabricating Halftone Phase Shift Blank Photomasks and Halftone Phase Shift Photomasks 有权
    制造半色调相移空白光掩模和半色调相移光掩模的方法

    公开(公告)号：US20110104591A1

    公开(公告)日：2011-05-05

    申请号：US12909395

    申请日：2010-10-21

    申请人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

    发明人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32

    摘要： Halftone phase shift photomasks are provided including a substrate configured to transmit light; a shift pattern on the substrate, the shift pattern including a pattern area on a center portion of the substrate and a blind area disposed on a periphery of the substrate, the shift pattern of the blind area having a greater thickness than a thickness that of the pattern area, and being configured to partially transmit the light; and a light shielding pattern formed on the shift pattern in the blind area and being configured to shield the light. Related methods are also provided herein.

    摘要翻译： 提供了半色调相移光掩模，其包括被配置为透射光的基板; 基板上的移动图案，包括基板的中心部分上的图案区域和设置在基板的周边上的盲区的移动图案，盲区的移位图案的厚度大于基板的厚度 图案区域，并且被配置为部分地透射光; 以及遮光图案，其形成在所述遮光区域中的所述移动图案上，并且被构造成屏蔽所述光。 本文还提供了相关方法。

    Method for forming patterns of semiconductor device
    69.
    发明授权
    Method for forming patterns of semiconductor device 失效
    半导体器件形成方法

    公开(公告)号：US07862988B2

    公开(公告)日：2011-01-04

    申请号：US11529310

    申请日：2006-09-29

    申请人： Cha-Won Koh ,  Yool Kang ,  Sang-Gyun Woo ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Ji-Young Lee

    发明人： Cha-Won Koh ,  Yool Kang ,  Sang-Gyun Woo ,  Seok-Hwan Oh ,  Gi-Sung Yeo ,  Ji-Young Lee

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： Provided is a method for forming patterns of a semiconductor device. According to the method, first mask patterns may be formed on a substrate, and second mask patterns may be formed on sidewalls of each first mask pattern. Third mask patterns may fill spaces formed between adjacent second mask patterns, and the second mask patterns may be removed. A portion of the substrate may then be removed using the first and third mask patterns as etch masks.

    摘要翻译： 提供了一种用于形成半导体器件的图案的方法。 根据该方法，可以在衬底上形成第一掩模图案，并且可以在每个第一掩模图案的侧壁上形成第二掩模图案。 第三掩模图案可以填充在相邻的第二掩模图案之间形成的空间，并且可以去除第二掩模图案。 然后可以使用第一和第三掩模图案作为蚀刻掩模去除衬底的一部分。

    METHOD OF FORMING PATTERN
    70.
    发明申请
    METHOD OF FORMING PATTERN 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US20090291561A1

    公开(公告)日：2009-11-26

    申请号：US12511538

    申请日：2009-07-29

    申请人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

    发明人： Cha-Won Koh ,  Sang-Gyun Woo ,  Gi-Sung Yeo ,  Myoung-Ho Jung

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/306

    CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

    摘要： Disclosed is a method of forming a pattern. A first organic polymer layer is formed on a substrate on which an underlying layer, and then a second organic polymer layer, which has an opening partially exposing the first organic polymer layer, is formed on the first organic polymer layer. Next, a silicon-containing polymer layer is formed on the second organic polymer layer to cover the opening. The silicon-containing polymer layer is oxidized and simultaneously the second organic polymer layer and the first organic polymer layer are ashed by oxygen plasma to form a pattern having an anisotropy-shape. The underlying layer is etched using the silicon-containing polymer layer and the first organic polymer layer as an etching mask to form a pattern.

    摘要翻译： 公开了形成图案的方法。 在第一有机聚合物层上形成第一有机聚合物层，在其上具有下层，然后形成具有部分暴露第一有机聚合物层的开口的第二有机聚合物层。 接下来，在第二有机聚合物层上形成含硅聚合物层以覆盖开口。 含硅聚合物层被氧化，同时第二有机聚合物层和第一有机聚合物层被氧等离子体灰化，形成具有各向异性形状的图案。 使用含硅聚合物层和第一有机聚合物层作为蚀刻掩模蚀刻下层，以形成图案。