公开(公告)号：US20100293350A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12687951

申请日：2010-01-15

申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069

摘要： According to one embodiment of the present invention, a method of operating an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells grouped into physical memory units is provided. The method includes: Monitoring writing access numbers assigned to the physical memory units, each writing access number reflecting the number of writing accesses to the physical memory unit to which the writing access number is assigned; if the value of a writing access number assigned to a first physical memory unit exceeds a writing access threshold value, a data exchange process is carried out during which the data content stored within the first physical memory unit is exchanged with the data content of a second physical memory unit having a writing access number of a lower value.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，提供了一种操作集成电路的方法，该集成电路包括分组成物理存储器单元的多个电阻变化存储器单元。 该方法包括：监视分配给物理存储器单元的写入访问号码，每个写入访问号码反映写入访问次数到写入访问号码的物理存储单元; 如果分配给第一物理存储器单元的写访问号码的值超过写访问阈值，则执行数据交换处理，在该数据交换处理期间，存储在第一物理存储单元内的数据内容与第二物理存储单元的数据内容交换 物理存储单元具有较低值的写入访问号。

公开(公告)号：US07829879B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US12033519

申请日：2008-02-19

申请人： Rolf Weis ,  Thomas Happ

发明人： Rolf Weis ,  Thomas Happ

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： An integrated circuit includes a first contact, a second contact, and a U-shaped access device coupled to the first contact and the second contact. The integrated circuit includes self-aligned dielectric material isolating the first contact from the second contact.

摘要翻译： 集成电路包括耦合到第一触点和第二触点的第一触点，第二触点和U形存取装置。 集成电路包括将第一接触与第二接触隔离的自对准电介质材料。

公开(公告)号：US07778070B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12120946

申请日：2008-05-15

申请人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

发明人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C29/44 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C29/42 ,  G11C29/4401 ,  G11C29/76 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2029/1208 ,  G11C2213/32

摘要： One embodiment of the invention relates to a method for repairing a memory array. In the method, a group of at least one memory cell is dynamically analyzed to determine whether the memory array includes at least one faulty cell that no longer properly stores data. If the group includes at least one faulty cell, at least the at least one faulty cell is associated with at least another cell. Other methods, devices, and systems are also disclosed.

摘要翻译： 本发明的一个实施例涉及一种用于修复存储器阵列的方法。 在该方法中，动态地分析至少一个存储器单元的组，以确定存储器阵列是否包括不再适当地存储数据的至少一个故障单元。 如果组包括至少一个有故障的小区，则至少一个故障小区与至少另一个小区相关联。 还公开了其它方法，装置和系统。

公开(公告)号：US07759770B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12143948

申请日：2008-06-23

申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： An integrated circuit includes a first electrode, a second electrode, and a memory element coupled to the first electrode and to the second electrode, the memory element includes fast-operation resistance changing material doped with dielectric material.

摘要翻译： 集成电路包括第一电极，第二电极和耦合到第一电极和第二电极的存储元件，存储元件包括掺杂有电介质材料的快速操作的电阻改变材料。

公开(公告)号：US07714312B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11737838

申请日：2007-04-20

申请人： Thomas Happ

发明人： Thomas Happ

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： A memory cell device includes a first electrode, phase-change material adjacent the first electrode, a second electrode adjacent the phase-change material, a diffusion barrier adjacent the phase-change material, and isolation material adjacent the diffusion barrier for thermally isolating the phase-change material. The diffusion barrier prevents diffusion of the phase-change material into the isolation material.

公开(公告)号：US07679074B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11766822

申请日：2007-06-22

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/128 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  Y02P80/30

摘要： An integrated circuit includes a contact and a first electrode coupled to the contact. The first electrode includes at least two electrode material layers. The at least two electrode material layers include different materials. The integrated circuit includes a second electrode and a resistivity changing material between the first electrode and the second electrode.

摘要翻译： 集成电路包括接触件和耦合到接触件的第一电极。 第一电极包括至少两个电极材料层。 所述至少两个电极材料层包括不同的材料。 集成电路包括在第一电极和第二电极之间的第二电极和电阻率变化材料。

公开(公告)号：US20100002498A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：US12166755

申请日：2008-07-02

申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/0411

摘要： An integrated circuit includes an array of resistance changing memory cells. The array includes a first portion. The integrated circuit includes a circuit configured to apply a set pulse having a first pulse width to a first memory cell in the first portion to set the first memory cell. The first pulse width is based on a predetermined error percentage for the first portion.

摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储单元阵列。 阵列包括第一部分。 集成电路包括被配置为将第一脉冲宽度的设置脉冲施加到第一部分中的第一存储器单元以设置第一存储单元的电路。 第一脉冲宽度基于第一部分的预定误差百分比。

公开(公告)号：US20090200534A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12027675

申请日：2008-02-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung ,  Min Yang

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including at least the steps of providing a Si-containing substrate; forming an insulating layer on the Si-containing substrate; forming a via through the insulating layer to expose at least a portion of the Si-containing substrate; forming a seed layer of the exposed portion of the Si containing substrate; forming amorphous Si on at least the seed layer; converting at least a portion of the amorphous Si to provide crystalline Si; and forming a first dopant region abutting a second dopant region in the crystalline Si.

摘要翻译： 本发明在一个实施方案中提供了一种制备PN结的方法，所述方法至少包括提供含Si衬底的步骤; 在含Si衬底上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以露出所述含Si衬底的至少一部分; 形成含Si衬底的暴露部分的种子层; 在至少种子层上形成非晶态Si; 转化至少一部分非晶Si以提供晶体Si; 以及形成邻接所述晶体Si中的第二掺杂区的第一掺杂区。

公开(公告)号：US20090185411A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12017581

申请日：2008-01-22

申请人： Thomas Happ ,  Chung Hon Lam ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

发明人： Thomas Happ ,  Chung Hon Lam ,  Hsiang-Lan Lung ,  Bipin Rajendran ,  Min Yang

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： The integrated circuit includes a first metal line and a first diode coupled to the first metal line. The integrated circuit includes a first resistivity changing material coupled to the first diode and a second metal line coupled to the first resistivity changing material.

摘要翻译： 集成电路包括耦合到第一金属线的第一金属线和第一二极管。 集成电路包括耦合到第一二极管的第一电阻率变化材料和耦合到第一电阻率变化材料的第二金属线。

公开(公告)号：US20090176354A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US11970100

申请日：2008-01-07

申请人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

发明人： Bipin Rajendran ,  Thomas Happ ,  Hsiang-Lan Lung

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention, in one embodiment, provides a method of producing a PN junction the method including providing a single crystal substrate; forming an insulating layer on the single crystal substrate; forming a via through the insulating layer to provide an exposed portion of the single crystal substrate; forming amorphous Si on at least the exposed portion of the single crystal substrate; converting at least a portion of the amorphous Si into single crystal Si; and forming dopant regions in the single crystal Si. In one embodiment the diode of the present invention is integrated with a memory device.

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供了一种制造PN结的方法，该方法包括提供单晶衬底; 在单晶基板上形成绝缘层; 通过所述绝缘层形成通孔以提供所述单晶衬底的暴露部分; 在单晶衬底的至少暴露部分上形成非晶Si; 将至少一部分非晶Si转化为单晶Si; 并在单晶Si中形成掺杂区。 在一个实施例中，本发明的二极管与存储器件集成。