公开(公告)号：US08426110B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13362445

申请日：2012-01-31

申请人： Takeru Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Jun Hatakeyama

发明人： Takeru Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03F7/004 ,  C07C69/608

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C07J9/005 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392

摘要： A chemically amplified positive resist composition comprises an acid-decomposable keto ester compound of steroid skeleton which is insoluble in alkaline developer, but turns soluble in alkaline developer under the action of acid. The composition is exposed to EB, deep-UV or EUV and developed to form a pattern with a high resolution and improved LER.

摘要翻译： 化学放大阳性抗蚀剂组合物包含不溶于碱性显影剂的类固醇骨架的酸可分解的酮酯化合物，但在酸的作用下可溶于碱性显影剂。 将组合物暴露于EB，深UV或EUV并开发以形成具有高分辨率和改进的LER的图案。

公开(公告)号：US08247166B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12549792

申请日：2009-08-28

申请人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

发明人： Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi ,  Jun Hatakeyama ,  Masaki Ohashi ,  Takeshi Kinsho

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322

摘要： A double pattern is formed by coating a first positive resist composition onto a substrate, patternwise exposure to radiation, and development with alkaline developer to form a first resist pattern; applying heat and/or radiation to render the first resist pattern insoluble in a second solvent and in a second developer; coating a second resist composition on the first resist pattern, patternwise exposure to radiation, and development with second developer to form a second resist pattern. The resin in the first resist composition comprises recurring units of formula (1) wherein R1 is H, CH3 or CF3, m=1 or 2, n=0 or 1.

摘要翻译： 通过将第一正性抗蚀剂组合物涂布在基材上，图案地暴露于辐射并用碱性显影剂显影以形成第一抗蚀剂图案形成双重图案; 施加热和/或辐射以使第一抗蚀剂图案不溶于第二溶剂和第二显影剂; 在第一抗蚀剂图案上涂覆第二抗蚀剂组合物，图案地暴露于辐射，并用第二显影剂显影以形成第二抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂组合物中的树脂包含式（1）的重复单元，其中R 1是H，CH 3或CF 3，m = 1或2，n = 0或1。

公开(公告)号：US08153836B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US11860872

申请日：2007-09-25

申请人： Mutsuo Nakashima ,  Yoshitaka Hamada ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

发明人： Mutsuo Nakashima ,  Yoshitaka Hamada ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

IPC分类号： C08F7/21 ,  C08F7/08 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106

摘要： In a mixture of silsesquioxane compounds comprising silsesquioxane units having a side chain including a direct bond between a silicon atom and a norbornane skeleton and having a degree of condensation of substantially 100%, a dimethylene chain of the norbornane skeleton remote from the silicon bonded side is substituted with at least one substituent group other than hydrogen, and an isomer having a bulkier substituent group on the dimethylene chain at an exo position is present in a higher proportion.

摘要翻译： 在包含具有包含硅原子和降冰片烷骨架之间的直接键合并具有大致100％的缩合度的侧链的倍半硅氧烷单元的硅倍半氧烷化合物的混合物中，远离硅键合侧的降冰片烷骨架的二亚甲基链是 被除了氢以外的至少一个取代基取代，并且在外显位置上在二亚甲基链上具有较大取代基的异构体以更高的比例存在。

公开(公告)号：US20110311920A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13165536

申请日：2011-06-21

申请人： Takeshi Kinsho ,  Katsuya Takemura ,  Daisuke Kori ,  Takeru Watanabe ,  Tsutomu Ogihara

发明人： Takeshi Kinsho ,  Katsuya Takemura ,  Daisuke Kori ,  Takeru Watanabe ,  Tsutomu Ogihara

IPC分类号： G03F7/20 ,  C07D311/78 ,  B05D3/12 ,  C08G65/00 ,  B05D3/10 ,  C07C43/20 ,  C07D307/77

CPC分类号： C07C43/275 ,  B05D3/10 ,  B05D3/12 ,  C07C43/20 ,  C07C2603/18 ,  C07D307/77 ,  C07D311/78 ,  C08G65/00 ,  C09D201/06 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091

摘要： A naphthalene derivative having formula (1) is provided wherein cyclic structures Ar1 and Ar2 denote a benzene or naphthalene ring, X is a single bond or C1-C10 alkylene, m is 0 or 1, and n is such a natural number as to provide a molecular weight of up to 100,000. A material comprising the naphthalene derivative or a polymer comprising the naphthalene derivative is spin coated to form a resist bottom layer having improved properties. A pattern forming process in which a resist bottom layer formed by spin coating is combined with an inorganic hard mask formed by CVD is available.

摘要翻译： 提供具有式（1）的萘衍生物，其中环状结构Ar1和Ar2表示苯或萘环，X为单键或C1-C10亚烷基，m为0或1，n为自然数，提供 分子量高达100,000。 包含萘衍生物或包含萘衍生物的聚合物的材料被旋涂以形成具有改进性能的抗蚀剂底层。 通过旋涂形成的抗蚀剂底层与通过CVD形成的无机硬掩模组合的图案形成方法是可用的。

公开(公告)号：US20110195362A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13015094

申请日：2011-01-27

申请人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Katsuya Takemura ,  Toshihiko Fujii ,  Daisuke Kori

发明人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Tsutomu Ogihara ,  Katsuya Takemura ,  Toshihiko Fujii ,  Daisuke Kori

IPC分类号： G03F7/20 ,  C07C69/753 ,  C09D7/12 ,  C08L61/02 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  B82Y20/00

CPC分类号： C07C69/753 ,  C07C2604/00 ,  C08L61/06 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40

摘要： There is disclosed a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography including (A) a fullerene derivative having a carboxyl group protected by a thermally labile group and (B) an organic solvent. There can be a resist underlayer film composition of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer in which generation of wiggling in substrate etching can be highly suppressed and the poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist can be avoided, a process for forming the resist underlayer film, a patterning process and a fullerene derivative.

摘要翻译： 公开了用于光刻的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜组合物，其包含（A）具有由热不稳定基团保护的羧基的富勒烯衍生物和（B）有机溶剂。 可以存在用于形成抗蚀剂底层的光刻用的多层抗蚀剂膜的抗蚀剂下层膜组合物，其中可以高度抑制基板蚀刻中的摆动的产生，并且可以使用化学放大抗蚀剂形成上层图案的中毒问题 避免形成抗蚀剂下层膜的方法，图案化工艺和富勒烯衍生物。

公开(公告)号：US20080124653A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11987333

申请日：2007-11-29

申请人： Akihiro Seki ,  Shigeo Tanaka ,  Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi

发明人： Akihiro Seki ,  Shigeo Tanaka ,  Katsuya Takemura ,  Tsunehiro Nishi

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111

摘要： A positive resist composition comprises (A) a resin component which becomes soluble in an alkaline developer under the action of an acid and (B) an acid generator. The resin (A) is a polymer comprising specific recurring units. When processed by ArF lithography, the composition is improved in resolution and forms a pattern with a minimal line edge roughness.

摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包含（A）在酸的作用下变得可溶于碱性显影剂的树脂组分和（B）酸产生剂。 树脂（A）是包含特定重复单元的聚合物。 当通过ArF光刻处理时，组合物的分辨率提高，并形成具有最小线边缘粗糙度的图案。

公开(公告)号：US07276324B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US10984933

申请日：2004-11-10

申请人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Takeru Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Koji Hasegawa ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382

摘要： Chemically amplified resist compositions comprising nitrogen-containing organic compounds having an aromatic carboxylic acid ester structure have an excellent resolution and provide a precise pattern profile and are useful in microfabrication using electron beams or deep-UV light.

摘要翻译： 包含具有芳族羧酸酯结构的含氮有机化合物的化学扩增抗蚀剂组合物具有优异的分辨率并提供精确的图案轮廓，并且可用于使用电子束或深紫外光的微细加工。

公开(公告)号：US07261995B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11110927

申请日：2005-04-21

申请人： Takeru Watanabe ,  Koji Hasegawa ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

发明人： Takeru Watanabe ,  Koji Hasegawa ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

IPC分类号： G03C1/73

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D493/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758

摘要： Chemically amplified resist compositions comprising nitrogen-containing organic compounds having a 7-oxanorbornane-2-carboxylic ester structure have resolution and provide a precise pattern profile and are useful in microfabrication using electron beams or deep-UV light.

摘要翻译： 包含具有7-氧代 - 降冰片烷-2-羧酸酯结构的含氮有机化合物的化学扩增抗蚀剂组合物具有分辨率并提供精确的图案轮廓，并且可用于使用电子束或深紫外光的微细加工。

公开(公告)号：US20070190458A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11703681

申请日：2007-02-08

申请人： Mutsuo Nakashima ,  Yoshitaka Hamada ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

发明人： Mutsuo Nakashima ,  Yoshitaka Hamada ,  Katsuya Takemura ,  Kazumi Noda

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

摘要： A resist composition is provided comprising a silicone resin, a photoacid generator, a nitrogen-containing organic compound, and a solvent. The silicone resin is obtained through cohydrolytic condensation of a mixture of three silane monomers containing a norbornane group having hexafluoroisopropyl alcohol, an organic group having a carboxyl group protected with an acid labile group, and a lactone ring-bearing organic group, respectively. The resist composition has satisfactory resolution and overcomes the problem of a low selective etching ratio between resist film and organic film during oxygen reactive etching.

摘要翻译： 提供了包含有机硅树脂，光酸产生剂，含氮有机化合物和溶剂的抗蚀剂组合物。 有机硅树脂通过含有具有六氟异丙醇的降冰片烷基的三种硅烷单体，具有由酸不稳定基团保护的羧基的有机基团和含内酯环的有机基团的混合物的共水解缩合而获得。 抗蚀剂组合物具有令人满意的分辨率，并且克服了在氧反应蚀刻期间抗蚀剂膜和有机膜之间的选择性蚀刻比低的问题。

公开(公告)号：US06916591B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10393006

申请日：2003-03-21

申请人： Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Kazunori Maeda

发明人： Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Kazunori Maeda

IPC分类号： C07C309/75 ,  C07D333/36 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C07C309/75 ,  C07D333/36 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： Photoacid generators are provided by O-arylsulfonyl-oxime compounds having formula (1) wherein R is H, F, Cl, NO2, alkyl or alkoxy, n is 0 or 1, m is 1 or 2, r is 0 to 4, r′ is 0 to 5, k is 0 to 4, and G′ and G″ are S or —CH═CH—. Chemically amplified resist compositions comprising the photoacid generators have many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, and improved pattern profile after development. Because of high resolution, the compositions are suited for microfabrication, especially by deep UV lithography.

摘要翻译： 光生酸发生剂由具有式（1）的O-芳基磺酰基 - 肟化合物提供，其中R是H，F，Cl，NO 2，烷基或烷氧基，n是0或1，m是1或2 r为0〜4，r'为0〜5，k为0〜4，G'，G“为S或-CH-CH-。 包含光酸产生剂的化学放大抗蚀剂组合物具有许多优点，包括改进的分辨率，改善的聚焦纬度，最小化的线宽变化或即使在长期PED下的形状退化，以及显影后的改进的图案分布。 由于高分辨率，组合物适用于微细加工，特别是通过深紫外光刻。