公开(公告)号：US5610471A

公开(公告)日：1997-03-11

申请号：US409479

申请日：1995-03-22

申请人： Steve G. Bandy ,  Clifford K. Nishimoto ,  Christopher Webb ,  Ross A. LaRue

发明人： Steve G. Bandy ,  Clifford K. Nishimoto ,  Christopher Webb ,  Ross A. LaRue

IPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/46 ,  H01J1/62

CPC分类号： H01J1/3042 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30423

摘要： A field emission device (100) uses single crystals in order to eliminate grain boundaries within some or all of the electrodes (103, 104, and 205). The elimination of grain boundaries reduces susceptibility to damage, improves stability of the device (100), and improves uniformity and reproducibility among devices. In a preferred embodiment, the emitter and gate electrodes (103 and 104 respectively) are formed from a single crystal thin film (302). In other embodiments, other structures are employed wherein one or more of the electrodes (103, 104, and 205) are formed from single crystals.

摘要翻译： 场发射器件（100）使用单晶以消除部分或全部电极（103,104和205）内的晶界。 消除晶界降低了损伤的易感性，提高了器件的稳定性（100），并提高了器件之间的均匀性和再现性。 在优选实施例中，发射极和栅电极（103和104分别）由单晶薄膜（302）形成。 在其他实施例中，采用其中一个或多个电极（103,104和205）由单晶形成的其它结构。

公开(公告)号：US5438240A

公开(公告)日：1995-08-01

申请号：US232792

申请日：1994-04-22

申请人： David A. Cathey ,  J. Brett Rolfson ,  Tyler A. Lowrey ,  Trung T. Doan

发明人： David A. Cathey ,  J. Brett Rolfson ,  Tyler A. Lowrey ,  Trung T. Doan

IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC分类号： H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407

摘要： A baseplate for a flat panel display comprising relatively thick semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate is a macro-grain polycrystalline substrate, which is amorphized by ion implantation or reformed by recrystallization, to obscure the grain boundaries, thereafter redundant circuitry may be fabricated thereon to further enhance product yield.

摘要翻译： 一种用于平板显示器的底板，包括相对厚的半导体衬底，其中半导体衬底是通过离子注入而非晶化或通过重结晶重新形成的宏晶多晶衬底，以掩盖晶界，此后可制造冗余电路， 进一步提高产品产量。

公开(公告)号：US5382315A

公开(公告)日：1995-01-17

申请号：US120264

申请日：1993-09-13

申请人： Nalin Kumar

发明人： Nalin Kumar

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00 ,  H05K3/04 ,  H05K3/10 ,  H05K3/14 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K3/465 ,  H01J9/025 ,  H01L21/4857 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H05K3/045 ,  H05K3/184 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30457 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H05K1/142 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0166 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/121 ,  H05K2203/1338 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/107 ,  H05K3/143 ,  H05K3/146 ,  H05K3/185 ,  H05K3/388 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4661 ,  Y10S438/942

摘要： A method of forming an etch mask and patterning a substrate. The method includes directing a particle beam at a substrate without using a mask to deposit an etch mask on the substrate which selectively exposes predetermined portions of the substrate, the etch mask consisting of particles mechanically placed on the substrate by the particle beam, and then etching the exposed portions of the substrate through the etch mask to form channels therein. The process is well suited to fabricating high density copper/polyimide multi-chip modules.

摘要翻译： 一种形成蚀刻掩模和图案化衬底的方法。 该方法包括在基板上引导粒子束而不使用掩模在基板上沉积选择性地暴露基板的预定部分的蚀刻掩模，该蚀刻掩模由颗粒束机械地放置在基板上的颗粒组成，然后蚀刻 通过蚀刻掩模的衬底的暴露部分在其中形成通道。 该工艺非常适合制造高密度铜/聚酰亚胺多芯片模块。